技术文章 - 深圳市兆信半导体有限公司

30N06 TO252场效应管参数-30N06 TO252MOS管

一、产品特征30N06场效应管，作为电子元件领域的重要一员，其基本特性承载着电子领域的发展潜力。其优越的性能在市场中赢得了显著的地位。简而言之，以其高效能、卓越的漏源电压和连续漏极电流等特性，成为众多方案工程师、技术人员以及制造企业采购的首选。二、技术规格参数深入了解30N06的技术参数是理解其在电子领域中独特地位的关键。N沟道、漏源电压60V、连续漏极电流35A、功率3W、导通电阻31mΩ@10V,15A，这些参数不仅仅是冰冷的数字，更是它强大性能的象征。这意味着在实际电路中，能够展现出其卓越的能量传输能力和极低的导通电阻，为各种电子设备提 ...

2024

01-26

IRLML2244TRPBF场效应管参数-IRLML2244TRPBFMOS管

一、产品特征IRLML2244TRPBF场效应管，作为电子元件领域的明星产品，其基本特性不可忽视。以P沟道为特色，展现了卓越的漏源电压和导通电阻等性能。在市场中，凭借其稳定性和高效性，赢得了极高的声誉。对于方案工程师、技术人员以及制造企业采购人员而言，它既是可靠性的象征，也是灵活性和性能的典范。二、技术规格参数IRLML2244TRPBF的技术参数是其卓越性能的关键体现。作为P沟道场效应管，其20V的漏源电压、5A的连续漏极电流以及43mΩ@4.5V,5A的导通电阻，使其在电子领域中脱颖而出。通过深入解读这些参数，我们能够更好地理解它的技术优 ...

2024

01-26

AO4480场效应管参数-AO4480MOS管

一、产品特征AO4480场效应管，是电子元件领域中的一颗明星。其基本特性不仅包括出色的性能，更在市场中占据着重要地位。作为N沟道场效应管，它展现出卓越的漏源电压（Vdss）和连续漏极电流（Id），在电子元件领域中备受推崇。其市场地位不仅体现在可靠性上，更在灵活性和高效性方面表现出众。它已经成为方案工程师、技术人员和制造企业采购人员首选的元器件之一。二、技术规格参数AO4480的技术参数展现了其卓越的性能。作为一款N沟道场效应管，拥有40V的漏源电压，以及12.4A的连续漏极电流，2.5W的功率和10mΩ@10V,12.4A的导通电阻。这些技术 ...

2024

01-26

AOD240场效应管参数-AOD240MOS管

一、产品特征AOD240场效应管是电子元件行业明星。它的基本特点不仅包括出色的特性，并且在市场中也有初露锋芒。作为一种N沟场效应管，显现出出色的漏源电压（Vdss）和连续漏极电流（Id），随后在很多电子元件中拥有独特的竞争力。在电子元件领域，它以独特的特征和稳定性，变成工程师和技术人员首选的元器件之一。二、技术规格参数AOD240参数显示了他在各方面的出色表现。该MOS管不仅有着40VN沟漏电压，还具备59A持续走电电流、3.13W功率和6.4mΩ@10V，30A的导电阻让人印象深刻。该技术规格不仅让其广泛用于电子领域，而且为工程师提供了更多 ...

2024

01-26

AOD603A场效应管参数-AOD603AMOS管

一、产品特征在电子元件领域中，AOD603A场效应管凭借其卓越的特性和市场地位，成为方案工程师、技术人员以及制造企业采购的首选。以其高度可靠的性能在市场上占据重要地位。其基本特性包括先进的N沟道和P沟道技术，使其在各种电子应用中表现出色。在电源管理系统、功率放大电路等领域，展现出令人瞩目的重要性。二、技术规格参数AOD603A的技术规格可谓令人瞩目。拥有1个N沟道和1个P沟道，其漏源电压(Vdss)可达60V，连续漏极电流(Id)高达35A，而导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)仅为30mΩ@10V,35A。这些技术参数确保了其在不同场景 ...

2024

01-26

2SJ168场效应管参数-2SJ168MOS管

一、产品特征2SJ168效用管以其卓越的产品特点在电子元件领域起着重要作用。拥有优秀的P沟技术，不但在市场中站稳了脚跟，并且变成方案工程师、技术人员以及制造和采购的首选。在电子元器件领域，以其优异的性能而获得广泛应用，无疑是不可或缺的元器件之一，为各类电子产品设计提供了坚实的运用。二、技术规格参数2SJ168的技术规格参数显示了它在电子领域的出色表现。选用P沟技术，漏源电压60V，持续漏极电流500ma。这一关键参数在于它在电路原理里的广泛应用。其具备导电阻低、功率大的特点，广泛应用于电源管理系统、音频放大电路等领域。这一技术参数确保了2SJ ...

2024

01-26

FDT434P-NL场效应管参数-FDT434P-NLMOS管

一、产品特征FDT434P-NL场效应管以独特的产品特征在电子元件领域占有重要地位。该场效应管的基本特点表现在先进的P沟技术上，从而在市场中占据扎实的地位。因其优异的性能和可靠性变成方案工程师、技术人员以及制造购置的首选。它在电子元器件领域，因其优异的性能和广泛应用，的确是不可或缺的元器件之一。二、技术规格参数FDT434P-NL的技术规格参数突出了它在电子领域的强大特性。采用P沟技术，具备35V漏源电压，6.2A持续漏极电流。这一关键参数不但决定了其在电路原理中的使用范围，并且直接影响电子机器的性能。优异挑选P沟漏源电压，使其在各类电子运用 ...

2024

01-26

FDS9435A-NL场效应管参数-FDS9435A-NLMOS管

一、产品特征FDS9435A-NL场效应管，做为电子元件领域的重要代表，拥有独特的产品优势。其基本特点不仅体现在优秀的技术程度上，更体现在平稳的市场地位上。这种效应管在电子元件行业里起着重要的作用，其出色的特性使之成为很多方案工程师和技术人员的优选。它在市场地位里的广泛运用，代表着他在电子产业中的作用。其稳定性跟高性能使制造和采购更加自信，确保了产品品质。二、技术规格参数深入了解FDS9435A-NL的技术规格参数是正确选择和应用该场效应管的关键。该器件采用P沟道技术，具有30V的漏源电压、5.8A的连续漏极电流，以及42mΩ@10V, 5. ...

2024

01-26

STD10NF10T4场效应管参数-STD10NF10T4MOS管

一、产品特征STD10NF10T4场效应管是一款在电子元件领域中备受瞩目的产品。其基本特性以及在市场中的地位使其成为许多方案工程师、技术人员以及制造企业采购人员首选的选择。该场效应管不仅具有卓越的性能，而且在各种电子应用中发挥着至关重要的作用。其市场地位不可忽视，是当前电子元件市场的佼佼者。二、技术规格参数STD10NF10T4的技术参数堪称一流。作为一款N沟道场效应管，其漏源电压达到了100V，连续漏极电流高达15A。在实际应用中，其导通电阻在10V电压、15A电流下仅为114mΩ，显示出出色的性能。这些参数使得它在各种场景下都能够胜任，无 ...

2024

01-25

IRFR3410TRPBF场效应管参数-IRFR3410TRPBFMOS管

一、产品特征IRFR3410TRPBF场效应管，是电子元件领域的翘楚。其基本特性卓越，市场地位显赫。作为一款N沟道MOS管，它在电子行业中扮演着重要的角色。其独特的场效应管设计为方案工程师和技术人员提供了卓越的选择，成为制造企业采购的理想之一。二、技术规格参数IRFR3410TRPBF参数展现了其强大的技术实力。作为N沟道MOS管，其漏源电压达到100V，连续漏极电流高达40A。这些参数直接关系到其在电路中的应用效果。除了基本参数外，还包括功率和导通电阻等关键数据，这些详细的技术规格使得它成为众多方案中的佼佼者。三、工作原理及应用 ...

2024

01-25