技术文章 - 深圳市兆信半导体有限公司

APM2301AC场效应管参数-APM2301ACMOS管

一、产品特征APM2301AC场效应管，是电子元件领域中备受瞩目的产品。其基本特性卓越，市场地位显赫。作为一款P沟道MOS管，它在电子行业中扮演着重要的角色。其独特的场效应管设计为方案工程师和技术人员提供了卓越的选择，成为制造企业采购的理想之一。二、技术规格参数APM2301AC参数展现了其强大的技术实力。作为P沟道MOS管，其漏源电压达到20V，连续漏极电流高达5A。这些参数直接关系到其在电路中的应用效果。除了基本参数外，还包括功率和导通电阻等关键数据，这些详细的技术规格使得其成为众多方案中的佼佼者。三、工作原理及应用1. 工作 ...

2024

01-25

SUD50P04-08-GE3场效应管参数-SUD50P04-08-GE3MOS管

一、产品特征SUD50P04-08-GE3场效应管，市场地位显赫，是电子元件领域中备受关注的产品。其基本特性突出，为方案工程师和技术人员提供了卓越的选择。这款MOS管在电子行业中的重要性不可忽视，为各类电路提供了可靠的性能支持。市场上的认可也使其成为制造企业采购的优选之一。其特有的场效应管设计使其在电子领域中具备独特优势，实现了更高的性能和稳定性。二、技术规格参数SUD50P04-08-GE3参数展现了其强大的技术实力。作为P沟道MOS管，其漏源电压达到40V，连续漏极电流更是高达50A。这些参数直接关系到其在电路中的应用效果。除了基本参数外 ...

2024

01-25

SI2319CDS-T1-GE3场效应管参数-SI2319CDS-T1-GE3MOS管

一、产品特征SI2319CDS-T1-GE3场效应管作为一种创新产品，在电子元件领域具有突出的特点。其独特的设计和性能进而在市场中占有重要地位。它以其效率高、性能稳定、用途广泛而受到欢迎。方案工程师、技术人员以及制造企业的买家都会对其出色的特性有兴趣。二、技术规格参数SI2319CDS-T1-GE3的技术规格参数显示了其优异的性能。做为P沟场效应管，其具有30V漏源电压、5.6A持续漏极电流以及2.5W功率。导通电阻的关键参数为55mΩ@10V,4.4A。对这一性能参数详细解读为工程师提供了足够的信息，从而更好地认知和科学地运用。 ...

2024

01-25

AO3416场效应管参数-AO3416MOS管

一、产品特征AO3416场效应管是电子元件领域的重要组成部分。其基本特点体现在优异的性能和性能稳定上。它在市场中备受瞩目，不但因为它在电子元件里的广泛运用，更因为它在市场上的坚实地位。作为一种电子元件，在各类电路原理中起着关键作用，为解决方案工程师、技术人员以及制造和采购提供了可靠的解决方案。二、技术规格参数AO3416参数的详细解读对于理解该场效应管的性能至关重要。N沟道漏源电压为30V，连续漏极电流可达6.5A，导通电阻在10V、6.5A时仅为30mΩ。这些技术规格使得其成为电子元器件的首选。其稳定性和高性能使得方案工程师和技术人员能够在 ...

2024

01-25

AP2301GN场效应管参数-AP2301GNMOS管

一、产品特征AP2301GN场效应管是电子元件领域的重要组成部分。其基本特点体现在优异的性能和性能稳定上。在市场中，它备受瞩目，不但因为它在电子元件里的广泛运用，更因为它在市场上的坚实地位。作为一种电子元件，在各类电路原理中起着关键作用，为解决方案工程师、技术人员以及制造和采购提供了可靠的解决方案。二、技术规格参数AP2301GN参数的详细解读对于理解该场效应管的性能至关重要。P沟道漏源电压为20V，连续漏极电流可达5A，导通电阻在4.5V、5A时仅为43mΩ。这些技术规格使得它成为电子元器件的首选。其稳定性和高性能使得方案工程师和技术人员能 ...

2024

01-25

SI2302CDS-T1-GE3场效应管参数-SI2302CDS-T1-GE3MOS管

一、产品特征SI2302CDS-T1-GE3场效应管是电子元件领域的重要组成部分。其基本特性体现在高度可靠性和卓越的性能上。作为市场上备受瞩目的元件之一，它在各类电子应用中扮演着关键角色。其稳定性和先进技术将为方案工程师、技术人员以及制造企业采购带来实实在在的价值。它的市场地位不仅源于其可靠性，更是因为它在电子领域中的重要性不断凸显。二、技术规格参数SI2302CDS-T1-GE3参数的详细解读对于理解该场效应管的性能至关重要。N沟道漏源电压达到20V，连续漏极电流高达6A，而导通电阻在4.5V、6A时仅为28mΩ。这些技术规格使得其成为高性 ...

2024

01-25

DMG2307L-7-F场效应管参数-DMG2307L-7-FMOS管

一、产品特征DMG2307L-7-F场效应管是一种在电子元件领域备受瞩目的产品，拥有独特的特征和市场地位。其基本特点包含性能高、稳定性强、应用广泛的领域。它在电池管理、电池管理和各种电子设备中发挥出色。在市场竞争中，因其稳定性和高效率遭受用户的青睐，变成电子领域不可或缺的一部分。二、技术规格参数DMG2307L-7-F的技术参数确保了其在各类应用场景中的出色表现。具体参数包含P沟漏电压电压（Vdss）持续漏极电流为30V（Id）为5.6A，导通电阻（RDS(on)@Vgs,Id）为46mΩ@10V,5.6A。这些参数的精确设计使其适用于不同的 ...

2024

01-25

AO4406A场效应管参数-AO4406AMOS管

一、产品特征AO4406A场效应管做为电子元件领域的重要组成部分，其基本特点在市场中占有重要地位。这款MOS管以其优异的性能和稳定性而闻名于业界。在电子元件行业里发挥着至关重要的作用，不仅有着其优秀的技术特点，并且在市场中发挥了非凡的功效。其出色的特性促使它在各类电路原理中得到广泛应用，为方案工程师、技术人员以及制造购置提供了可靠的挑选。二、技术规格参数AO4406A的技术参数显示了它在电子领域的出色表现。做为N沟场效应管，其走电电压(Vdss)持续漏极电流为30V(Id)做到13A，功率(Pd)保证2.2W，而导通电阻(RDS(on)@Vg ...

2024

01-25

BSN20场效应管参数-BSN20MOS管

一、产品特征BSN20场效应管作为电子元件领域的瑰宝，其基本特性、市场地位及在电子领域的重要性不可忽视。以其卓越的性能在市场上占据一席之地，成为方案工程师、技术人员和制造企业采购的首选。其精妙的设计和可靠性使其在各种应用场景中广受欢迎。从基本特性到市场地位，BSN20场效应管无疑是电子领域的佼佼者。二、技术规格参数BSN20的技术参数堪称令人惊叹，具备N沟道漏源电压60V、连续漏极电流250mA以及导通电阻2.8Ω@10V, 0.25A等强大特性。这些参数的详细解读不仅包括P沟道漏源电压、功率等方面的内容，更涉及其在不同工作条件下的性能表现。 ...

2024

01-24

NDT452AP-NL场效应管参数-NDT452AP-NLMOS管

一、产品特征NDT452AP-NL场效应管做为电子元件领域的重要组成部分，具备独特而非凡的特性。其基本特点不仅包括P沟设计，并且在市场中占据显著的位置。它的重要性体现了技术特征，并广泛用于电子元件行业。作为一种场效应管，因其先进技术和多用途，为电子设计提供了强大的运用。二、技术规格参数NDT452AP-NL的技术参数显示了其优异的性能。做为P沟场效应管，其具有35V漏源电压、6.2A持续漏极电流、4.2W功率和10V、5A时的40mΩ导通电阻。这一性能参数促进其在电子设计中具有优良的功率传输和稳定性。根据对这一性能参数详细解读，方案工程师和技 ...

2024

01-24