技术文章 - 深圳市兆信半导体有限公司

IRFR540ZTRPBF场效应管参数-IRFR540ZTRPBFMOS管

一、产品特征IRFR540ZTRPBF场效应管是电子元件行业备受瞩目的产品。其基本特点和在市场上地位使之成为很多方案工程师、技术人员以及制造和采购的首选。它以其优异的性能和稳定性，广泛应用于各种电子设备中。二、技术规格参数IRFR540ZTRPBF参数详尽全面，主要包含N沟漏源电压(Vdss)：持续漏极电流100V(Id)：40A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：30mΩ@10V,40A。该技术标准促进其在P沟走电电压、持续漏电电流、功率和导电电阻等方面发挥出色功效，满足不同电子元件标准化规定。三、工作原理及应用1. 工 ...

2024

01-23

IRF7304TRPBF场效应管参数-IRF7304TRPBFMOS管

一、产品特征IRF7304TRPBF作为一种先进的场效应管，在电子元件领域具有独特而引人注目的特性。其基本特点不仅体现在高度集成的设计上，也体现在优异的性能上。在市场中，早已建立了自己的商品地位，变成方案工程师、技术人员以及制造和采购的首选之一。二、技术规格参数IRF7304TRPBF的技术参数突出了其不凡设计和特性。作为两个P沟场效应管，其走电电压(Vdss)持续漏极电流为30V(Id)可达7.3A。更引人注目的是导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)为29mΩ@10V,7.3A。这类精彩的性能参数设计使其在很多场景里都能发挥出色的功效。 ...

2024

01-23

NCE6005AS场效应管参数-NCE6005ASMOS管

一、产品特征NCE6005AS场效应管是电子元件行业备受瞩目的产品。其基本特点突出了优秀的技术水准，市场地位一直处于领先水平。在电子元件行业，它的重要性不可忽视。作为一种具有两个N沟的场效应管，以独特的特性在市场中占有一席之地。二、技术规格参数NCE6005AS参数表明出其不凡的技术实力。作为两个N沟场效应管，其走电电压(Vdss)60V，持续漏极电流(Id)可达7A。功率(Pd)4W，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)为28mΩ@10V,4.5A。这类技术参数决定了它在各类电子应用中的适用性。详细解读P沟漏电压、功率以及导电阻等数据， ...

2024

01-23

SI4425DY-T1-E3&-11场效应管参数-SI4425DY-T1-E3&-11MOS管

一、产品特征SI4425DY-T1-E3&-11场效应管是电子元件行业明星产品。其基本特点和市场地位使之成为备受瞩目的部件。以其优异的性能和稳定性，广泛应用于各种电子产品中。它在电子元器件行业的重要性不可小觑。二、技术规格参数SI425DY-T1-E3&-11参数表明出其不凡的技术实力。P沟漏电压为30VV、持续漏极电流为11.6A、MOS管功率为5.6W，其导通电阻为10V、10A条件下仅有12.5mΩ。这一技术参数促进其在电子领域具有广泛应用，为各类电路提供了可靠的运用。三、工作原理及应用1. 工作原理依据P沟 ...

2024

01-23

2SJ355场效应管参数-2SJ355MOS管

一、产品特征2SJ355场效应管是电子元件领域的领导者。它的基本特点和市场地位使它成为一个流行的部件。以其优异的性能和稳定性而被广泛应用于各种电子设备中。其在电子元件领域的重要性不可小看。二、技术规格参数2SJ355参数表明出其不凡的技术实力。P沟漏源电压为30V、持续漏极电流为6A、MOS管功率为2.5W，其导通电阻为10V、7A条件下仅有50mmΩ。该技术参数促进其在电子领域具有广泛的适用性，为各类电路提供了可靠的适用性。三、工作原理及应用1. 工作原理依据P沟的电荷配备，2SJ355场效应管工作原理。比如，当网格极提升电压时 ...

2024

01-23

LR7843场效应管参数-LR7843MOS管

一、产品特征LR7843场效应管是电子元件行业的真谛。其基本特点和市场地位令人瞩目。作为一种先进的场效应管，在电子元件行业里发挥着不可替代的作用。其高性能、稳定性和可靠性在市场中占有重要地位。二、技术规格参数对LR7843参数详细解读，使我们对这款MOS管拥有更全面的了解。从总体上，LR7843是一种N沟漏源电压为30V、持续漏极电流为120A场效应管。10V、在120A条件下，导通电阻仅是2.3mΩ，突出其优秀的技术规格。这使得它在各类电子应用中发挥出色的功效。三、工作原理及应用1. 工作原理LR7843场效应管工作原理是基于场 ...

2024

01-23

SUD50P04-09L-E3场效应管参数-SUD50P04-09L-E3MOS管

一、产品特征SUD50P04-09L-E3场效应管，做为电子元件行业的佼佼者，以独特的特性在市场中占据显著的位置。P沟设计使其具有40V走电电压、50A持续走电电流以及有吸引力的12mΩ@10V，50A导通电阻。在电子元件领域，它不仅是一种器件，更是方案工程师、技术人员和制造购置的首选。其市场地位凸显了它在电子领域的功效。二、技术规格参数详细解读SUD50P04-09L-E3的技术参数，揭露了它在电子领域的强大特性。P沟漏源电压40V、50A和12mm的持续漏极电流Ω@能够在电路原理中提供可靠的运用，尤其是在功率和电流要求高的前提下。&nbs ...

2024

01-23

BSH103场效应管参数-BSH103MOS管

一、产品特征BSH103效用管是电子元件行业的领导者，以其非凡的特性在市场中占据显著的位置。具备N通道设计，突出了30V泄露电压、6.5A持续漏电流和低导电阻。在电子元件领域，它不仅是一个设备，都是解决工程师、技术人员和制造和采购的首选。其市场地位突出了其在电子领域的功效。二、技术规格参数BSH103性能参数的详细解释揭露了其在电子领域的强大特性。做为N沟场效应管，具备30V走电电压、6.5A持续漏电电流和30mΩ@10V、6.5A导电阻具备突出的特点。这一技术参数促进其在电路原理中提供靠谱的使用，尤其是在电流和电压要求高的前提下。 ...

2024

01-23

AP2306N场效应管参数-AP2306NMOS管

一、产品特征AP2306N场效应管是电子元件行业的明星产品，以独特的特性在市场中占有重要地位。其基本特点包含高效的N通道设计，使漏源电压做到20V，持续漏极电流做到6A，并且具有低导电阻（RDS(on)@Vgs,Id为28mΩ@4.5V,6A）。在电子元件领域，以其优异的性能变成不可或缺的一部分，为各类电路带来了平稳高效的运用。这使得其变成方案工程师、技术人员和制造购置的首选之一。二、技术规格参数详细解读AP2306N的技术参数是为了更好地理解其在电子元件中的应用。它是一款N沟道场效应管，具有20V的漏源电压和6A的连续漏极电流。其导通电阻为 ...

2024

01-23

SI2323CDS-T1-GE3场效应管参数-SI2323CDS-T1-GE3MOS管

一、产品特征SI2323CDS-T1-GE3场效应管做为一种独特的MOS管，在电子元件行业起着重要作用。其基本特点包含30VP沟走电电压、5.6A持续走电电流和55mΩ@10V，4.4A导电阻。在市场中，它以其卓越的性能和稳定性而享有良好的声誉，变成方案工程师、技术人员以及制造和采购的首选。二、技术规格参数SI2323CDS-T1-GE3的技术规格显现出其强大的特性。P沟漏源电压30V，持续漏极电流5.6A，55mΩ@10V，4.4A的导通电阻，进而在电子元件设计里具备可靠性和可塑性。详细解读此技术参数，特别关心P沟漏电压、持续走电电流、功率 ...

2024

01-22