技术文章 - 深圳市兆信半导体有限公司

FDD4141场效应管参数-FDD4141MOS管

一、产品特征FDD4141场效应管是电子元件领域的一颗璀璨之星。因其出色特点和在市场上重要地位，已成为方案工程师、技术人员以及制造和采购的首选。该MOS管背负着40VP通道泄露电压和50A持续漏电流，在电子领域表现出独特的重要性。其市场地位不可忽视，为电子元件领域注入了新的活力。二、技术规格参数FDD4141的技术规格令人瞩目。做为P沟场效应管，其具有40VP沟走电电压、50A持续走电电级电流和令人印象深刻的导电电阻，仅12mΩ@10V，50A。这类技术参数给工程师和技术人员增添了普遍设计挑选与应用灵活性。对它特性的详细解释至关重要。&nbs ...

2024

01-22

IRLML6401TRPBF场效应管参数-IRLML6401TRPBFMOS管

一、产品特征IRLML6401TRPBF场效应管是电子元件行业明星。具有高性能、可靠性等优异特点，在市场中占有重要地位。作为一种P沟场效应管，具有优良的基本特点，为电子元件领域带来了新的几率。他在各种电路中的广泛应用使之成为制造采购和技术人员的优选。这种效应管不但在性能上发挥出色，并且在市场竞争中也处于领先地位。二、技术规格参数对IRLML6401TRPBF性能参数的详细解读针对掌握这款MOS管很重要。P沟场效应管变量值包含走电电压(Vdss)为20V、持续漏极电流(Id)为5A、导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)为43mΩ@4.5V, ...

2024

01-22

FQD11P06TM场效应管参数-FQD11P06TMMOS管

一、产品特征FQD11P06TM场效应管是电子元件领域的一颗璀璨之星。其基本特点突显，市场地位不凡，在电子制造中发挥着无可替代的主导地位。作为一种P通道场效应管，因其优异的性能和稳定性，在市场中占有重要地位。他在电子元件领域的重要性不可小看，为解决方案工程师、技术人员以及制造和采购增添了理想解决方案。二、技术规格参数FQD11P06TM参数表明出其强大的技术实力。P沟定做的漏源电压(Vdss)60V，持续漏极电流(Id)做到30A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)仅是61mΩ@10V,30A。它在各类应用场景中彰显了优异的功效。特别是 ...

2024

01-22

IRF540S场效应管参数-IRF540SMOS管

一、产品特征IRF540S场效应管是电子领域的真谛，其基本特点在市场中占据独特的地位。它选用N沟漏源设计，性能出色。在电子元件领域，因其高度靠谱、高效的功率控制而备受推崇。方案工程师、技术人员和生产商都非常关注它的特征。二、技术规格参数IRF540S参数揭露了其不凡的技术实力。做为N沟漏源场效应管，有着100V漏源电压、45A持续漏极电流和10V、45A条件下的导通电阻为30mΩ。这些参数直接关系其在电路中的性能。详细解读这一性能参数，有益于方案工程师、技术人员和制造购置，更好的了解P通道泄露电压、功率以及导电电阻等关键性能指标。 ...

2024

01-22

IRFL9110TRPBF场效应管参数-IRFL9110TRPBFMOS管

一、产品特征IRFL9110TRPBF场效应管是电子元件领域的重要代表之一。因其非凡的特性，它在市场上占据显赫的地位。作为一种P沟场效应管，不仅有着高性能的功率控制水准，并且在信号调理方面也发挥了优异的功效。在电子元件领域，它被普遍认为是一种靠谱、高效的部件，遭受方案工程师、技术人员和制造购置的欢迎。二、技术规格参数IRFL9110TRPBF参数显示了其出色的技术性能。做为P沟漏源场效应管，其具有100V漏源电压、3A持续漏极电流和10V、3A条件下的导通电阻为200mmΩ。该性能参数直接关系其在电路中的性能。通过对这些参数深入解读，我们能更 ...

2024

01-22

AO3402场效应管参数-AO3402MOS管

一、产品特征AO3402场效应管是电子元件领域的重要组成部分，具备独特而出色的特性。在市场中，以其高效的功率控制和信号调节功能而享有盛名。做为N沟场效应管，它在电子产业中发挥着主导作用。方案工程师、技术人员以及制造购置都将其视为优选之一。AO3402场效应管不但性能不凡，并且在电子元件领域也具备重要地位。二、技术规格参数AO3402参数显示了其出色的技术性能。该场效应管属于N沟漏源种类，具备30V漏源电压、6.5A持续漏极电流、10V、6.5A条件下的导通电阻为30mΩ。根据对这一性能参数深入解读，我们能更全面地了解P沟漏源电压、功率等关键性 ...

2024

01-22

SI1304BDL-T1-GE3场效应管参数-SI1304BDL-T1-GE3MOS管

一、产品特征SI1304BDL-T1-GE3场效应管是电子元件领域的中流砥柱。因其优异的性能和稳定性，它在市场上占有重要地位。作为一种具备创意设计的场效应管，在电子产业中提升。它不但具有高效的功率控制水准，并且具有较好的信号调节功能。这使得它变成方案工程师、技术人员和制造购置的首选之一。二、技术规格参数SI1304BDL-T1-GE3参数是充分了解场效应管特性的关键因素。做为N沟漏源场效应管，具备20V漏源电压和4A持续漏极电流。这些参数直接关系电路中效用管性能。通过对它性能参数的详细解读，我们能更全面地了解其P沟走电电压、功率以及导电电阻等 ...

2024

01-22

SI2309CDS-T1-GE3场效应管参数-SI2309CDS-T1-GE3MOS管

一、产品特征SI2309CDS-T1-GE3场效应管是电子元件领域备受瞩目的产品。其基本特点包含性能高、稳定性强，在市场中地位显著。方案工程师、技术人员和制造企业的买家都将其视为不可缺少的部件。以其优异的性能成功跻身电子元件行业，为用户提供不凡的使用体验。二、技术规格参数SI2309CDS-T1-GE3的技术规格参数显示了其优异的性能。这类P沟场效应管具备60V漏源电压(Vdss)，5.2A持续漏极电流(Id)，27W功率(Pd)，10V、3.2A时的导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)为50mΩ。三、工作原理及应用依据前沿场效应管技术， ...

2024

01-22

CJ2333场效应管参数-CJ2333MOS管

一、产品特征CJ2333场效应管管是电子元器件行业的真谛。其本质特征在市场中占有重要地位。以其优异的性能和稳定性而遭到方案工程师、技术人员和制造企业买家钟爱。做为电子元器件行业重要组成部分，其市场地位不可忽视。二、技术规格参数CJ2333参数显示了这款MOS管不凡之处。P沟漏源电压为30V，持续漏极电流做到5.6A，功率保证5.6A。最引人注意的是导通电阻，以46mm为载体Ω@10V性能显示了其在各类应用中的出色表现。这类性能参数不仅是其性能的体现，也是吸引技术人员和制造企业顾客的关键因素。三、工作原理及应用CJ2333工作原理源 ...

2024

01-22

IRFR9120NTRPBF场效应管参数-IRFR9120NTRPBFMOS管

一、产品特征IRFR9120NTRPBF场效应管是电子元件领域备受瞩目的产品。其基本特点包含性能高、稳定性强，广泛应用于各种电子设备中。在市场中，因其优异的性能和稳定的质量赢得了良好的口碑，变成行业领导者之一。IRFR9120NTRPBF场效应管做为方案工程师、技术人员和制造购置的首选，在电子领域发挥着不可替代的作用。二、技术规格参数IRFR9120NTRPBF的技术参数接着在许多情况下提升。P沟漏源电压、持续漏极电流、功率、导电阻等关键参数详尽清楚地显示了其出色的性能。P沟漏源电压为100V，持续漏极电流达到8.8A，功率保证1.1W，在1 ...

2024

01-17