技术文章 - 深圳市兆信半导体有限公司

IRFL9014TRPBF场效应管参数-IRFL9014TRPBFMOS管

一、产品特征IRFL9014TRPBF场效应管是电子元件领域的瑰宝，以其出色的特性在市场中占有重要地位。其基本特点包含P沟设计，具有高漏源电压、持续漏极电流和低导电阻。在电子元件领域，它不但突出了其优秀的技术实力，并且在市场中也突出了其无可替代的地位。它的重要性不仅在于其技术特征，更在于其在电子领域的广泛运用。二、技术规格参数IRFL9014TRPBF参数显示了P沟场效应管的出色性能。漏源电压高达60V，持续漏极电流可达7A，导通电阻为10V、7A时仅是55mΩ。该性能参数促进在电子设计中具有优良的功率传输和稳定性。方案工程师和技术人员能够更 ...

2024

01-24

AO4407A场效应管参数-AO4407AMOS管

一、产品特征AO4407A场效应管是电子元件领域的明星产品，以独特的特性在市场中占有重要地位。其基本特点包含高性能P沟设计，具有优良的走电电压、持续漏电电流和导电电阻。在电子元件行业，它不仅体现了优秀的技术水准，并且在各种应用场景中发挥出色，变成方案工程师和制造购置的首选。其重要性不仅在于其技术特征，更在于其在电子领域的广泛运用。二、技术规格参数AO4407A参数显示了MOS管强劲特点。P沟漏源电压达到30V，持续漏极电流可达11.6A，导通电阻为10V、11.6A时间只有12.5AmΩ。这些参数促进其在各类电子电路中具有优良的功率传输和稳定 ...

2024

01-24

SI2307DS-T1-GE3场效应管参数-SI2307DS-T1-GE3MOS管

一、产品特征SI2307DS-T1-GE3场效应管，作为电子元件领域的关键组成部分，具备独特而卓越的特性。其基本特性在市场中占据重要地位，为方案工程师、技术人员和制造企业采购提供了不可或缺的支持。它在电子元件领域的重要性不可低估。二、技术规格参数SI2307DS-T1-GE3的技术规格参数展示了其卓越的性能。作为P沟道场效应管，其漏源电压(Vdss)可达30V，连续漏极电流(Id)为5.6A。这些参数决定了它在电子电路中的广泛应用，尤其在对功率和电阻有严格要求的场景中表现突出。三、工作原理及应用1. 工作原理SI2307DS-T1 ...

2024

01-24

FDS8960C-NL场效应管参数-FDS8960C-NLMOS管

一、产品特征FDS8960C-NL场效应管作为电子元件领域的重要组成部分，其基本特性不可忽视。市场上，其凭借其卓越的性能和广泛的应用领域稳坐行业要角。在电子元件领域中，以其卓越的可靠性和性能，为方案工程师、技术人员和制造企业采购提供了关键支持。二、技术规格参数FDS8960C-NL的技术规格参数极具吸引力。拥有1个N沟道和1个P沟道，其漏源电压(Vdss)可达30V，连续漏极电流(Id)为8A，而导通电阻(RDS(on))在不同电压下分别为18mΩ。这些精确的技术参数使得它在各种电子应用中表现出色，如电源管理系统和音频放大电路。三 ...

2024

01-24

NDS331N-NL场效应管参数-NDS331N-NLMOS管

一、产品特征NDS331N-NL场效应管做为电子元件领域的重要组成部分，其基本特点不可忽视。其突显的市场地位在出色的性能和广泛应用领域。因其稳定性和稳定性而著称，是解决方案工程师和技术人员的优选部件之一。他在各种电路中的运用都不错，为制造和采购增添了靠谱的挑选。二、技术规格参数NDS331N-NL的技术规格参数详尽而精确。N沟漏源电压为20V，持续漏极电流为6A，Vgs导通电阻为4.5V，当Id为6A时，仅有28mΩ。这些参数促进其在各类电子应用中发挥出色的性能。P沟走电电压、功率以及导电阻等数据为工程师和技术人员提供了大量的信息，使之更好地 ...

2024

01-24

MMBF170LT1G场效应管参数-MMBF170LT1GMOS管

一、产品特征MMBF170LT1G场效应管是一种备受瞩目的电子元件，其基本特点、市场地位与在电子元件行业功效已成为方案工程师、技术人员和制造企业买家优选。MMBF170LT1G场效应管的基本特点包含出色的性能、稳定性和可靠性。作为一种N沟场效应管，它具有良好的漏源电压(Vdss)：60V，持续漏极电流(Id)：250mA，功率(Pd)：300mW，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.8Ω@10V,200mA。这些特性促进其在电子元件行业占有重要地位。二、技术规格参数对MMBF170LT1G性能参数的详细解读是了解其性能的关键。N沟场 ...

2024

01-24

IRLML5203TRPBF场效应管参数-IRLML5203TRPBFMOS管

一、产品特征在电子元件行业，IRLML5203TRPBF场效应管因其优异的性能和广泛应用而著称。该场效应管不但具有高度的可靠性和稳定性，并且在市场中占有重要地位。其基本特点使之成为方案工程师、技术人员和制造企业买家优选。二、技术规格参数IRLML5203TRPBF性能参数为P沟漏电压(Vdss)：持续漏极电流30V(Id)：5.6A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：46mΩ@10V,5.6A。这一关键参数取决于电路中效用管特点。P沟漏电压设为30V，主要应用于电子元器件的设计。此外，5.6A的持续漏极电流以及46mΩ在功率传输和电流 ...

2024

01-24

SI2305CDS-T1-GE3场效应管参数-SI2305CDS-T1-GE3MOS管

一、产品特征SI2305CDS-T1-GE3场效应管是电子领域的关键构成部分，具有以下重要特性：该场效应管不但在P沟走电电压方面发挥出色功效，完成20V，并且持续漏电电流做到5A，为电子商品提供了强大的功率运用。在市场中，它的市场地位明显，广泛用于方案工程、领域以及制造购置。它在电子元件行业内的功效不可忽视，为各类应用提供了高效、靠谱解决方案。二、技术规格参数SI2305CDS-T1-GE3参数显示了这款MOS管卓越性能。做为P沟场效应管，其走电电压(Vdss)完成20V，持续漏极电流(Id)可达5A，功率(Pd)为2.5W，而导通电阻(RD ...

2024

01-24

FDD4243场效应管参数-FDD4243MOS管

一、产品特征FDD4243场效应管是电子元件行业的真谛，因其非凡的特性，在市场中长期处于领先地位。其基本特点使之备受方案工程师、技术人员以及制造和采购的喜欢。它在电子元件领域中发挥着很重要的作用，为提升各种设备的性能做出了巨大贡献。二、技术规格参数FDD4243参数丰富，包含P沟漏源电压(Vdss)：持续漏极电流40V(Id)：50A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：12mΩ@10V，50A。该技术规格显示了其在P通道泄露电压、持续漏电流、功率和导电电阻方面的出色性能，以满足不同电子元件标准化规定。三、工作原理及应用1. ...

2024

01-24

SI2347DS-T1-GE3场效应管参数-SI2347DS-T1-GE3MOS管

一、产品特征SI2347DS-T1-GE3场效应管是电子元件行业的一颗璀璨明星。其基本特点进而在市场中出类拔萃，备受方案工程师、技术人员以及制造购置的追捧。它以其优异的性能和多功能化，成为很多电子设备不可缺少的重要构成部分。二、技术规格参数SI2347DS-T1-GE3参数全面详尽，包含P沟漏源电压(Vdss)：持续漏极电流30V(Id)：5.6A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：46mΩ@-30V沟，-5.6A,46mΩ@-10V。该技术规格促进其在P沟走电电压、持续漏电电流、功率和导电电阻方面表现优良，满足不同电子元件标准化规定 ...

2024

01-23