技术文章 - 深圳市兆信半导体有限公司

SI6926ADQ-T1-GE3场效应管参数-SI6926ADQ-T1-GE3MOS管

一、产品特征SI6926ADQ-T1-GE3场效应管，作为电子元件领域的一颗明星，具备着独特的特性。其市场地位显赫，不仅因为其可靠性和高性能，更因其在各类电子设备中的广泛应用。这款MOS管以其卓越的基本特性在市场上脱颖而出，不仅在电源管理、功率放大和信号处理等领域占有一席之地，更在创新领域中崭露头角。它承载着电子元件领域中的重要性，为工程师和技术人员提供了一个强大而可靠的选择。二、技术规格参数SI6926ADQ-T1-GE3的技术规格参数可谓令人瞩目。它属于2个N沟道MOS场效应管，具备出色的漏源电压(Vdss)为25V和连续漏极电流(Id) ...

2024

01-30

SQD50N06-09L场效应管参数-SQD50N06-09LMOS管

一、产品特征SQD50N06-09L场效应管是一款在电子元件领域中备受瞩目的产品。其基本特性包括高性能、可靠性强，具备N沟道MOS结构，能够在广泛的电子应用中发挥卓越的作用。在市场上，它以其稳定性和高效能性能，赢得了广泛的认可，成为方案工程师、技术人员以及制造企业采购的首选之一。其重要性不仅在于其卓越的性能，更在于其在电子元件领域中的多方位应用。二、技术规格参数SQD50N06-09L的技术参数展现了其在N沟道场效应管领域的卓越表现。具体而言，其漏源电压(Vdss)为60V，连续漏极电流(Id)为50A，功率(Pd)为136W，导通电阻(RD ...

2024

01-30

NTD3055L170T4G场效应管参数-NTD3055L170T4GMOS管

一、产品特征NTD3055L170T4G场效应管是一款在电子元件领域中备受推崇的N沟道MOS管。其基本特性包括高达60V的漏源电压和16.9A的连续漏极电流。在市场上，它以其卓越的性能和可靠性稳坐行业要角。方案工程师、技术人员以及制造企业采购人员纷纷选择它，将其应用于各种电子设计中，确保系统性能的稳定和高效。二、技术规格参数NTD3055L170T4G参数的详细解读对于了解其性能至关重要。作为一款N沟道MOS管，拥有出色的技术参数，如73mΩ的导通电阻，使其在高功率应用中表现出众。通过合理配置P沟道漏源电压、连续漏极电流和功率等参数，方案工程 ...

2024

01-30

IRFR1205TRPBF场效应管参数-IRFR1205TRPBFMOS管

一、产品特征在电子元件领域中，IRFR1205TRPBF场效应管以其卓越的性能和可靠性广受认可。作为一款N沟道MOS管，其基本特性包括60V的漏源电压和35A的连续漏极电流。其场效应管在市场上的地位十分显赫，成为方案工程师、技术人员以及制造企业采购人员的首选之一。其重要性体现在其稳定性、高性能以及在电源管理、信号放大等领域中的广泛应用。二、技术规格参数IRFR1205TRPBF参数的详细解读对于深入了解其性能至关重要。作为一款N沟道MOS管，它具备60V的漏源电压和35A的连续漏极电流。这些参数不仅决定了其在电子元件领域中的应用范围，同时为方 ...

2024

01-30

AO7401场效应管参数-AO7401MOS管

一、产品特征AO7401场效应管做为电子元件行业的重要组成部分，以独特的特征和广泛应用在市场中占有重要地位。该场效应管不仅有着高效化，并且在电子设计中起到主导地位。其基本特点和市场地位使其变成方案工程师、技术人员以及制造企业的采购员不可忽视。它的重要性在于它不仅有着可靠性和高性能，并且可在各种电子应用中实现独特的作用。二、技术规格参数深入了解AO7401的技术规格是理解其性能的关键。它是一款P沟道MOS管，具有20V的漏源电压、1.4A的连续漏极电流、400mW的功率以及80mΩ@4.5V,1.4A的导通电阻。这些参数不仅是其卓越性能的体现， ...

2024

01-30

BSP110场效应管参数-BSP110MOS管

一、产品特征BSP110场效应管作为电子元件领域的瑰宝，以其卓越的性能和广泛的应用而备受瞩目。该场效应管不仅具备高度稳定的性能，而且在市场中享有卓越的地位。其基本特性包括N沟道类型，漏源电压(Vdss)达到了令人瞩目的100V，连续漏极电流(Id)达到5A，而导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)则令人印象深刻，为100mΩ@10V,5A。这使得其场效应管在电子元件领域中的地位愈加重要。二、技术规格参数深入了解BSP110的技术规格参数，是为了更好地把握这一强大元件的优越性能。作为N沟道场效应管，其漏源电压(Vdss)达到100V，连续漏极 ...

2024

01-30

APM2701ACC-TRG场效应管参数-APM2701ACC-TRGMOS管

一、产品特征APM2701ACC-TRG场效应管在电子元件行业起着重要作用。其基本特点包含1个N沟和1个P沟，漏源电压为20V、持续漏极电流为4.2A。在市场中，因其出色的稳定性和性能，变成方案工程师、技术人员和制造购置的首选。在电子元件行业，它的重要性不可忽视，其特点在各类运用中提升。二、技术规格参数APM2701ACC-TRG的技术参数增添了深入的把握。MOS管的关键技术规格包含1个N沟和1个P沟，漏源电压为20V、持续漏极电流为4.2A、导电阻为36mΩ@4.5V, 4.2A。这些参数不但体现了它的强大特性，并且为解决方案工程师和技术人 ...

2024

01-30

XP152A12C0MR场效应管参数-XP152A12C0MRMOS管

一、产品特征XP152A12C0MR场效应管是电子元件领域中的一颗明星。其基本特性包括P沟道类型、漏源电压为20V、连续漏极电流为5A。在市场上，它凭借其稳定性和卓越性能赢得了广泛认可，成为方案工程师、技术人员和制造企业采购的首选之一。其在电源、电机控制等领域的广泛应用，进一步突显了其在电子元件领域中的重要性。二、技术规格参数XP152A12C0MR的技术参数为P沟道、20V漏源电压、5A连续漏极电流。这些技术规格使得XP152A12C0MR在各种电子应用中表现卓越。漏源电压和漏极电流的平衡，使得它适用于要求较低功率消耗的场景。同时，其高达2 ...

2024

01-30

AO4805&19场效应管参数-AO4805&19MOS管

一、产品特征AO4805&19场效应管做为电子元件领域的重要组成部分，具备突出的特点和市场地位。其基本特点包含独特工作原理和高度平稳性能，在电子元件中占有重要地位。在市场中，它因其稳定性和普遍适用性而成为很多方案工程师和技术人员的优选。在电子元件领域，它的重要性不可小觑，其稳定性和可靠性为各类项目提供了坚实的运用。二、技术规格参数AO4805&19的技术规格参数展现了其在不同应用场景中的卓越性能。该场效应管属于2个P沟道类型，具有30V的漏源电压(Vdss)和8.3A的连续漏极电流(Id)。此外，其功率和导通电阻等参数进一步突 ...

2024

01-29

AP2306AGN场效应管参数-AP2306AGNMOS管

一、产品特征AP2306AGN场效应管是一款在电子领域备受瞩目的组件。其基本特性展现出了卓越的性能，将其市场地位提升至不可忽视的高度。作为电子元件领域的关键组成部分，它在各种应用场景中发挥着重要作用。其特色设计和可靠性使其成为方案工程师、技术人员以及制造企业采购的首选。二、技术规格参数AP2306AGN的关键技术参数为N沟道漏源电压（Vdss）：30V，连续漏极电流（Id）：6.5A，导通电阻（RDS(on)@Vgs,Id）：30mΩ@10V,6.5A。这些参数的详细解读为电子工程领域的专业人员提供了充足的信息，尤其是N沟道漏源电压、连续漏极 ...

2024

01-29