技术文章 - 深圳市兆信半导体有限公司

2N65场效应管参数-2N65MOS管

一、产品特征2N65场效应管是电子元件领域的领军产品，以其独特特性在市场中占据重要地位。作为N沟道MOS管，它具备650V的漏源电压，2A的连续漏极电流，以及60W的功率，其导通电阻为3.8Ω@10V,3.1A。2N65的市场地位不仅源于其高性能，更是在电子元件领域中的不可替代地位。二、技术规格参数2N65参数的详细解读对于深入了解这一场效应管的性能至关重要。这款N沟道MOS管在电子领域中表现卓越，其650V的漏源电压和60W的功率使得它在各类电子应用中都能发挥强大作用。同时，其导通电阻为3.8Ω@10V,3.1A，保证了高效率的能量传输，为 ...

2024

02-01

AO3415A场效应管参数-AO3415AMOS管

一、产品特征AO3415A场效应管是电子元件领域的明星产品，以其卓越的特性在市场中占有重要地位。其基本特性包括P沟道类型，漏源电压（Vdss）达20V，连续漏极电流（Id）可达4.5A，功率（Pd）高达1.25W，导通电阻（RDS(on)@Vgs,Id）仅为35mΩ@10V,5.1A。它的重要性不仅体现在其高性能，更是在电子元件领域中的不可替代地位。二、技术规格参数AO3415A参数的详细解读对于深入了解这一场效应管的性能至关重要。这款P沟道MOS管以其20V的漏源电压，4.5A的连续漏极电流，以及35mΩ@10V,5.1A的导通电阻，展现出 ...

2024

02-01

SSC8022GS6场效应管参数-SSC8022GS6MOS管

一、产品特征SSC8022GS6场效应管是电子元件领域备受瞩目的产品。独特的特性进而在市场中占有重要地位。该场效应管不仅有着高性能，并且在电路原理中具有灵活性。其作为一种尖端的电子元件，其广泛运用给电子产业带来了许多创新。二、技术规格参数SSC8022GS6参数的详细解读对于了解这一场效应管的性能至关重要。该产品的类型为N沟道，漏源电压（Vdss）达到20V，连续漏极电流（Id）可达6A，功率（Pd）高达2.1W。导通电阻（RDS(on)@Vgs,Id）方面更是令人瞩目，仅为28mΩ@4.5V,5A。这些技术规格使得其在各种应用场景中表现卓越 ...

2024

02-01

FQD30N06场效应管参数-FQD30N06MOS管

一、产品特征FQD30N06场效应管作为一款引人注目的电子元件，在市场上扮演着重要的角色。其基本特性凸显在其N沟道设计中，使其具备出色的性能。市场上，因其可靠性和性能而备受青睐，特别是在电子元件领域中扮演着至关重要的角色。这款场效应管不仅在电源管理和驱动电路中广泛使用，而且在各种应用场景中展现出色的表现。市场地位突出，深受方案工程师、技术人员以及制造企业采购的青睐。二、技术规格参数FQD30N06作为N沟道场效应管，其技术规格参数确保了其卓越的性能。具备60V的漏源电压(Vdss)、35A的连续漏极电流(Id)以及25mΩ@10V,35A的导 ...

2024

02-01

IRF9310TRPBF&-9场效应管参数-IRF9310TRPBF&-9MOS管

一、产品特征IRF9310TRPBF&-9场效应管作为一款优秀的MOS管，在电子元件领域扮演着重要的角色。其独特的特性和市场地位使其备受方案工程师、技术人员以及制造企业采购人员的关注。它以其稳定性和高性能在市场上占据重要地位，成为电子元器件领域中备受推崇的产品。具有可靠性、高效能和多功能性，IRF9310TRPBF&-9场效应管是您电子工程的理想选择。二、技术规格参数IRF9310TRPBF&-9的技术参数如下：P沟道漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：13.5A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id ...

2024

02-01

CEA3055L场效应管参数-CEA3055LMOS管

一、产品特征CEA3055L场效应管是一款在电子领域备受瞩目的N沟道MOS管。其基本特性使其在市场上占据重要地位。具有60V的沟道漏源电压、8A的连续漏极电流和30mΩ@10V、8A的导通电阻，其不仅在电源设计和电路控制方面表现出色，而且在各种电子元件中发挥着不可替代的作用。二、技术规格参数CEA3055L参数的详细解读是了解其性能的关键。N沟道漏源电压为60V，连续漏极电流可达8A，而导通电阻(RDS(on))在10V、8A条件下为30mΩ。这些关键技术参数使其适用于各种电子应用场景，确保了在不同工作条件下的稳定性和可靠性。三、 ...

2024

02-01

SPD0P06PG场效应管参数-SPD0P06PGMOS管

一、产品特征做为电子元器件领域的重要组成部分，SPD30P06PG场效应管在市场中占有重要地位。具有高性能的P沟设计，该场效应管在电子元件中起主导作用。其出色的特性不仅包括可靠性和稳定性，并且在市场中获得普遍认可。SPD30P06PG场效应管作为一种关键的电子元件，在各类电路中起着重要作用，为现代电子产品的高效运行提供了坚实的运用。二、技术规格参数SPD30P06PG的技术参数展现了其在电子领域中的强大性能。作为P沟道场效应管，其设计具备60V的漏源电压、25A的连续漏极电流，以及38.5W的功率处理能力。导通电阻在10V、10A条件下仅为5 ...

2024

02-01

15N10场效应管参数-15N10MOS管

一、产品特征15N10场效应管在电子元件行业拥有独特的特性，性能和稳定性出色，在市场中确立显著的位置。该场效应管具有高导电性和可靠性，是方案工程师、技术人员以及制造和采购的首选。它不但在电池管理和功率放大方面发挥了出色的功效，并且其市场地位不断发展，为电子元件行业带来了新的发展机遇。二、技术规格参数15N10的技术参数是其引人注目之处。作为N沟道场效应管，其漏源电压(Vdss)为100V，连续漏极电流(Id)为15A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)为114mΩ@10V,15A。这些技术参数确保其在不同工作条件下都能提供出色的性能。漏 ...

2024

02-01

FDN302P场效应管参数-FDN302PMOS管

一、产品特征FDN302P场效应管是电子元件领域的真谛。其本质特征的一种表现进而在市场中占据显著的位置。它不但以其稳定性和可靠性而遭到高度评价，并且在电子元件领域中发挥着不可或缺的作用。其市场地位突出了其在各类电子设备里的广泛运用，为方案工程师、技术人员和制造业购置增添了最佳选择。二、技术规格参数FDN302P参数的解读揭示了其卓越的技术实力。作为P沟道场效应管，其漏源电压(Vdss)达到20V，连续漏极电流(Id)可达5A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)仅为43mΩ@4.5V,5A。这一系列参数的卓越表现，使它在同类产品中独具竞争 ...

2024

01-31

STN3NF06L场效应管参数-STN3NF06LMOS管

一、产品特征STN3NF06L场效应管做为电子元件领域的杰出代表，以独特的特性在市场中占有重要地位。其稳定性、可靠性等基本特点在电子元件领域备受推崇。它的市场地位不但源于其卓越的性能，都是电子元件领域不可或缺的一部分。二、技术规格参数STN3NF06L参数展示了其在电子领域中的卓越性能。作为N沟道场效应管，其漏源电压(Vdss)高达60V，连续漏极电流(Id)强劲达到7A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)仅为29mΩ@10V,7A。这一系列参数的卓越配置，使STN3NF06L在同类产品中脱颖而出。详细解读这些技术参数，我们将更深入地理 ...

2024

01-31