技术文章 - 深圳市兆信半导体有限公司

IRF7425TRPBF场效应管参数-IRF7425TRPBFMOS管

一、产品特征IRF7425TRPBF场效应管是电子领域的关键构成部分，其不凡特点和市场地位在电子元件行业里发挥着不可替代的作用。他以其先进技术和稳定性，成为很多电子工程师和厂家的首选。在各类电子设备中，其突出了优异的性能，为实现高效能耗和卓越性能的商品增添了稳定可靠的运用。二、技术规格参数IRF7425TRPBF的技术参数显示了其在电子设计中的强劲水准。作为一种P沟场效应管，其具有30V漏源电压，13.5A持续漏极电流。这一性能参数促进其在各类电路原理中实现出色功效。不论是节能型设备还是高性能电子系统，都能提供优异的性能和稳定性。 ...

2024

02-09

SI2328DS场效应管参数-SI2328DSMOS管

一、产品特征SI2328DS场效应管做为电子领域的艺人部件，因其出色特点和市场地位，在行业中独树一帜。其基本特点包含先进技术和很强的可靠性，是方案工程师、技术人员和制造购置的首选之一。在如今的电子元件行业，它的重要性不可忽视。二、技术规格参数SI2328DS的技术参数显现出其强大的特性。N沟场效应管具备100V泄露电压、2A持续泄露电级电流和2.5W功率。核心电阻参数为240mΩ@10V, 1.5A。这一技术参数促进其在各类电子设计中发挥出色，为各种应用提供了可靠的运用。三、工作原理及应用1. 工作原理SI2328DS工作原理是基 ...

2024

02-09

FDD6685场效应管参数-FDD6685MOS管

一、产品特征FDD6685场效应管做为电子领域的重要组成部分，在市场中具备突出的特点和显著的位置。其基本特点包含先进技术和稳定性，变成方案工程师、技术人员和制造采购的首选。它在电子元件行业的重要性不可小看。二、技术规格参数FDD6685的技术参数显现出其强大的特性。该P沟场效应管具备30V泄露电压、40A持续漏电流和10V、40A条件下的导通电阻为18mΩ。这一技术参数促进在各类电子设计中发挥出色，为各种应用提供了可靠的运用。三、工作原理及应用1. 工作原理FDD6685工作原理是基于其P沟场效应管设计。FDD6685通过对漏源电 ...

2024

02-09

FDD5614P场效应管参数-FDD5614PMOS管

一、产品特征FDD5614P场效应管以其卓越的性能和可靠性在电子元件领域中占据重要地位。作为先进的P沟道场效应管，它不仅具备卓越的市场地位，还在众多应用场景中展现了其重要性。其基本特性包括高达60V的漏源电压，持续漏极电流可达30A，以及在10V时的导通电阻为仅61mΩ。这使得其成为电子工程师和制造企业采购的首选之一。二、技术规格参数详细解读FDD5614P的技术参数是理解其性能的关键。作为P沟道场效应管，它的漏源电压高达60V，可持续漏极电流达30A，而在10V时的导通电阻仅为61mΩ。这些技术规格赋予了它出色的功率传输能力和稳定性，使其在 ...

2024

02-09

NDS8435A场效应管参数-NDS8435AMOS管

一、产品特征NDS8435A场效应管作为电子元件领域的关键组件，具有出色的产品特性。其基本特性包括高性能的P沟道漏源电压（Vdss），达到30V，以及强大的连续漏极电流（Id）为9A。在电子元器件领域，它以其高可靠性和卓越性能，享有显著的市场地位。作为电路设计中的关键组成部分，它在方案工程、技术人员和制造企业采购方中都具有重要性。二、技术规格参数NDS8435A的技术规格参数为其在电子设计中的成功运用提供了坚实基础。作为P沟道场效应管，它不仅具有30V的漏源电压（Vdss）和9A的连续漏极电流（Id），还拥有出色的功率表现，达到4.2W。导通 ...

2024

02-09

FDG6332C场效应管参数-FDG6332CMOS管

一、产品特征FDG6332C场效应管是电子领域的瑰宝，其基本特性凸显了其在市场中的重要性。这款场效应管以其卓越的性能在电子元件领域占据着显赫地位。其出色的特性包括（在字数允许的范围内）：高度稳定的工作、卓越的电气性能、以及广泛适用于各种电子应用。它的独特之处，使其在电子领域中成为不可或缺的组成部分，为工程师、技术人员和制造企业采购提供了强大的支持。二、技术规格参数FDG6332C参数堪称MOS管中的佼佼者，其详细技术规格为：N+P沟道、±20V电压、2.5/-1.5A电流、RDS(ON) 130/230mΩ@4.5V、160/280mΩ@2. ...

2024

02-09

12N10场效应管参数-12N10MOS管

一、产品特征12N10场效应管作为电子领域的一颗明珠，其基本特性凸显了其在市场中的独特地位。以其卓越的性能，在电子元件领域中占有重要地位。其优越的特性包括高功率、稳定可靠、市场认可度高。它的独特之处，使得它在电子领域中成为不可或缺的组成部分，为方案工程师、技术人员和制造企业采购提供了卓越的选择。二、技术规格参数12N10参数堪称MOS管中的佼佼者，其详细技术规格为：N沟道、漏源电压(Vdss)：100V、连续漏极电流(Id)：15A、功率(Pd)：3W、导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：114mΩ@10V, 3A。这一系列 ...

2024

02-09

AO3460场效应管参数-AO3460MOS管

一、产品特征AO3460场效应管是电子领域的重要组成部分，具备突出的特点。其市场地位突显，已成为很多电子元件设计的首选。AO3460因其卓越的性能和稳定性，为电子产业提供了靠谱解决方案。在电池管理、放大仪和开关电源行业，它的优异性能获得了广泛的认可，为各类电子产品高效工作提供了关键的使用。二、技术规格参数AO3460的技术参数使之才华横溢。做为N沟场效应管，其具有60V漏源电压、250mA持续漏极电流、10V、2.85A情况下的0.25A标准Ω导通电阻。这些参数不但显示了其高性能，而且使其在各类电路原理中发挥了出色的功效。它在节能型设备和高性 ...

2024

02-09

NTD24N06LT4G场效应管参数-NTD24N06LT4GMOS管

一、产品特征NTD24N06LT4G场效应管，作为电子领域的瑰宝，以其卓越的特性在市场中屹立不倒。N沟道设计赋予了它60V的漏源电压、35A的连续漏极电流和25mΩ@10V,35A的导通电阻等出色性能。在电子元件领域中，它凭借其高性能和可靠性，成为方案工程师、技术人员和制造企业采购人员追逐的焦点，为电子技术的发展提供了坚实支持。二、技术规格参数NTD24N06LT4G参数的详细解读对于深入了解其性能至关重要。这款N沟道MOS管以60V的漏源电压、35A的连续漏极电流以及25mΩ@10V,35A的导通电阻引领潮流。高漏源电流和低导通电阻保证了在 ...

2024

02-08

SI4401BDY-T1场效应管参数-SI4401BDY-T1MOS管

一、产品特征SI4401BDY-T1场效应管作为一种出色的电子元件，因其非凡的特性在市场中占有重要地位。其独特的设计和稳定性使之成为电子元件行业的热门选择。其不但性能出色，并且广泛用于很多主要用途。做为方案工程师、技术人员以及制造企业的采购员，对它的特征有一个深入的了解，对于选择与应用这一核心部件至关重要。二、技术规格参数SI4401BDY-T1的技术规格让其在众多场景中脱颖而出。作为一款P沟道场效应管，它具有40V的漏源电压、16.1A的连续漏极电流、6.3W的功率，并且在10V、10.2A时具有极低的导通电阻（RDS(on)）仅为10mΩ ...

2024

02-08