技术文章 - 深圳市兆信半导体有限公司

SI2323DS-T1-GE3场效应管参数-SI2323DS-T1-GE3MOS管

一、产品特征SI2323DS-T1-GE3场效应管是一款P沟道MOS管，在电子元件领域中扮演着重要的角色。其市场地位突出，凭借独特的特性在行业内备受瞩目。该场效应管具有高性能、稳定性和可靠性，广泛应用于各种电子设备中，满足了方案工程师、技术人员和制造企业采购的高要求。它以其卓越的性能成为电子元器件领域不可或缺的一部分。二、技术规格参数SI2323DS-T1-GE3作为P沟道MOS管的代表，其技术规格展现出其在电路设计中的强大威力。具有30V的漏源电压和5.6A的连续漏极电流，它适用于各种电源管理和开关控制电路。其性能参数的详细解读为工程师提供 ...

2024

02-12

SI9945BDY-T1-E3场效应管参数-SI9945BDY-T1-E3MOS管

一、产品特征SI9945BDY-T1-E3场效应管，作为电子元件领域的佼佼者，展现出独特而卓越的特性。其市场地位备受瞩目，成为方案工程师、技术人员以及制造企业采购的首选。它以其稳定性和可靠性，在电子领域中扮演着至关重要的角色。其先进技术和卓越性能使其在市场上脱颖而出，成为众多专业人士推崇的选择。二、技术规格参数SI9945BDY-T1-E3参数展示了其在电子领域中的卓越表现。这款2个N沟道场效应管拥有60V的漏源电压、7A的连续漏极电流，为其在高电压和高电流环境下的应用提供了强大支持。它的技术参数不仅反映了其高性能，更为方案工程师和技术人员提 ...

2024

02-12

AO4409效应管参数-AO4409MOS管

一、产品特征AO4409场效应管，作为电子元件领域的重要代表，凭借其独特的特性在市场上占据着重要地位。其基本特性如漏源电压、漏极电流等方面的优越性，使得它成为方案工程师、技术人员以及制造企业采购的首选。在电子领域中，它以其可靠性和灵活性，为众多电路设计提供了强大的支持，为行业的不断创新铺平了道路。二、技术规格参数AO4409是一款P沟道MOS管，其技术规格参数展现了其卓越性能。拥有30V的漏源电压、13.5A的连续漏极电流以及在10V时仅为11mΩ的导通电阻（RDS(on)@Vgs,Id），这些参数彰显了其在高电压和高电流应用中的出色表现。详 ...

2024

02-12

AO4435场效应管参数-AO4435MOS管

一、产品特征AO4435场效应管是电子元件领域的瑰宝，以其优异的性能和广泛应用而著称。它做为市场领先的组成部分之一，在电子设备中发挥着不可替代的作用。其出色的导电阻、P沟设计和稳定的走电电压使之成为方案工程师和技术人员的优选部件之一。它的重要性不仅体现在其强大的特性上，更体现在其在很多电子元件中的重要地位上，为各类电子设备提供可靠的运用。在市场中，AO4435场效应管凭借出色表现早就成为业内的佼佼者。二、技术规格参数AO4435参数展示了这款场效应管的强大技术实力。P沟道设计赋予它30V的漏源电压，9A的连续漏极电流，以及在10V电压下，9A ...

2024

02-11

FDN302P-NL场效应管参数-FDN302P-NLMOS管

一、产品特征FDN302P-NL场效应管做为电子元件领域的瑰宝，以其卓越的性能和广泛应用而备受关注。在市场中，它以其出色的场效应管特点，变成方案工程师、技术人员和制造购置团队的首选之一。其市场地位不仅体现在其高度集成的特征上，更体现在它在电子元件领域的重要地位上，为各类电子设备提供了强大的运用。FDN302P-NL场效应管是电子领域的艺人。二、技术规格参数FDN302P-NL参数展示了这款场效应管的卓越技术实力。P沟道设计赋予它20V的漏源电压，以及在5A电流下的稳定连续漏极电流。这些参数不仅体现了它在高电压和大电流环境下的卓越表现，同时也是 ...

2024

02-11

AP40T10GH场效应管参数-AP40T10GHMOS管

一、产品特征AP40T10GH场效应管，作为电子元件领域的明星之一，具有卓越的产品特性。市场上，它以其高性能和可靠性，成为方案工程师、技术人员和制造企业采购团队的首选。其市场地位突出，为电子元件领域注入了新的活力。AP40T10GH场效应管不仅仅是一款电子元器件，更是推动科技进步的引擎。二、技术规格参数AP40T10GH参数展示了这款场效应管的卓越技术实力。作为N沟道设计，其漏源电压(Vdss)达到100V，连续漏极电流(Id)可达40A。而其在10V的情况下，导通电阻(RDS(on))仅为30mΩ，具备卓越的电性能。这些技术参数使其适用于高 ...

2024

02-11

SI9933ADY-T1-E3场效应管参数-SI9933ADY-T1-E3MOS管

一、产品特征SI9933ADY-T1-E3场效应管，做为电子元件领域的瑰宝，具有突出的产品优势。在电子元件市场中，它因其优异的性能和稳定性，占据着重要的市场地位。他在电子元件行业内的功效不可忽视，变成方案工程师、技术人员以及制造购置的首选。SI9933ADY-T1-E3场效应管不仅是一种电子产品，更是推动科技创新的先锋。二、技术规格参数SI9933ADY-T1-E3参数展示了这款场效应管的卓越技术实力。作为2个P沟道设计，其漏源电压(Vdss)达到30V，连续漏极电流(Id)可达7.3A。在10V的情况下，导通电阻(RDS(on))仅为29m ...

2024

02-11

FDN537N场效应管参数-FDN537NMOS管

一、产品特征FDN537N场效应管在电子元件行业里起着重要作用。其作为一种先进的场效应管，以独特的特性和可靠性在市场中占据显著的位置。其高度稳定的性能促进她在各种电子应用中备受方案工程师、技术人员以及制造购置的欢迎。该场效应管的基本特点不仅体现在其先进技术程度上，也体现在其在电路原理里的灵活应用上。二、技术规格参数FDN537N的参数是其引人注目之处。作为一款N沟道场效应管，其漏源电压(Vdss)为30V，连续漏极电流(Id)为6.5A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)为30mΩ@10V,6.5A。这些参数确保了在各种工作条件下都能够 ...

2024

02-11

P5504EDG场效应管参数-P5504EDGMOS管

一、产品特征P5504EDG场效应管是电子元件领域的璀璨明星。其基本特性不仅体现在40V的漏源电压和50A的连续漏极电流上，更在于其出色的市场地位。作为一款性能卓越的MOS管，它在电子元件领域中扮演着重要的角色，广泛应用于各种电路设计中。其卓越的性能使得它成为工程师和技术人员首选的元件之一，为电子设备的性能提升提供了强有力的支持。二、技术规格参数P5504EDG参数的详细解读是理解该场效应管的关键。这款MOS管不仅具备40V的沟道漏源电压和50A的连续漏极电流，还以3W的功率和低至12mΩ@10V,17A的导通电阻展现其出色的性能。这一系列参 ...

2024

02-11

IRFR120NTRPBF场效应管参数-IRFR120NTRPBFMOS管

一、产品特征IRFR120NTRPBF场效应管，作为电子元件领域的翘楚，具有令人瞩目的产品特性。其基本特性不仅体现在100V的漏源电压和15A的连续漏极电流上，更在于其市场地位的显赫。在电子元件领域，IRFR120NTRPBF场效应管因其卓越的性能而备受瞩目，为电路设计提供了强大的支持。其重要性不仅在于其可靠性，更体现在其在市场中的持续领先地位。二、技术规格参数IRFR120NTRPBF参数的详细解读是深入了解该场效应管的关键。这款MOS管不仅具备100V的沟道漏源电压和15A的连续漏极电流，还以114mΩ@10V,15A的导通电阻展现其卓越 ...

2024

02-11