技术文章 - 深圳市兆信半导体有限公司

DTU40N06场效应管参数-DTU40N06MOS管

一、产品特征DTU40N06场效应管作为一种重要的电子元件，在电子元件领域具有重要地位。其基本特性包括高达60V的N沟道漏源电压（Vdss），可连续承受35A的漏极电流（Id），以及在10V时的导通电阻仅为25mΩ。它在电源管理、电机驱动等领域中发挥着重要作用，为电路设计提供了可靠性和稳定性的保障。在市场上，因其稳定可靠的性能和广泛的应用领域而备受青睐，被广泛应用于各种电子设备和系统中。二、技术规格参数DTU40N06的技术参数如下：该场效应管采用N沟道设计，具有60V的漏源电压，能够承受高达35A的连续漏极电流。其在10V时的导通电阻为25 ...

2024

02-27

CES2331场效应管参数-CES2331MOS管

一、产品特征CES2331场效应管是电子元件领域中的重要组成部分。作为一种先进的MOS管，它以其稳定的性能和广泛的应用领域在市场上占据着重要地位。其特性包括高效的P沟道漏源电压（Vdss）达到30V，连续漏极电流（Id）可达5.6A，以及优异的导通电阻（RDS(on)@Vgs,Id）为46mΩ@10V,5.6A。这些特性使得其能够在各种电子电路中发挥重要作用，为工程师和技术人员提供了可靠的解决方案。二、技术规格参数CES2331参数的详细解读如下：该场效应管采用P沟道设计，具有30V的漏源电压，能够承受高达5.6A的连续漏极电流。其导通电阻在 ...

2024

02-27

Si4463CDY-T1-GE3场效应管参数-Si4463CDY-T1-GE3MOS管

一、产品特征Si4463CDY-T1-GE3场效应管作为一款P沟道MOS管，在电子元件领域中具有重要地位。其基本特性包括高性能、可靠性强以及广泛的应用范围。作为一种高性能MOS管，它在电子设备的功率管理、电源系统和驱动电路中发挥着不可替代的作用。二、技术规格参数Si4463CDY-T1-GE3参数反映了其卓越的技术性能。作为P沟道MOS管，其漏源电压（Vdss）高达30V，连续漏极电流（Id）可达13.5A。这些参数的优异表现保证了它在各种应用场景下的稳定性和可靠性。三、工作原理及应用1. 工作原理Si4463CDY-T ...

2024

02-27

MT2300ACTR场效应管参数-MT2300ACTRMOS管

一、产品特征MT2300ACTR场效应管是一款在电子元件领域中地位显要的器件。其基本特性包括高性能、可靠性强以及广泛的应用范围。作为一种N沟道MOS管，它在各种电子设备中扮演着重要角色，尤其在功率管理、电源系统和电机控制等领域有着广泛的应用。其稳定性和高效性使其成为电子行业中不可或缺的组成部分。二、技术规格参数MT2300ACTR参数反映了其卓越的技术性能。作为一款N沟道MOS管，其漏源电压（Vdss）为20V，连续漏极电流（Id）可达6A，功率（Pd）为2.1W，导通电阻（RDS(on)@Vgs,Id）为28mΩ@4.5V,5A。这些参数的 ...

2024

02-27

STS2306场效应管参数-STS2306MOS管

一、产品特征STS2306场效应管是一种在电子元件行业占据显著地位的机器。其主要特性包含先进技术、可靠的性能和广泛应用。其作为一种N通道MOS场效应管，具有较好的导通特征和节能型优势，在现代电子设备中起着重要作用。它在消费电子产品和工业控制行业发挥出色，为电子产业的发展提供了重要运用。二、技术规格参数STS2306参数展示了其卓越的技术优势。该器件的类型为N沟道，漏源电压（Vdss）为20V，连续漏极电流（Id）为6A，导通电阻（RDS(on)@Vgs,Id）为31.8mΩ@4.5V,6A。这些参数说明了它在高效能功率MOS管中的出色表现，使 ...

2024

02-26

NCE3080KA场效应管参数-NCE3080KAMOS管

一、产品特征NCE3080KA场效应管是电子元件领域的重要商品。其基本特点和市场地位已成为电路原理的重要组成部分。NCE3080KA以其稳定可靠的特性，广泛应用于各种电子设备中，为整个电子产业提供了重要的支持和保障。二、技术规格参数NCE3080KA参数方面，具有着30V的漏源电压和100A的连续漏极电流，同时功率达到235W。导通电阻在10V时为2mΩ，漏极电流为38.8A。这些参数展现了其在高电压、高电流环境下的稳定性和可靠性。这使得其能够在各种需要高功率、高性能的电子电路中发挥重要作用。三、工作原理及应用1. 工作 ...

2024

02-23

ZXMN4A06GTA场效应管参数-ZXMN4A06GTAMOS管

一、产品特征ZXMN4A06GTA场效应管是一款在电子元件领域中地位显著的产品。其基本特性和市场地位使其成为电路设计中不可或缺的一部分。它以其稳定可靠的性能，在各种应用场景下发挥着重要作用。作为一款N沟道MOS管，它在电子领域中的重要性不言而喻。不论是在工业控制、电源管理还是消费电子产品中，它都展现出了出色的表现。二、技术规格参数ZXMN4A06GTA参数方面，具有着60V的漏源电压和7A的连续漏极电流，同时导通电阻在10V的情况下为29mΩ。这些参数展现了其在高电压、高电流环境下的稳定性和可靠性。这些技术规格使得它能够广泛应用于各种需要稳定 ...

2024

02-23

NTR4503NT1G场效应管参数-NTR4503NT1GMOS管

一、产品特征NTR4503NT1G场效应管是电子元件领域中备受关注的产品之一。其基本特性体现在其高性能和可靠性。作为一款N沟道MOS管，其在电路设计中扮演着重要角色。市场地位凸显了其在现代电子设备中的重要性，不论是在消费类电子产品还是工业领域，它都承担着重要的功能，为各种电子设备的稳定运行提供了可靠的支持。二、技术规格参数NTR4503NT1G参数是了解该产品的关键。它是一款N沟道场效应管，具有30V的漏源电压（Vdss），6.5A的连续漏极电流（Id），以及在10V、3.2A时的导通电阻为30mΩ。这些参数直接影响着其在电路中的应用和性能表 ...

2024

02-23

AO3414场效应管参数-AO3414MOS管

一、产品特征AO3414场效应管是电子元件行业备受瞩目的产品。其基本特点表现在出色的性能和稳定的品质上。它做为N沟MOS管，在电路原理中起着重要作用。市场地位突出了其在现代电子设备中的作用。它在消费电子产品和工业领域里都起着重要作用，为各类电子产品高效运行提供了可靠的运用。二、技术规格参数AO3414参数是了解该产品的关键。它是一款N沟道场效应管，具有20V的漏源电压（Vdss），6A的连续漏极电流（Id），以及在4.5V、6A时的导通电阻为28mΩ。这些参数直接影响着其在电路中的应用和性能表现。漏源电压决定了其适用的工作电压范围，而连续漏极 ...

2024

02-23

SI3585DV-T1-E3场效应管参数-SI3585DV-T1-E3MOS管

一、产品特征SI3585DV-T1-E3场效应管作为一种重要的电子元件，在现代电子领域是至关重要的。其具备稳定性高、性能出色的特性，在市场中占据显著地位。广泛应用于各种电子设备中，包含电源管理系统、电动汽车控制系统等。它优异的性能可靠性使之成为诸多方案工程师、技术人员和制造企业买家优选之一。二、技术规格参数SI3585DV-T1-E3采用N+P沟道设计，最大漏极电压(Vds)为20V，最大连续漏极电流(Id)为4.2A，导通电阻(RDS(on))为36mΩ@4.5V。反向漏极电压(Vgs)为-20V，最大反向漏极电流(Id)为-2.5A，导通 ...

2024

02-23