辉达新晶片“早到” 台链受惠

                                                                                                                辉达新晶片“早到” 台链受惠

                                        韩媒爆料，三星加快下世代高频宽记忆体（HBM）开发脚步，原本计划今年上半年量产第五代HBM产品“HBM3E”，并于下半年量产第六代产品“HBM4”，如今将HBM4量产时程提早至上半年。

                                        HBM4是三星为辉达下世代AI晶片“Rubin”平台设计，三星HBM4量产脚步提前，意外曝光辉达下世代Rubin将提早半年、于今年第3季问世，业界预期将掀起新一波AI伺服器建置热潮，鸿海是辉达最重要合作伙伴，成为最大赢家，广达、纬创、英业达等也可望受惠。

                                        法人分析，辉达下世代Rubin平台複杂度升高，整合价值提升，代工厂不仅在辉达供应链扮演的角色更重要，平均出货单价（ASP）也可望持续提升，大幅挹注伺服器代工厂营收。

                                        广达之前曾透露，辉达下世代AI伺服器平均销售单价估将较前一代成长二至三倍，由于零组件成本高昂、产品架构複杂度提高，客户希望广达在量产前预先储备关键零组件库存，确保关键零组件供应顺利及顺利交货。

                                        韩媒New Daily报导，根据半导体产业消息，三星原本计划在上半年全面量产供应辉达的第五代HBM、即所谓的HBM3E产品，并于下半年开始量产下一代产品HBM4，但考量市场情势，三星已调整目标，有意将HBM4提前约六个月完成量产认证。

                                        辉达加快其AI加速器的研发速度，可能是三星决定提前量产HBM4的主因。辉达原定于明年推出的下一代AI加速器Rubin，预料将提前至今年第3季发布。

                                        Rubin每台设备将配备八颗HBM4记忆体，开启HBM4时代。因此，各HBM制造商也正调整研发与量产的时间表，以配合辉达新品推出。

                                        辉达执行长黄仁勳去年6月在台发表主题演讲时，首度透露辉达下世代AI晶片为Rubin平台，将会搭配最新的高频宽记忆体HBM4，黄仁勳当时预告，Rubin平台预计2026年问世。

                                        辉达官方尚未正式宣布Rubin平台所採用的制程，但外界大多推估为台积电3奈米制程。