二极管-三极管-晶体管-MOS场效应管-桥堆生产厂家-深圳兆信半导体MXsemi

SOP-8

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晶体管

3000个/圆盘

STS2DNF30L是一款高性能N+N沟道MOSFET，采用紧凑型SOP-8封装，专为现代电子设备提供高效的功率控制解决方案。主要特性包括最大工作电压VDSS高达30V，具备6A的连续漏极电流能力，确保强大电流处理性能；其25mΩ的低导通电阻RD(on)设计，有效降低功耗，提升整体能效。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，是您追求高集成度与节能效果的理想MOS管选择。

IRF7303PBF

SOP-8

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晶体管

3000个/圆盘

IRF7303PbF是一款高性能N+N沟道MOSFET，采用紧凑型SOP-8封装，专为现代电子设备设计，提供卓越的功率控制性能。其关键技术参数包括最大工作电压VDSS为30V，可稳定处理6A的漏极电流，满足高电流需求；导通电阻RD(on)仅为25mΩ，有效降低功耗并提升系统能效。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，是您实现高集成度与节能目标的理想MOS管选择。

SI4936CDY-T1-GE3

SOP-8

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晶体管

3000个/圆盘

SI4936CDY-T1-GE3是一款高性能N+N沟道MOSFET，采用标准SOP-8封装，专为现代电子设备提供强大电流处理能力。其核心优势在于最大工作电压VDSS高达30V，可承载6A连续漏极电流，满足高功率需求；导通电阻RD(on)低至25mΩ，有效减少系统功耗，提高能效。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，是您实现高效、节能设计的理想MOS管器件选择。

FDY300NZ

SOT-523

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晶体管

3000个/圆盘

FDY300NZ是一款采用紧凑型SOT-523封装的高集成N沟道MOS管。它拥有出色的电气特性，额定电压VDSS高达20V，可承受最大连续电流ID0.8A，同时具备极低的导通电阻RD(on)，仅为100mR，有效保证了高效能运作和节能效果。这款MOS管广泛适用于各种功率转换、负载开关以及移动通信设备等领域，凭借其小巧尺寸与卓越性能，成为现代电路设计的理想之选。

IRLML0060PBF

SOT-23

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晶体管

3000个/圆盘

这款IRLML0060PbFN沟道MOS管采用高效能SOT-23封装，适用于紧凑型电路设计。具有出色的电气性能，耐压高达60V，连续电流可达3A，低至80mΩ的导通电阻，确保了设备在运行中的高效能与低损耗。其卓越的品质和可靠性适合于各类高端电源转换、电机驱动及开关控制应用场合，是您优化系统性能的理想选择。

Si2308CDS

SOT-23

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晶体管

3000个/圆盘

Si2308CDSN沟道MOSFET采用精巧的SOT-23封装，旨在满足现代电子产品的小型化需求。该器件性能强大，具备60V的最大漏源电压(VDSS)，可稳定承载3A电流，并具有低至80mΩ的导通电阻，有效保证了系统运行的高效率和低能耗。广泛应用于电源管理、电机驱动、开关调节等多个领域，以出色的性能和高可靠性，赋能您的电路设计，实现卓越的系统性能表现。

AO4822A

SOP-8

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晶体管

3000个/圆盘

AO4822A是一款高性能N+N沟道MOSFET，采用紧凑型SOP-8封装，专为高电流应用场合设计。该器件特性出众最大工作电压VDSS高达30V，可轻松处理8.5A的连续漏极电流；其优秀的17mΩ导通电阻RD(on)，有效减少功率损耗，大幅度提升系统效能。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，是您构建节能高效电子设备的理想MOS管解决方案。

AO4404B

SOP-8

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晶体管

3000个/圆盘

AO4404BN沟道MOSFET采用紧凑型SOP-8封装，专为高效能、大电流应用打造。器件提供30V的最大漏源电压(VDSS)，具备8.5A的连续电流承载能力，且导通电阻仅14mΩ，确保在高压大电流环境下仍能维持卓越的能效与低功耗。广泛应用于电源转换、电机驱动、负载开关等领域，以其出色的电流处理能力和稳定的电气性能，成为您电路设计的理想选择。

AOD2916

TO-252-2L

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晶体管

2500个/圆盘

AOD2916是一款高性能N沟道MOSFET，采用TO-252-2L封装，专为满足高电压、大电流应用需求而设计。工作电压高达100V，连续电流承载能力高达30A，特别适用于电源转换、电机驱动等场景。其导通电阻仅为35mΩ，确保在大电流运行时仍能保持卓越的能效和较低的功率损耗。AOD2916MOS管是构建高效率、高稳定性电子设备的理想选择。

SIR468DP-T1-GE3

DFN-8L(5x6)

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晶体管

5000个/圆盘

SIR468DP-T1-GE3是一款采用小型化DFN5X6-8L封装的高性能N沟道MOSFET，专为高效能和空间敏感型设计而生。该器件在30V的电压VDSS下稳定工作，能提供高达80A的连续电流，充分满足高电流应用的需求。其亮点在于仅4.3mR的超低导通电阻RD(on)，有效减少能量损耗，提高整体能效。无论在电源转换、马达驱动还是其他大电流负载控制场合，SIR468DP-T1-GE3都是理想的半导体元件解决方案。

NTMFS4925N

DFN-8L(5x6)

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晶体管

5000个/圆盘

NTMFS4925N是一款N沟道MOSFET，采用节省空间的DFN5X6-8L封装，专为高功率密度和低能耗应用设计。本器件能在30V的电压VDSS下稳定工作，提供高达80A的连续电流，凸显出强大的电流处理能力。其亮点在于导通电阻RD(on)仅为4.3mR，确保了卓越的能效表现，有效降低功耗。NTMFS4925N适用于电源转换、电机驱动、及其他对功率和效率有较高要求的场景，是现代电子系统设计的理想半导体组件。

NTMFS4941N

DFN-8L(5x6)

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晶体管

5000个/圆盘

NTMFS4941N是一款采用紧凑型DFN5X6-8L封装的高性能N沟道MOSFET，特别适用于空间有限且需高效能转换的应用场景。该器件能在30V的最大电压VDSS下稳定运行，提供高达80A的连续电流，展现出卓越的电流承载能力。其导通电阻RD(on)低至4.3mR，确保了最小的功率损耗和最高的能效表现。无论在电源管理、电机驱动、或者其他大电流应用领域，NTMFS4941N都是您理想的半导体解决方案。

NVTFS5C466NL

DFN-8L(3x3)

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晶体管

5000个/圆盘

NVTFS5C466NL是一款N沟道MOSFET，采用先进DFN3X3-8L封装，适宜空间有限的设计需求。器件提供40V的漏源电压(VDSS)，支持高达60A的连续漏极电流(ID)，并具有低至6.9mΩ的导通电阻(RD(on))，确保在高功率应用中实现高效能和低损耗。适用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等多种场景，是优化系统性能和节能效果的理想半导体元件选择。

NTMFS4939N

DFN-8L(5x6)

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晶体管

5000个/圆盘

NTMFS4939N是一款N沟道MOSFET，采用小型化DFN5X6-8L封装，专为高效能、紧凑空间设计。在30V电压VDSS下稳定工作，提供高达80A的连续电流处理能力，适用于大电流应用场景。其核心优势在于4.3mR的超低导通电阻RD(on)，大大提升了系统能效，降低了功耗。无论是在电源转换、电机驱动、还是其他高效率要求的场合，NTMFS4939N都是您理想的半导体解决方案。

AON6576

DFN-8L(5x6)

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晶体管

5000个/圆盘

AON6576是一款N沟道MOSFET，采用紧凑型DFN5X6-8L封装设计，专为高效率和小型化电子系统打造。该器件能够在30V的电压VDSS下稳定工作，提供高达80A的连续电流，满足大电流应用场景需求。其核心优势在于仅4.3mR的超低导通电阻RD(on)，大幅度降低了功率损耗，提高了系统能效。AON6576广泛适用于电源转换、电机驱动、以及其他要求高效节能的半导体应用领域。

FDS8949

SOP-8

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晶体管

3000个/圆盘

FDS8949是一款高性能N+N沟道MOSFET，采用紧凑型SOP-8封装，专为高效率、高集成度的电子设计打造。该器件提供了40V的额定电压VDSS，可承载12A连续电流ID，展现出强大的电力处理性能。其导通电阻RD(on)仅为16mΩ，有效降低了系统能耗，提升了整体能效。FDS8949适用于电源转换、负载开关控制以及中等电流驱动等各种应用环境，是实现低损耗、高效率电路设计的理想半导体器件。

NTMD3P03

SOP-8

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晶体管

3000个/圆盘

NTMD3P03型号MOS管，采用先进的P+P沟道技术，封装于小型化SOP-8外壳，以其优良的集成性和空间利用率备受青睐。该器件工作稳定，额定电压VDSS高达30V，可持续提供5.3A的大电流处理能力，同时具有优秀的导通电阻RD(on)，低至35mR，显著提升工作效率，降低能耗。此款MOS管广泛适应于电源管理、马达驱动等多种应用场景，助您实现系统性能升级与节能目标。

IRLR2703

TO-252-2L

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2500个/圆盘

IRLR2703是一款高性能N沟道MOSFET，采用标准TO-252-2L封装，专为处理大电流和高效率应用而设计。器件具有30V的最大漏源电压(VDSS)，并且可以安全地传导高达20A的连续漏极电流，展现强大的电流传送能力。其亮点在于仅15mΩ的超低导通电阻(RD(on))，从而实现卓越的能源转换效率和减少功率损耗。广泛应用于电源转换、电机驱动、大电流开关电路等多个领域，是您构建高效、可靠电子系统的理想半导体组件。

FDS6912A

SOP-8

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晶体管

3000个/圆盘

FDS6912A型MOS管是一款高性能的N+N沟道半导体器件，采用SOP-8封装形式，结构紧凑，便于在各种电路板中灵活布局。该器件拥有30V的高额定电压VDSS，以及高达8.5A的连续电流ID能力，表现出强劲的电能处理性能。特别值得一提的是，其优异的导通电阻仅17mR，有助于大幅度降低系统损耗，提升整体工作效率。此款MOS管广泛适用于电源转换、电机驱动等领域，经严格品质把控，确保每一片都具备出色的稳定性和耐用性。

SM4953PRL

SOP-8

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晶体管

3000个/圆盘

SM4953PRL型MOS管选用高品质P+P沟道工艺，采用精巧SOP-8封装形式，为现代电子设备提供卓越的空间利用率。本器件电压耐受力出众，额定VDSS值为30V，能够承受5.3A的连续漏极电流，而其优异的导通电阻仅为35mR，确保了在运行过程中的低功耗与高效率表现。此款MOS管广泛运用于电源控制、电机驱动等场景，是提升系统整体效能的理想半导体组件。

IPD30N06S2L-23

TO-252-2L

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晶体管

2500个/圆盘

IPD30N06S2L-23是一款高功率N沟道MOSFET，封装类型为TO-252-2L，专为高密度电源应用设计。该器件提供60V的最大漏源电压(VDSS)，并能在满载下处理50A的强大连续电流(ID)，且拥有优秀的导通特性，导通电阻仅为15mR(RD(on))，从而大大减少了功率损耗，提高了系统效率。广泛应用于开关电源、电池管理系统、电机驱动等对效率要求较高的场合。

BSS314PEH6327

SOT-23

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晶体管

3000个/圆盘

该P沟道消费级MOSFET采用SOT-23封装，适用于30V电压环境下的高效电源转换和负载控制。器件提供4.1A连续电流处理能力，具有低导通电阻特性，特别适应于便携式设备的电池管理系统，是实现节能与可靠功率管理的理想半导体元件。

SM6366ED1RL

DFN-8L(5x6)

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晶体管

5000个/圆盘

SM6366ED1RL型号N沟道MOS管，采用DFN5X6-8L封装设计，兼具小型化与高效散热功能，特别适合现代高密度电子设备应用。器件拥有30V额定电压VDSS，提供高达120A连续电流ID处理能力，展现卓越的电力控制性能。其3.5mR超低导通电阻，有效提高能源效率并减少系统损耗。

NTMFS4937N

DFN-8L(5x6)

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晶体管

5000个/圆盘

NTMFS4937N型号N沟道MOS管，采用紧凑型DFN5X6-8L封装技术，专为高密度、高性能电子设备设计。该器件具备30V的额定电压VDSS，支持高达120A的连续电流ID，展现强大电力处理实力。其卓越的3.5mR导通电阻，助力实现超高能效，减少不必要的系统损耗。