二极管-三极管-晶体管-MOS场效应管-桥堆生产厂家-深圳兆信半导体MXsemi

S9012

SOT-23

MXsemi

晶体管

3000个/圆盘

该款SOT-23封装PNP型三极管，具有25V的高击穿电压VCEO和0.5A集电极电流能力，放大倍数范围为120至400，适用于各类低功率、精密信号放大电路，提供优异的性能表现。

13001

SOT-23

MXsemi

晶体管

3000个/圆盘

该SOT-23封装NPN型三极管，拥有420V超高耐压VCEO及0.2A集电极电流，特别适用于高压环境下的开关与低增益放大应用，其放大倍数在18至30之间，是高电压、微电流电子设备的理想半导体组件。

BC817-40

SOT-23

MXsemi

晶体管

3000个/圆盘

该SOT-23封装NPN型三极管，拥有45V高耐压VCEO及0.5A集电极电流，具备出色的放大能力，放大倍数高达250至600，尤其适用于中等电压、中等电流环境下的高增益放大应用，是精密电子电路设计的理想选择。

MMBT3906

SOT-23

MXsemi

晶体管

3000个/圆盘

该SOT-23封装PNP型三极管，拥有40V高耐压VCEO和0.2A集电极电流，放大倍数在100至300之间可调，适用于中等电压、微电流环境下的精密放大与开关电路设计，是您电子设备项目的理想半导体组件。

S9013

SOT-23

MXsemi

晶体管

3000个/圆盘

该SOT-23封装的NPN型三极管，具备25V的VCEO耐压和0.5A的集电极电流，放大倍数在120至400之间，适合于低功耗、高增益应用场合，适用于各类精密电子设备及电路设计，是您微型化项目中的理想半导体元件。

BCP56

SOT-223

MXsemi

晶体管

1000个/圆盘

该SOT-223封装的NPN型三极管，具备80V高耐压VCEO和1A集电极电流能力，放大倍数在63至250之间可调，适用于高压、大电流环境下的开关及线性放大电路设计，是各类电子设备与工业控制应用的理想选择。

2SC1623

SOT-23

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晶体管

3000个/圆盘

该SOT-23封装NPN型三极管，具备50V高耐压VCEO和0.1A集电极电流能力，其放大倍数宽幅可调（90-600），专为中等电压、微小电流环境下的高增益放大与开关应用设计，是精密电子设备及电路的理想半导体元件。

BC807-40

SOT-23

MXsemi

晶体管

3000个/圆盘

此款SOT-23封装PNP型三极管，具有45V高耐压VCEO和0.5A集电极电流，提供高达250至600的放大倍数，适用于中高压、中等电流环境下的高效放大应用，是精密电子设备与电路设计的理想选择。

S9014

SOT-23

MXsemi

晶体管

3000个/圆盘

该款SOT-23封装NPN型三极管，具有45V高击穿电压VCEO及0.1A集电极电流承载力，放大倍数范围宽广（200-400），特别适用于要求高增益、低功耗的电子电路中，提供精密信号放大功能。

BC817-25

SOT-23

MXsemi

晶体管

3000个/圆盘

本款SOT-23封装NPN型三极管，具有45V高耐压VCEO及0.5A集电极电流能力，放大倍数范围160至400，适用于中等电压、中等电流环境下的高效放大与开关应用，是电子设备设计和制造的理想半导体器件。

S8050

SOT-23

MXsemi

晶体管

3000个/圆盘

此款SOT-23封装的NPN型三极管，具有25V的高耐压值VCEO及0.5A的集电极电流IC，其放大倍数稳定在200至300之间，适用于低功耗、高增益电路设计，是各类精密电子设备和小型化项目的优质选择。

MMBT3904

SOT-23

MXsemi

晶体管

3000个/圆盘

本款SOT-23封装NPN型三极管，具有40V高耐压VCEO及0.2A集电极电流，放大倍数在100至300之间可调，专为中等电压、微至小电流应用环境设计，是您进行精密放大与开关电路的理想半导体器件。

BSO130P03SH

SOP-8

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晶体管

3000个/圆盘

BSO130P03SHP沟道MOSFET采用SOP-8封装，专为大电流、高效能应用设计。器件亮点在于30V的最大漏源电压(VDSS)，并能承载高达12A的连续电流，其卓越的导通电阻仅为10mΩ，极大地提高了系统能效与稳定性。广泛适用于电源切换、电池管理系统、逆变器电路等各种大电流处理场合，以超强的性能和可靠性，为您的电路设计注入澎湃动力。

FDY301NZ

SOP-523

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晶体管

3000个/圆盘

FDY301NZ是一款精心打造的N沟道MOS管，采用节省空间的SOT-523封装技术。该器件的核心优势在于其卓越的电气性能指标，包括工作电压VDSS高达20V，连续电流承载力ID达到0.8A，而导通电阻RD(on)仅为100mR，实现了低损耗、高效率运行。因其优秀的规格与小型化设计，FDY301NZMOS管尤其适用于电源转换、电池管理系统以及其他对体积和效能要求严苛的电子设备中，以实现高效的功率控制和切换功能。

FDMC7680

DFN3X3-8L

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晶体管

5000个/圆盘

FDMC7680是一款高性能N沟道MOSFET，采用超小型DFN3X3-8L封装，专为高密度电路板设计。其关键特性包括30V的最大漏源电压(VDSS)，并能在苛刻条件下提供惊人的60A连续漏极电流(ID)，展现了强大的电力处理能力。更值得关注的是，其导通电阻仅为6mΩ(RD(on))，确保了在大电流传输时依然保持较低的功率损耗。此款MOS管广泛应用在电源转换、快速充电技术、大电流开关电路等领域，是工程师追求高效能设计的理想之选。

MDV1542

DFN3X3-8L

MXsemi

晶体管

5000个/圆盘

型号MDV1542的N沟道MOS管，采用紧凑型DFN3X3-8L封装工艺，特别适合于高密度电路板布局和空间有限的应用场景。该器件具有30V的额定电压VDSS，能够稳定传输高达100A的连续电流，展现了卓越的电力处理性能。其亮点在于仅为4mΩ的超低导通电阻RD(on)，极大地提升了系统能效，降低了功耗，广泛适用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，是您构建高效、节能电子设备的理想半导体元件选择。

IRF9328PBF

SOP-8

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晶体管

3000个/圆盘

IRF9328PbFP沟道MOSFET采用SOP-8封装，专为高功率应用设计。器件特点在于30V的最大漏源电压(VDSS)，具备高达12A的连续电流处理能力，并具有低至10mΩ的导通电阻，有效提高系统工作效率，减少能量损耗。广泛应用于电源管理、逆变器、电机驱动等对电流处理要求高的场合，以出色的性能和可靠性，成为您优化电路设计的理想之选。

ZXMN3A06DN8

SOP-8

MXsemi

晶体管

3000个/圆盘

ZXMN3A06DN8是一款高性能N+N沟道MOSFET，采用紧凑型SOP-8封装技术，专为现代电子设备提供高效能电流控制。其核心优势在于最大工作电压VDSS高达30V，支持6A的连续漏极电流，确保卓越的电力传输能力；导通电阻RD(on)仅为25mΩ，有效降低功率损耗，提升系统整体能效。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等场景，是您设计高集成度、节能电子产品的理想MOS管解决方案。

CSD17577Q3A

DFN3X3-8L

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晶体管

5000个/圆盘

CSD17577Q3A是一款N沟道MOSFET，采用先进的DFN3X3-8L封装技术，专为高功率密度和低功耗应用设计。该器件在30V电压VDSS下稳定工作，能处理高达100A的连续电流，彰显强大电力传输性能。其亮点在于业界领先的4mR超低导通电阻RD(on)，有效减少功率损耗，提升整体系统效率。CSD17577Q3A广泛应用于电源转换、电机驱动、以及其他需要高性能MOSFET的场合，是您构建高效节能电路的理想选择。

SQ2310ES-T1_GE3

SOT-23

MXsemi

晶体管

3000个/圆盘

SQ2310ES-T1_GE3是一款高效N沟道MOSFET，采用小型SOT-23封装，专为高功率密度和低功耗电子设计。该器件具有20V的最大漏源电压(VDSS)，并能稳定处理6A的连续漏极电流(ID)，搭配其出色的22mΩ导通电阻(RD(on))，确保了卓越的电能转换效率和低功耗性能。广泛应用于电源管理、电机驱动、电池保护系统等领域，是实现小型化、高性能电子解决方案的理想半导体组件。

SQ2348ES-T1_GE3

SOT-23

MXsemi

晶体管

3000个/圆盘

SQ2348ES-T1_GE3是一款N沟道MOSFET，采用经济实用的SOT-23封装，专为现代高效率电路设计。该器件具备30V的漏源电压(VDSS)，能够处理高达5.8A的连续漏极电流(ID)，并拥有出色的低导通电阻性能，仅为22mR(RD(on))。广泛应用于开关电源转换、电机驱动及多种高功率电子系统，这款MOS管凭借卓越的电流承载能力和高效能表现，成为您设计中的理想半导体元件。

Si2308BDS-T1-E3

SOT-23

MXsemi

晶体管

3000个/圆盘

Si2308BDS-T1-E3N沟道MOSFET采用小型化SOT-23封装，专为高密度电子设计提供解决方案。此器件具备强大性能，工作电压高达60V，连续输出电流达3A，且拥有优秀的导通电阻仅为80mΩ，显著提升系统效率并降低能耗。适用于电源转换、负载开关以及电机驱动等广泛应用领域，以卓越的品质与可靠的性能，助您的电路设计实现效能升级。

IRF7424TR

SOP-8

MXsemi

晶体管

3000个/圆盘

IRF7424TR是一款P沟道MOSFET，采用SOP-8封装，专为高电流和高效率应用设计。器件支持最大30V的漏源电压(VDSS)，并能安全处理高达12A的连续漏极电流，展现出强大的电流承载能力。其独特的10mΩ超低导通电阻(RD(on))设计，有效提升了系统能效，降低了损耗。广泛应用于电源转换、电机驱动、大电流开关电路等领域，是高功率、高性能电子产品的重要组成部分。

ZXMN6A07F

SOT-23

MXsemi

晶体管

3000个/圆盘

ZXMN6A07FN沟道MOS管采用了节省空间的SOT-23封装技术，为您的电路设计提供灵活高效的解决方案。该器件关键性能指标卓越，具备60V的最高漏源电压(VDSS)，支持高达3A的连续电流，同时具有低至80mΩ的导通电阻，从而确保了在各种应用中的低功耗和高效能表现。广泛应用于电源转换、电机驱动、负载开关等场景，以出色的性能和信赖性，助力您的电子项目实现更高水准的性能优化。