语言：中文

首页 > 晶体管
全部分类
晶体管
型号
封装
品牌
分类
圆盘信息
描述
DMP4065S-7
SOT-23
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
该消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，额定电压40V，具备5A强大电流承载力。具有低导通电阻与快速开关性能，广泛应用于充电器、电源转换等设备中，实现高效、稳定的功率控制与管理。
BSN20BKR
SOT-23
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，额定电压60V，额定电流0.3A，适用于低至中等功率应用。具备低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于电池保护、信号切换等场合，实现精准、高效的功率管理与控制。
NX3008NBK
SOT-23
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，专为30V电压系统设计，额定电流高达5A。具备优越的低导通电阻和快速开关特性，适用于充电器、电源转换器以及各类高效率电子设备中，实现精准、可靠的功率控制与管理。
HS6334
SOP-8
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
这款消费级N沟道MOSFET采用SOP-8封装，额定电压30V，连续电流高达15A。适用于中等功率的电源转换、负载控制及电池管理系统应用，具有出色的能效和空间利用率，为现代电子产品提供高效可靠的半导体解决方案。
IRLML0040TRPBF
SOT-23
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
该消费级N沟道MOSFET采用紧凑SOT-23封装，额定电压40V，支持5A连续电流。具备低导通电阻与快速开关性能，适用于充电器、电源转换和高效能电子设备，提供稳定可靠的功率控制解决方案。
HN6373
DFN-8L(3x3)
MXsemi
晶体管
5000个/圆盘
这款消费级P沟道MOSFET采用超小型DFN3X3-8L封装，额定电压30V，具备高达50A的连续电流处理能力。专为紧凑型、高功率应用设计，如电源转换、负载开关和电池管理系统，实现卓越的能效与空间利用率。
HN2288
DFN-8L(3x3)
MXsemi
晶体管
5000个/圆盘
本款消费级N+N沟道MOSFET采用紧凑型DFN3X3-8L封装，具备双通道驱动能力，额定电压30V，连续电流高达30A。适用于高效电源转换、负载均衡和电池管理系统等应用场合，提供卓越的集成度与能效表现。
3439KDW
SOT-363
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
该消费级MOSFET采用紧凑型SOT-363封装，集成N+P沟道设计，额定电压20V，最大连续电流0.8A，适用于低功耗电子设备的电源转换和智能开关控制。其小巧体积与高效能特性为电路设计带来灵活可靠的解决方案。
AON7422E
DFN-8L(3x3)
MXsemi
晶体管
5000个/圆盘
这款消费级N沟道MOSFET采用极致紧凑的DFN3X3-8L封装，额定电压30V，峰值电流高达80A，具备卓越的功率密度与性能表现。专为小型化、高效率电源转换、负载开关控制以及电池管理系统设计，实现高性能与空间优化的最佳平衡。
AO8810
TSSOP-8
MXsemi
晶体管
5000个/圆盘
这款双N沟道消费级MOSFET采用节省空间的TSSOP-8封装，专为高效能电路设计。拥有20V电压额定值和单通道7A连续电流承载能力，适用于DC-DC转换、低电压电源开关及负载控制应用，提供低导通电阻和出色的性能表现，是现代电子设备的理想功率管理组件。
BSC066N06NS
DFN-8L(5x6)
MXsemi
晶体管
5000个/圆盘
这款消费级N沟道MOSFET采用超小型DFN5X6-8L封装，具备卓越的功率密度和散热性能。工作电压高达60V，连续电流可达80A，特别适合应用于高效率电源转换、大电流开关控制及电池管理系统中，以紧凑设计实现强大电力驱动。
ST2304
SOT-23-3L
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
型号ST2304的N沟道MOS管，采用小型化SOT-23-3L封装，极其适合于紧凑型电子设备设计。该器件具备强大的电性能参数，工作电压VDSS高达30V，连续电流ID承载能力高达5.8A，确保在高负载条件下稳定运行。其亮点在于超低导通电阻RD(on)，仅为22mR，有助于降低功耗，提升整体系统效能。广泛运用于电源管理、开关调节、电机驱动等应用领域，是工程师实现高效率、节能设计的理想选择。
ST2304SRG
SOT-23
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
ST2304SRG是一款N沟道MOSFET，采用小型SOT-23封装，专为现代紧凑型电子设计打造。器件具备30V的最大漏源电压(VDSS)，可在高效率下处理4A连续漏极电流(ID)，展现强大的电流处理能力。尤为突出的是，其导通电阻(RD(on))仅为29mΩ，确保在工作状态下降低功耗，提升整体能效。此款MOS管广泛应用在电源转换、负载开关、电机驱动等领域，是您寻求高效、节能半导体解决方案的理想伙伴。
IPD90P03P4L-04
TO-252-2L
MXsemi
晶体管
2500个/圆盘
这款TO-252-2L封装的P沟道消费级MOSFET，专为大电流应用设计。具备30V额定电压和高达120A连续电流承载能力，尤其适用于电源转换、电池管理系统以及高功率开关电路，提供卓越的能效表现与散热性能，是现代电子设备实现高效功率控制的理想组件。
IRF740
TO-220
MXsemi
晶体管
50个/圆盘
这款N沟道消费级MOSFET采用经典的TO-220封装，专为处理高电压大电流应用设计。具备400V的击穿电压和11A连续电流能力，适用于各类电源转换、电机驱动及开关控制场合，提供卓越的能效表现，是您高效可靠功率管理的理想选择。
IRF7807ZTRPBF
SOP-8
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
该N沟道消费级MOSFET采用SOP-8封装，专为30V电压下的高效率应用设计。具备8.5A连续电流承载能力，特别适用于电源转换、电机驱动和电池管理系统，具有低导通电阻与优良热特性，是现代电子产品中不可或缺的高性能功率开关器件。
DMN67D8L
SOT-23
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
DMN67D8L是一款高品质N沟道MOSFET，采用节省空间的SOT-23封装形式，适合高密度电路板设计。该器件提供60V的电压耐受能力（VDSS），并可承载0.3A的连续漏极电流(ID)，且具有优异的导电效率，导通电阻低至1000mR，有助于减少能量损耗并优化系统效能。广泛应用于电源转换、电子负载控制以及其他要求严苛的开关电路中，是您优化电路设计的理想之选。
DMN601K
SOT-23
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
这款DMN601KN沟道MOS管采用紧凑型SOT-23封装，专为高效能、低功耗应用设计。其核心参数包括额定电压VDSS高达60V，连续漏极电流ID可达0.3A，具备优秀的导通性能，导通电阻仅为1000mΩ，确保了在各种电路环境下的稳定工作和低热损耗，适用于电源管理、开关电路等多种场景。
BS870
SOT-23
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
BS870是一款N沟道MOSFET，采用经济实用的SOT-23封装，适用于各类紧凑型电子设计。该器件提供了高达60V的漏源电压(VDSS)，并能持续承载0.3A的漏极电流(ID)，其特色在于拥有1000mR的低导通电阻(RD(on))，有效降低能耗，提升系统效率。广泛应用于电源转换、电机驱动、开关电路等领域，是实现高效能、低功耗应用的理想半导体组件。
MMBF170-F
SOT-23
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
MMBF170-F是一款N沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，专为现代电子产品的小型化设计打造。器件具有60V的高耐压值(VDSS)，并能在系统中安全处理0.3A的连续漏极电流(ID)。其导通电阻仅为1000mR，有助于大幅度降低功耗，提升系统整体效能。广泛应用于电源转换、电机驱动、开关电路等领域，是实现高效、节能电子方案的理想半导体元件。
DMN65D8LQ
SOT-23
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
DMN65D8LQ是一款高性能N沟道MOSFET，采用微型SOT-23封装，专为现代紧凑型电子设备设计。器件具备60V的高耐压（VDSS），可承载0.3A的连续漏极电流（ID），且其优越的导通性能体现在低至1000mR的导通电阻（RD(on)）上，有效降低能耗，提升系统效能。广泛应用于电源管理、负载开关、电机驱动等电路中，是实现高效、节能应用的理想半导体元件。
2N7002E-T1-E3
SOT-23
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
2N7002E-T1-E3N沟道MOS管采用小巧的SOT-23封装，特别适合空间有限的设计项目。该器件支持高达60V的漏源电压(VDSS)，并能提供0.3A的连续漏极电流(ID)，适用于低至中等电流级别的应用。其导通电阻RD(on)为1000mR，尽管相对较高，但在微小电流传输或信号控制方面表现出色。广泛应用于电源管理、逻辑电平转换、低功率电路控制等领域，是微型化电子产品的理想选择。
IRFH5302TRPBF
DFN-8L(5x6)
MXsemi
晶体管
5000个/圆盘
这款N沟道消费级MOSFET采用紧凑型DFN5X6-8L封装，专为大电流应用优化。额定电压30V，能承载高达150A的连续电流，尤其适用于电源转换、电池管理系统及高功率开关电路，具备卓越的导通性能与散热设计，是现代电子设备实现高效能功率管理的理想选择。
BSC042N03LSG
DFN-8L(5x6)
MXsemi
晶体管
5000个/圆盘
该N沟道消费级MOSFET采用DFN5X6-8L封装，专为高电流应用设计。额定电压30V，提供高达120A连续电流处理能力，适用于电源转换、电池管理系统及大功率开关电路，具有低导通电阻和卓越散热性能，是现代电子设备实现高效能功率管理的理想之选。
1...6061626364...78 共 1855 条
no cache
Processed in 0.718434 Second.