二极管-三极管-晶体管-MOS场效应管-桥堆生产厂家-深圳兆信半导体MXsemi

SOT-523

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晶体管

3000个/圆盘

DMP21D0UTP沟道MOS管采用微型SOT-523封装，专为轻薄型电子产品量身打造。器件具备卓越电气性能，最大工作电压VDSS高达20V，连续电流承载能力为0.7A，导通电阻RD(on)低至260mR，有效保障低功耗下的高效能运行。此款MOS管广泛应用于移动设备、电源管理模块、逻辑电平转换等领域，以小巧体积、高效性能及良好稳定性，成为现代电子设计的理想元件选择。

SM4803APRL

SOP-8

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晶体管

3000个/圆盘

SM4803APRL是一款P+P沟道MOSFET，采用SOP-8封装，适合各种空间有限的电路设计。器件参数包括最大漏源电压(VDSS)为30V，能够提供5.3A的稳定漏极电流(ID)，同时拥有35mΩ的导通电阻(RD(on))，在高效能和低功耗之间取得平衡。此款MOS管广泛应用于电源管理、负载开关控制、电池保护系统等领域，是您构建高效节能电路的理想组件。

SI1013X-T1-GE3

SOT-523

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3000个/圆盘

SI1013X-T1-GE3是一款P沟道MOSFET，采用超小型SOT-523封装，特别适合于紧凑型电子设备的内部空间优化。该器件具有20V的最大漏源电压(VDSS)，可稳定传输0.7A漏极电流(ID)，同时，它还具有260mR的导通电阻(RD(on))，确保在低电压、小电流应用中实现良好性能和低功耗。这款MOS管广泛应用于电源管理、电池保护、逻辑电平转换等场景，是小型化电子产品设计的理想半导体组件。

DMP2123L

SOT-23

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晶体管

3000个/圆盘

DMP2123L是一款高效能P沟道MOSFET，采用小型SOT-23封装，专为低功耗及高密度电子设计打造。其关键特性包括最大耐压VDSS为20V，可提供高达4.2A的连续漏极电流，展现卓越的电流处理能力。器件的导通电阻RD(on)仅为48mR，大大增强了系统能效并降低功耗。DMP2123LMOS管因其出色的开关性能、高电流承载力和稳定性，广泛应用在电源管理、电池保护、便携式设备等多元化场景，是您设计中理想的高性能半导体元件。

DMP2120U

SOT-23

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DMP2120U是一款高效P沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，专为低功耗和小型化电子设备设计。其关键性能指标包括耐压等级VDSS高达20V，最大连续漏极电流ID高达4.2A，确保强大的电流处理能力。尤其引人注目的是其低至48mR的导通电阻RD(on)，有效降低功率损耗，提升整体能效。DMP2120UMOS管凭借出色的开关性能、高电流承载能力和优良的稳定性，广泛应用于电源转换、电池管理、便携式设备等多领域，是您电路设计的理想半导体组件。

ST2341SRG

SOT-23

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ST2341SRG是一款高效P沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，专为低功耗及高集成度电路设计。其主要特点为工作电压VDSS高达20V，能承载4.2A连续漏极电流，展现出强大的电力管理能力。器件的导通电阻RD(on)仅为48mR，有效减小功率损耗，提升整体能效。ST2341SRGMOS管凭借出色的开关性能、高电流承载力以及稳定的运行表现，广泛应用于电源转换、电池保护、便携式设备等领域，是您设计电路的理想半导体元件选择。

DMP2305U

SOT-23

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DMP2305U是一款高效能P沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，专为低功耗和高集成度的电子设计。其关键特性包括最大工作电压VDSS为20V，可承载高达4.2A的连续漏极电流，体现卓越的电流处理能力。器件的导通电阻RD(on)仅为48mR，有效减少功率损耗，提高系统能效。DMP2305UMOS管凭借其出色的开关性能、高电流承载力及良好稳定性，广泛应用于电源转换、电池管理、便携式电子设备等领域，是您电路设计的理想半导体元件。

IRLML6402PBF

SOT-23

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IRLML6402PbF是一款高性能P沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，专为高集成度、低功耗电路设计。产品特点包括工作电压VDSS高达20V，具备4.2A连续漏极电流能力，展现出强大的电流处理性能。器件优势在于其极低的导通电阻RD(on)，仅为48mR，有效降低功耗，提升整体能效。IRLML6402PbFMOS管凭借出色的开关特性、高电流承载能力和卓越稳定性，广泛应用于电源转换、电池管理、便携式设备等领域，是您电路设计的理想半导体组件。

PMV48XP

SOT-23

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PMV48XP是一款高性能P沟道MOSFET，采用小型化SOT-23封装，专为高集成度和低功耗应用设计。其核心特性包括最大工作电压VDSS为20V，具备4.2A的连续漏极电流处理能力，展现卓越的电流驱动性能。器件的导通电阻RD(on)仅为48mR，有利于降低系统功耗并提升能效。PMV48XPMOS管凭借其出色的开关特性、高电流承载力及良好的稳定性，广泛应用于电源转换、电池保护、便携式电子设备等众多场景，是您进行高效电路设计的理想半导体组件选择。

IRLML6402GPBF

SOT-23

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3000个/圆盘

IRLML6402GPbF是一款高性能P沟道MOSFET，采用小型SOT-23封装，专为高效能、低功耗应用设计。其核心特性包括最高工作电压VDSS为20V，能够处理高达4.2A的连续漏极电流，凸显卓越的电力管理性能。器件亮点是其超低的导通电阻RD(on)仅为48mR，有效节省能源并提升系统效率。得益于其出色的开关速度、高电流承载能力和稳定的运行表现，IRLML6402GPbFMOS管广泛应用在电源转换、电池保护、便携式电子设备等诸多领域，是您电路设计的理想半导体元件。

DMP2130L

SOT-23

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DMP2130L是一款高性能P沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装设计，专为高集成度和低功耗应用研发。其重要特性包括最大工作电压VDSS为20V，可轻松承载4.2A连续漏极电流，展现出强大的电流处理能力。器件的导通电阻RD(on)低至48mR，有效减少功率损耗，提升系统能效。DMP2130LMOS管凭借其出色的开关性能、高电流承载力以及卓越的稳定性，广泛应用于电源转换、电池管理、便携式电子设备等多元领域，是您设计项目的理想半导体组件选择。

DMN2004TK

SOT-523

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3000个/圆盘

DMN2004TK是一款采用精巧SOT-523封装工艺的高品质N沟道MOSFET。该器件具有卓越的耐压性能，VDSS高达20V，并提供强大的电流承载能力，最大连续电流可达ID0.8A。其优异的导通电阻仅为100mΩ，显著降低功耗并提高转换效率。此款MOS管特别适用于空间有限的电子设备，如充电器、电源管理模块和消费类电子产品中，作为理想的开关元件或负载驱动组件。

Si2300DS-T1-GE3

SOT-23

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Si2300DS-T1-GE3是一款N沟道MOSFET，采用精巧的SOT-23封装，专为紧凑型电路设计。器件支持20V的最大漏源电压(VDSS)，并能稳定处理6A的连续漏极电流(ID)，体现卓越的电流承载力。其导通电阻(RD(on))仅有22mΩ，有效减少功率损耗，提高能效表现。广泛应用于电源转换、电机驱动、负载开关等领域，是您追求高集成度与低功耗半导体解决方案的理想选择。

AO3419

SOT-23-3L

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AO3419P沟道MOS管，采用紧凑型SOT-23-3L封装，适用于高集成度电路设计。该器件具有卓越的电气性能，最大工作电压VDSS为20V，连续电流ID可达4.1A，且拥有极低的导通电阻RD(on)，仅为34mR，大大提高了系统能效并减小功耗。广泛应用于电源开关控制、电池保护、负载驱动等方面，以其出色的稳定性和高效能，成为您电子设计工程的理想组件选择。

MCH3479

SOT-323

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MCH3479是一款小巧的N沟道MOSFET，采用节省空间的SOT-323封装，特别适用于高密度电路设计。该器件支持最大漏源电压20V(VDSS)，并能提供稳定的2A漏极电流(ID)，其亮点在于拥有49mΩ的低导通电阻(RD(on))，有效降低了系统功耗，提升了能效比。MCH3479MOS管广泛应用于移动设备、电源控制、逻辑切换等领域，是小型化、节能电子产品设计的理想组件。

AO3423

SOT-23-3L

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AO3423P沟道MOSFET，选用小巧型SOT-23-3L封装，专为高效能、低功耗电路设计。该器件拥有出色电气参数，最大工作电压VDSS高达20V，可承受连续电流ID4.1A，而其优秀的导通电阻仅34mR，有效降低了功率损耗并提升了系统效率。广泛应用于电源管理、负载开关、电机驱动等领域，AO3423以卓越的性能表现和高度可靠性，成为电路设计师的理想元件选择。

NTR5198NL

SOT-23

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NTR5198NLN沟道MOSFET采用轻巧的SOT-23封装形式，专注于高效集成与节省空间的设计方案。该器件表现出色，具有60V的最大漏源电压(VDSS)，能够承载3A连续电流，并搭载超低导通电阻80mΩ，确保了卓越的能源效率和低发热表现。广泛应用在电源管理、电机驱动、开关电路等多元场景，以卓越的性能指标与高度可靠性，赋予您的电子产品更强的性能潜力。

FDN537N

SOT-23

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FDN537N是一款N沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，专为现代高功率密度电子设计。该器件具有30V的漏源电压(VDSS)，可承载最大5.8A的漏极电流(ID)，并具备出色的导通性能，导通电阻低至22mR(RD(on))。广泛应用于开关电源转换、电机驱动及各种高电流、高效能的电子系统，FDN537N凭借其卓越的电流处理能力和优良能效，成为电路设计师们的可靠选择。

DMN3070SSN

SOT-23

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DMN3070SSNN沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，为高性能电子设备提供强大驱动力。本器件拥有30V的高击穿电压(VDSS)，能在满载条件下承载高达5.8A的漏极电流(ID)，并凭借其出色的导通电阻22mR(RD(on))，实现卓越的电力传输效率。这款MOS管适用于开关电源、大电流电机驱动等高功率应用场景，是提高系统效能、节约能源的优选半导体元件。

DMN6075S

SOT-23

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DMN6075SN沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，集高效与小巧于一体。该器件凭借卓越参数脱颖而出，包括60V的最大漏源电压(VDSS)，3A连续drain电流能力以及低至80mΩ的导通电阻，有效保障了系统的高效率和低功耗运作。广泛应用在电源转换、负载开关、电机驱动等领域，以强大的性能表现和可靠品质，为您的电路设计增添强劲动力。

DMN6140L

SOT-23

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DMN6140LN沟道MOS管采用精巧的SOT-23封装，特别适应现代电子产品的小型化需求。本器件性能优越，拥有60V的最大漏源电压(VDSS)，可承受高达3A的连续电流，同时配备80mΩ的低导通电阻，确保在高功率应用中展现极佳的能效表现。广泛应用于电源转换器、电机驱动、开关电路设计等多种场景，以强大的性能与稳定的品质，赋能您的电路设计，实现卓越性能与节能效果的双重提升。

FDY302NZ

SOT-523

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FDY302NZ是一款选用紧凑型SOT-523封装的优质N沟道MOS管，专为提升系统效率而设计。该器件具有稳定的电气性能，工作电压VDSS高达20V，能够支持连续电流ID高达0.8A，且在导通状态下展现出色的低阻特性，RD(on)仅为100mR。这款MOS管广泛应用在电源管理、马达驱动、充电设备等场景中，以其优良的性能表现和小尺寸封装，助力您的电子产品实现更高能效比和更优的空间利用率。

DMN2065UW

SOT-323

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DMN2065UW是一款精巧的N沟道MOSFET，采用微型SOT-323封装，专为紧凑型电子设备设计。器件具备20V的最大漏源电压(VDSS)，能稳定驱动2A的连续漏极电流(ID)，且其出众的导通电阻仅为49mΩ(RD(on))，确保了较低的功耗和较高的系统效率。这款MOS管广泛应用于便携式设备、电源管理和逻辑门控电路中，是实现小型化、高效能电路的理想选择。

SM2314SRL

SOT-23

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3000个/圆盘

SM2314SRL是一款高性能N沟道MOSFET，采用小型化SOT-23封装，专为高功率密度和节能电子应用设计。该器件支持最大20V的漏源电压(VDSS)，并能承载6A的连续漏极电流(ID)，凭借其低至22mΩ的导通电阻(RD(on))，确保了在高电流工作状态下仍具有出色的能效和低功耗表现。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池保护等领域，是打造紧凑、高效电子设备的理想半导体元件。