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全部分类
晶体管
型号
封装
品牌
分类
圆盘信息
描述
DMP3068L
SOT-23
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
DMP3068LMOS管是一款P沟道半导体元件，采用节省空间的SOT-23封装形式。该器件额定电压VDSS高达30V，能承载4.2A的连续电流ID，满足中高功率需求。其导通电阻为45mR，保证了在大电流应用中的良好能效。适用于电源开关控制、电池管理系统及负载驱动等多个领域，是设计师进行高效电源管理和电路控制的理想MOS管解决方案。
SUD50N06-09L-E3
TO-252-2L
MXsemi
晶体管
2500个/圆盘
SUD50N06-09L-E3是一款高性能N沟道MOSFET，采用流行的TO-252-2L封装，专为高效率、大电流应用场景设计。该器件工作电压高达60V(VDSS)，具备强大的电流处理能力，可承载连续漏极电流80A(ID)，并且在导通状态下的电阻仅为6.5mΩ(RD(on))，极大程度地减少了功率损耗，提升了整体能源转换效率。SUD50N06-09L-E3适用于开关电源、电机驱动、电池管理系统等众多领域，是构建节能高效电子系统的优质半导体元件。
IRF7424PBF
SOP-8
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
IRF7424PbFP沟道MOSFET采用标准SOP-8封装，专为高电流应用环境打造。其拥有30V的最大漏源电压(VDSS)，并能在系统中安全地处理高达12A的连续电流，得益于仅10mΩ的导通电阻，极大提升了整体能效表现。此款器件广泛应用在电源转换、电机驱动、电池保护等领域，以出色的电流处理能力和卓越的能效，为您的电路设计提供有力支持。
IRLR2905ZPBF
TO-252-2L
MXsemi
晶体管
2500个/圆盘
这款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，专为处理60V电压下的大电流应用。具备50A连续电流承载能力，广泛应用于电源转换、电机驱动及电池管理系统，具有低导通电阻与高效散热性能，是现代电子设备实现高效率功率控制的理想选择。
AON7506
DFN-8L(3x3)
MXsemi
晶体管
5000个/圆盘
这款消费级N沟道MOSFET采用超小型DFN3X3-8L封装，具有出色的散热性能与高功率密度。额定电压为30V，连续电流高达50A，适用于空间有限的电源转换、负载开关控制以及电池管理系统应用，实现高效能、低损耗的电路设计需求。
SMAJ24CA
SMA(DO-214AC)
MXsemi
晶体管
5000个/圆盘
此款SMA封装的TVS瞬态抑制二极管为Bi双向类型，专为高效能双向过电压保护设计。具有24V的稳定双向反向工作电压VRWM，在正负极性瞬变中均表现出色，可承受峰值脉冲电流IPP高达10.3A。它能够快速响应并精确钳位瞬间高压，有效防止雷击、静电放电等引起的电路损坏，是电源线、信号线以及各类电子设备理想的瞬态保护解决方案。
AONR36368
DFN-8L(3x3)
MXsemi
晶体管
5000个/圆盘
本款消费级N沟道MOSFET采用紧凑型DFN3X3-8L封装，提供卓越的功率密度。额定电压为30V，连续电流高达60A，适用于小型化电源转换、高效负载开关以及电池管理系统应用，实现空间节省与高性能的理想结合。
MX80N03NF
DFN-8L(5x6)
MXsemi
晶体管
5000个/圆盘
此款消费级N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装，额定电压30V，连续电流高达80A。专为高性能电源转换、电机驱动和电池管理系统设计，具备卓越的功率处理能力和紧凑尺寸，是现代高密度电子应用的理想选择。
IRFS4310ZTRLPBF
TO-263
MXsemi
晶体管
800个/圆盘
此款N沟道消费级MOSFET采用TO-263封装，专为处理高电流、大功率应用设计。具备100V的额定电压和惊人的260A连续工作电流能力，尤其适用于电机驱动、电源转换器及高功率开关电路，提供卓越的导通性能与散热效能，是大型工业级电子设备及高端消费电子产品不可或缺的核心组件。
BSC097N06NS
DFN-8L(5x6)
MXsemi
晶体管
5000个/圆盘
该N沟道消费级MOSFET采用DFN5X6-8L封装，专为高电流应用设计。额定电压60V，能承载高达65A连续电流，尤其适用于电源转换、电池管理系统及大功率电子设备，具备低导通电阻与高效散热性能，是现代紧凑型系统理想的高性能半导体组件。
CJ3139K
SOT-723
MXsemi
晶体管
8000个/圆盘
负载/电源开关放大电路高频通信设备接口，逻辑交换超小型便携式电子产品的电池管理
SiS407DN
DFN-8L(3x3)
MXsemi
晶体管
5000个/圆盘
本款消费级P沟道MOSFET采用DFN3X3-8L封装，体积小巧、性能优越。额定电压20V，连续电流承载能力高达30A，专为现代电子设备设计，应用于电源转换、负载开关控制及电池管理系统，实现高效能与紧凑布局的完美结合。
MX3401AI
SOT-23
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，专为30V系统设计，具备4.2A大电流处理能力。具有低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于充电器、电源转换等设备中，实现高效、可靠的功率控制与切换功能。
BSC0702LS
DFN-8L(5x6)
MXsemi
晶体管
5000个/圆盘
这款高性能N沟道消费级MOSFET采用紧凑型DFN5X6-8L封装，专为处理高电压、大电流应用设计。器件具有60V额定电压和高达125A的连续电流能力，尤其适用于电池管理系统、电源转换器及大功率电机驱动场合，提供卓越的导通性能与散热效率，是现代高效电子设备的核心组件。
MX60N03DF
DFN-8L(3x3)
MXsemi
晶体管
5000个/圆盘
这款消费级N沟道MOSFET采用DFN3X3-8L封装，紧凑而高效，额定电压30V，连续电流高达60A。专为现代电子产品的小型化需求设计，适用于电源转换、负载开关以及电池管理系统等应用场合，提供卓越的功率处理能力和空间利用率。
NVMFD5853NL
DFN-8L(5x6)
MXsemi
晶体管
5000个/圆盘
本款消费级N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装，额定电压40V，连续电流高达50A。专为高效电源转换、电机驱动及电池管理系统设计，具备卓越的功率密度与散热性能，是现代电子产品小型化和高性能应用的理想选择。
AO3407
SOT-23
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
该款消费级P沟道MOSFET采用紧凑SOT-23封装，额定电压30V，可承载4.1A连续电流。具备低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电器、电源转换等领域，为电子设备提供高效、稳定的功率控制解决方案。
AO4884
SOP-8
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
本款消费级MOSFET采用SOP-8封装，内置高效N+N沟道设计，额定电压40V，连续电流高达8A。适用于充电器、电源管理、逆变器等高功率应用场合，具备低导通电阻和卓越的开关性能，有效提升系统效率并确保稳定运作，是电子设备的理想功率控制组件。
IRLR8726TRLPBF
TO-252-2L
MXsemi
晶体管
2500个/圆盘
该消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，具有30V工作电压和高达100A的连续电流承载能力，适用于高功率电源转换、电机驱动等应用场合，提供高效能、低损耗的开关控制解决方案。
MX3012GD
TO-252-4L
MXsemi
晶体管
2500个/圆盘
本款消费级N+P沟道MOSFET采用TO-252-4L封装，具备30V工作电压和稳定20A电流处理性能。专为实现高效双极性电源切换与控制设计，适用于各类低压消费电子产品，是提升系统能效与可靠性的理想半导体组件。
HD6955
TO-252-2L
MXsemi
晶体管
2500个/圆盘
本款消费级P沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，具有60V高工作电压及20A稳定电流承载力。专为中高压环境下消费电子产品设计，实现卓越的电源转换效率与系统稳定性，是优化电路性能的理想半导体元件选择。
IRLML5203TRPBF
SOT-23
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
这款消费级P沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，额定电压30V，具备4.2A大电流处理能力。具有卓越的低导通电阻和快速开关性能，适用于充电器、电源管理等应用场合，提供高效、稳定的功率转换与控制功能。
HD7258
TO-252-2L
MXsemi
晶体管
2500个/圆盘
该消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压100V，峰值电流高达30A，专为高功率电子设备设计，应用于电源转换、电机驱动等场合，提供强大且高效的开关控制与卓越的功率管理功能。
MX4606S
SOP-8
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
此款消费级N+P沟道MOSFET封装于SOP-8，专为高效能双向电源控制打造。额定电压30V，最大连续电流6A，适合电池管理系统、AC/DC转换及各类消费电子产品。集成双极性通道，提供优越的开关特性和低导通电阻，确保在正负电压下稳定工作，提升系统效能与节能表现。
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