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晶体管
型号
封装
品牌
分类
圆盘信息
描述
5N10
SOT-23-3L
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23-3L封装技术，额定电压100V，具备5A大电流处理能力。拥有低导通电阻和快速开关性能，适用于充电器、电源转换等应用场合，提供高效能与稳定的功率控制解决方案。
9926A
SOP-8
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
此消费级MOSFET采用紧凑型SOP-8封装，内置双N沟道设计，专为优化电源管理打造。额定电压20V，最大连续电流6A，适用于各类中低电压、高效率开关应用。卓越的导通性能与低RDS(ON)，使之成为充电器、LED驱动、DC/DC转换等领域的理想选择。
HS2198
SOP-8
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
这款消费级N+P沟道MOSFET采用SOP-8封装，具备40V额定电压和7.2A高连续电流处理能力。专为高效双向电源转换、电池管理系统设计，适用于多种消费电子产品。集成双极性通道实现正负电压控制，低导通电阻与卓越的开关性能相结合，确保系统稳定可靠且节能。
BSS84AK
SOT-23
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，专为50V电压应用设计，额定电流0.1A。具有低导通电阻和快速开关性能，尤其适用于需要精细功率控制的场合，如电池保护、信号切换等，提供高效稳定的半导体解决方案。
NX7002AK
SOT-23
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
NX7002AK是一款N沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，专为高效、小型化电路设计。该器件具有60V的漏源电压额定值(VDSS)，可承载0.3A的连续漏极电流(ID)，其独特之处在于具有低至1000mR的导通电阻(RD(on))，有效降低系统能耗并提升工作效率。广泛应用在电源转换、负载开关控制、电机驱动等多个领域，是您追求高性价比和节能效果的理想半导体元件。
AO3416A
SOT-23
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
这款N沟道消费级MOSFET采用小型SOT-23封装，专为20V电压下中等电流应用设计。额定连续电流高达6A，适用于电源转换、负载开关和电池管理系统，具备低导通电阻和卓越的热性能，是现代便携式电子设备的理想功率管理组件。
AO3415A
SOT-23
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
该P沟道消费级MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，专为20V电压下的高效能应用设计。额定连续电流5A，尤其适用于电源转换、电池保护和负载开关控制，具备低导通电阻与优良热性能，是现代电子设备理想的低电压功率管理元件。
IRLML6244TRPBF
SOT-23
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
此款消费级N沟道MOSFET采用高效SOT-23封装，专为20V电压系统设计，具备6A高连续电流承载能力。拥有低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及各类高性能电子应用中，提供稳定且节能的功率转换解决方案。
MX50N03DF
DFN-8L(3x3)
MXsemi
晶体管
5000个/圆盘
这款消费级N沟道MOSFET采用超小型DFN3X3-8L封装，具有出色的功率密度。额定电压30V，连续电流高达50A，特别适合于紧凑空间内的高效电源转换、负载开关控制以及电池管理系统等应用场合，提供卓越的性能与可靠性。
SI9945BDY-T1
SOP-8
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
此款SOP-8封装的消费级双N沟道MOSFET，专为高耐压、大电流应用设计，额定电压60V，连续通过电流高达6.5A。卓越的开关效能与低导通电阻使其成为充电器、电源模块和高效能电子设备的理想选择，确保在各种电源转换场景下实现可靠且节能的性能表现。
AO3400
SOT-23-3L
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
此款消费级MOSFET采用紧凑型SOT-23-3L封装，具有高效能N沟道设计，额定电压30V，最大连续电流5.8A，适用于各类电源转换和开关应用场合，以其卓越的性能与小巧体积，为电子设备提供稳定可靠的功率管理方案。
AO4612
SOP-8
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
此消费级N+P沟道MOSFET采用SOP-8封装，专为处理60V电压下的正负极性切换而设计，提供5A连续电流能力。适用于电池管理、电源转换器等应用领域，具有双通道结构和优越的开关性能，确保低导通电阻与高效能运作，是现代电子设备的理想功率控制组件。
IRFB4410ZPBF
TO-220
MXsemi
晶体管
50个/圆盘
这款TO-220封装的N沟道消费级MOSFET，专为处理高电压、大电流应用场景设计。额定电压100V，能承载70A连续电流，适合于电源转换器、电机驱动及各类高压负载开关应用，提供低导通电阻和卓越的散热性能，是构建高效能电子系统时的理想功率半导体器件。
HT7202
TOLL
MXsemi
晶体管
2000个/圆盘
本款消费级N沟道MOSFET采用大电流封装TOLL，具备80V的额定电压和高达400A的连续电流处理能力，专为高功率应用设计。适用于电源转换、电机驱动及大型负载开关场景
BSC098N10NS5
DFN-8L(5x6)
MXsemi
晶体管
5000个/圆盘
此款消费级N沟道MOSFET采用紧凑型DFN5X6-8L封装，具备卓越的散热性能。额定电压100V，连续电流高达80A，特别适用于空间受限且需高效能电源转换、大电流负载控制及电池管理系统等应用场合，提供强大的功率处理能力和高可靠性。
AON7430
DFN-8L(3x3)
MXsemi
晶体管
5000个/圆盘
本款消费级N沟道MOSFET采用DFN3X3-8L封装，体积小巧且高效能，额定电压30V，连续电流高达30A。适用于空间有限的电源转换、负载开关以及电池管理系统应用，为现代电子产品提供紧凑、高功率密度的半导体解决方案。
MX70N03NF
DFN-8L(5x6)
MXsemi
晶体管
5000个/圆盘
本款消费级N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装，额定电压30V，连续电流高达70A。适用于高效电源转换、电机驱动和电池管理系统，凭借其卓越的功率密度与散热性能，满足现代电子设备对高电流处理能力的需求。
MX20P06DF
DFN-8L(3x3)
MXsemi
晶体管
5000个/圆盘
本款消费级P沟道MOSFET采用DFN3X3-8L封装，额定电压60V，连续电流高达20A。专为现代紧凑型电子设备设计，适用于电源转换、负载开关控制及电池管理系统，提供卓越的能效比与空间利用率。
STD20NF06L
TO-252-2L
MXsemi
晶体管
2500个/圆盘
型号STD20NF06L的N沟道MOS管，选用经典的TO-252-2L封装形式，适合各类电路设计需求。该器件具备60V的高额定电压VDSS和20A的强大电流承载能力，可在高压环境下保持稳定性能。其导通电阻RD(on)仅为27mΩ，有效提升功率转换效率，降低功耗。这款MOS管广泛应用于电源转换、电机驱动、高频开关等领域，是您实现高效能电子设备设计的理想半导体元器件。
MX20N10D
TO-252-2L
MXsemi
晶体管
2500个/圆盘
该消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压100V，峰值电流可达20A，适用于高功率电子设备的电源转换、电机驱动等应用场合，提供高效能、低损耗的开关控制功能。
IRLML6401
SOT-23
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，专为20V电压系统设计，提供高达5A的连续电流处理能力。具备低导通电阻与快速开关性能，适用于充电器、电源转换及各类电子设备中的高效功率控制与切换需求。
MX2305AI
SOT-23
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，专为20V系统设计，提供5A大电流处理能力。具备低导通电阻与快速开关特性，广泛应用于充电器、电源转换及各类电子设备中，实现高效能、稳定可靠的功率控制。
MX3400MI
SOT-23-3L
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23-3L封装，适用于30V电压系统，额定电流高达5.8A。具备低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电器、电源转换等领域，为电子设备提供高效、稳定的功率控制解决方案。
BSS138K
SOT-23
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
该款消费级N沟道MOSFET采用小型SOT-23封装，专为50V电压系统设计，提供精细的0.2A电流控制。具备低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于电池保护、智能设备及各类小电流电子应用中，实现高效且精确的功率管理。
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