二极管-三极管-晶体管-MOS场效应管-桥堆生产厂家-深圳兆信半导体MXsemi

SOT-23-3L

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

RTR025P02FRA是一款P沟道MOSFET，采用微型SOT-23-3L封装，适用于空间受限和高集成度的电路设计。器件特性包括最大漏源电压(VDSS)为20V，可稳定提供4.1A的漏极电流(ID)，且导通电阻(RD(on))低至34mR，确保在低电压应用环境下也能实现高效能和低功耗。这款MOS管广泛应用于电源转换、负载开关控制、低压电子设备中，是优化系统性能的理想半导体元件。

PMF63UNE

SOT-323

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

PMF63UNE是一款紧凑型N沟道MOSFET，采用微型SOT-323封装，专为高集成度电路设计。该器件提供20V的最大漏源电压(VDSS)，支持稳定的2A漏极电流(ID)，其特点在于拥有49mΩ的低导通电阻(RD(on))，有助于提升电路效率并降低功耗。此款MOS管广泛应用于便携设备、电源管理、信号切换等方面，是实现小型化、高效能电子系统的重要元件。

RQ3E130MN

DFN-8L(3x3)

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场效应管(MOSFET)

5000个/圆盘

RQ3E130MN是一款高性能N沟道MOSFET，采用小型化DFN3X3-8L封装，专为大电流、低阻抗应用设计。器件提供30V的漏源电压(VDSS)，在6mR的超低导通电阻(RD(on))下，能够承载高达60A的漏极电流(ID)。广泛应用于开关电源、电池管理系统、电机驱动等领域，凭借其出色的电流承载能力和卓越的能效性能，是优化系统效能、降低能耗的理想半导体元件。

IRFH3702PBF

DFN-8L(3x3)

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场效应管(MOSFET)

5000个/圆盘

IRFH3702PbF是一款高性能N沟道MOSFET，采用紧凑型DFN3X3-8L封装，满足现代化小型化电路设计要求。其拥有30V的最大漏源耐压(VDSS)，具备强大瞬态响应能力，可持续提供高达60A的漏极电流(ID)。尤为突出的是，导通电阻仅6mΩ(RD(on))，显著降低功率损耗，确保在大电流运行环境下也能保持高效能表现。本产品广泛适用于电源转换、马达驱动、高频开关等领域，为高端电子产品提供强劲动力支持。

AON7380

DFN-8L(3x3)

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场效应管(MOSFET)

5000个/圆盘

AON7380是一款高性能N沟道MOSFET，采用DFN3X3-8L先进封装，专为大电流、低损耗应用设计。器件具有30V的漏源电压(VDSS)，能在仅6mR的超低导通电阻(RD(on))下，承载高达60A的漏极电流(ID)。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，其卓越的电流处理能力和能效表现，使之成为优化系统性能、降低能耗的理想半导体元件。

NTMS4177P

SOP-8

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

NTMS4177PP沟道MOSFET采用经济实用的SOP-8封装，专为高电流应用需求设计。器件具有30V的最大漏源电压(VDSS)，可承载12A的强大连续电流，且导通电阻仅为10mΩ，确保在高功率操作下仍维持高能效与低热耗损。广泛应用在电源转换、电机驱动控制、电池管理系统等领域，以其卓越的电流承载力与良好的电气性能，为您的电路设计提供坚实支撑。

IRF9956PBF

SOP-8

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

IRF9956PbF为SOP-8封装，是一款高性能N+N沟道MOSFET，专为中高功率应用设计。其特点是最大工作电压VDSS为30V，可承载6A的漏极电流，并具有低至25mΩ的导通电阻RD(on)，确保高效能和低功耗。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等场合，是您实现高集成度和节能目标的理想MOS管器件。

SM4800PRL

SOP-8

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

SM4800PRL是一款高性能N+N沟道MOSFET，采用紧凑型SOP-8封装设计，专为高效率电子设备提供强大电流控制能力。关键特性包括最大工作电压VDSS为30V，支持高达6A的连续漏极电流，确保在高功率应用中表现出色；其25mΩ的超低导通电阻RD(on)，有效减少功率损耗，提高系统能效。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，是您追求高集成度与节能方案的理想MOS管选择。

IRF7313PBF

SOP-8

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

IRF7313PbF是一款高性能N+N沟道MOSFET，采用标准SOP-8封装，专为现代高功率密度电子设计提供强大支持。器件特性卓越最大工作电压VDSS高达30V，可承载6A连续漏极电流，确保强大电流处理能力；其超低导通电阻RD(on)仅为25mΩ，有效降低功耗，提升系统效率。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，是您实现高效、节能设计的理想MOS管器件选择。

NTTFS4824N

DFN-8L(3x3)

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场效应管(MOSFET)

5000个/圆盘

NTTFS4824N型号N沟道MOS管，采用DFN3X3-8L封装，结合小型化与高效散热特性，特别适合高密度电路板设计。器件提供30V的额定电压VDSS，支持最大100A连续电流ID，展现了强大的电力传输性能。尤为突出的是，其导通电阻低至4mR，有效提高系统效率，减少功耗。

CSD17578Q3A

DFN-8L(3x3)

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场效应管(MOSFET)

5000个/圆盘

CSD17578Q3AN沟道MOSFET采用先进的DFN3X3-8L封装技术，实现小型化与高效散热的完美结合。该器件性能卓越，具有30V的最大漏源电压(VDSS)，支持高达60A的连续工作电流，其导通电阻(RD(on))低至6mΩ，确保了出色的能效比和低功耗表现。广泛应用在电源转换、电池管理系统、电机驱动等领域，是提升系统性能与节能效果的理想半导体组件。

SI1012R-T1-GE3

SOT-523

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

SI1012R-T1-GE3是一款采用微型SOT-523封装的高品质N沟道MOSFET。它具备卓越的电气性能，工作电压VDSS高达20V，可承载最大连续电流ID为0.8A，而且拥有极为出色的导通电阻RD(on)仅100mR，有助于提升系统能效并减小能耗。此款MOS管适合用于电源转换、电池供电设备、智能家居产品及其他空间受限但需高性能开关功能的场合，是工程师优化电路设计的理想选择。

SM32314D1RL

DFN-8L(3x3)

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场效应管(MOSFET)

5000个/圆盘

SM32314D1RLN沟道MOSFET，采用先进DFN3X3-8L封装技术，结构紧凑，节省电路板空间。该器件具有30V的最高耐压（VDSS），并提供高达60A的持续漏极电流（ID），性能强大稳定。尤为值得一提的是其出色的导通电阻仅为6mΩ（RD(on)），有效减少了能耗，提升了系统的功率转换效率。这款MOS管非常适合应用于高功率密度的开关电源、电机驱动控制以及高电流管理方案中。

CSD17579Q3A

DFN-8L(3x3)

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场效应管(MOSFET)

5000个/圆盘

CSD17579Q3AN沟道MOSFET，采用紧凑型DFN3X3-8L封装，专为高效空间利用而设计。该器件拥有30V的最大额定电压（VDSS），并可承载强大的60A连续漏极电流，性能卓越。尤其突出的是其超低的导通电阻6mΩ（RD(on)），显著减少功率损耗，提高整体工作效率。这款MOS管适用于各类高性能开关电源、马达驱动及大电流控制场景，是工程师的理想之选。

IRLML2502PBF

SOT-23

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

IRLML2502PbF是一款高性能N沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，专为高效率和小型化电子应用设计。器件提供20V的最大漏源电压(VDSS)，并能承载6A的连续漏极电流(ID)，其卓越的22mΩ导通电阻(RD(on))确保了在低功耗条件下仍能保持高能效。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，是构建节能、紧凑型电子解决方案的理想半导体组件。

SQ2308CES-T1_GE3

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

SQ2308CES-T1_GE3N沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，专为现代电子设备的小型化设计打造。器件具备强大性能参数最大漏源电压(VDSS)高达60V，持续电流(ID)高达3A，且导通电阻(RD(on))仅为80mΩ，确保在高负荷条件下仍能保持优异的能源效率和散热性能。广泛适用于电源转换、电机驱动、负载开关等应用场景，以出色的效能和稳定性，为您提供电路设计的上乘之选。

FDS6675

SOP-8

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

FDS6675P沟道MOSFET采用紧凑型SOP-8封装，具备优良的电流处理能力。器件特点是30V的最大漏源电压(VDSS)，能够稳定传输高达12A的连续电流，且导通电阻低至10mΩ，有助于增强系统效率，降低能耗。广泛应用在电源转换、电机控制、负载开关等高电流应用场景中，以其出色的性能和高可靠性，成为优化电路设计的理想半导体元件。

NTTFS4939N

DFN-8L(3x3)

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场效应管(MOSFET)

5000个/圆盘

NTTFS4939N是一款N沟道MOSFET，采用紧凑型DFN3X3-8L封装设计，专为高效能、空间受限的电路应用打造。在30V电压VDSS下稳定运行，提供高达100A的连续电流处理能力，展现卓越电力传输性能。其亮点在于拥有4mR的超低导通电阻RD(on)，有效减少功耗，提升系统能效。NTTFS4939N适用于电源转换、电机驱动、以及其他需要高性能低损耗半导体元件的场合。

NTMFS4C025N

DFN-8L(3x3)

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场效应管(MOSFET)

5000个/圆盘

NTMFS4C025N型号N沟道MOS管采用DFN3X3-8L封装，实现小型化与高效散热，满足高密度电路板设计需求。器件额定电压VDSS为30V，具备强大的100A连续电流ID承载能力，彰显卓越的电力控制性能。其4mR的超低导通电阻，有助于大幅度提高系统能效，减少功率损耗。

CSD16340Q3

DFN-8L(3x3)

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场效应管(MOSFET)

5000个/圆盘

CSD16340Q3型号N沟道MOS管，采用先进的DFN3X3-8L封装技术，将小型化与高效散热相结合，专为高密度电子设备设计。该器件具备30V的额定电压VDSS，能稳定承载100A的连续电流ID，展现出强大的功率处理能力。其导通电阻仅为4mR，极大地提高了系统能效，降低了功耗。

NTTFS4C06N

DFN-8L(3x3)

MXsemi

场效应管(MOSFET)

5000个/圆盘

NTTFS4C06N型号N沟道MOS管采用先进DFN3X3-8L封装技术，集小巧体积与高效散热于一体，适用于各类高密度电子设计。器件拥有30V额定电压VDSS，可承载高达100A的连续电流ID，充分展现强大的电力传输性能。其独特优势在于仅4mR的超低导通电阻，有效提高系统能效并减少损耗。

NVTFS4C13N

DFN-8L(3x3)

MXsemi

场效应管(MOSFET)

5000个/圆盘

NVTFS4C13NN沟道MOSFET采用小型化DFN3X3-8L封装，专为高集成度电路设计，体积小但性能强劲。该器件具有30V的电压额定值（VDSS），并能在高功率条件下承载60A的连续漏极电流，展现出卓越的电流承载力。其导通电阻低至6mΩ（RD(on)），有助于降低系统损耗，提升整体能效。此款MOS管适用于电源转换、电机驱动、高功率开关电路等各种高电流与高效率应用场合。

CSD16411Q3

DFN-8L(3x3)

MXsemi

场效应管(MOSFET)

5000个/圆盘

CSD16411Q3N沟道MOS管，采用先进的DFN3X3-8L封装工艺，小巧轻便，适用于高密度电路设计。具备30V的耐压等级（VDSS）和高达60A的连续漏极电流（ID），确保卓越的电力处理能力。其导通电阻仅为6mΩ（RD(on)），有效降低功耗，提升系统能效。此款MOS管是您在高频开关电源、电机驱动等应用中的理想选择。

FDS6675BZ

SOP-8

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

FDS6675BZP沟道MOSFET采用SOP-8封装工艺，专为高效能、大电流应用设计。该器件具有30V的最大漏源电压(VDSS)，并能持续承载高达12A的大电流，其突出优势在于仅有10mΩ的导通电阻，确保在高功率状态下也能展现出卓越的能效表现。广泛应用在电源转换、电机驱动、负载开关等领域，以强大的电流处理能力和绝佳的电气性能，为您的电路设计提供强有力的支持。