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场效应管(MOSFET)
型号
封装
品牌
分类
圆盘信息
描述
CSD17581Q5A
DFN-8L(5x6)
MXsemi
场效应管(MOSFET)
5000个/圆盘
CSD17581Q5A型号N沟道MOS管采用DFN5X6-8L封装，小巧轻便，散热性能佳，适用于高集成度电路设计。器件额定电压VDSS为30V，可承载高达120A的连续电流ID，展现卓越的功率处理能力。其突出特点是导通电阻低至3.5mR，有助于提升系统能效并降低功耗。
SIRA12DP-T1-GE3
DFN-8L(5x6)
MXsemi
场效应管(MOSFET)
5000个/圆盘
SIRA12DP-T1-GE3型号N沟道MOS管，采用紧凑型DFN5X6-8L封装，兼顾小型化与高效散热性能，特别适合于高集成度电路设计。器件支持30V额定电压VDSS，提供高达120A的连续电流ID，展现了卓越的功率处理能力。其导通电阻仅为3.5mR，极大提升了能源转换效率，降低了系统损耗。
IRFH8324PBF
DFN-8L(5x6)
MXsemi
场效应管(MOSFET)
5000个/圆盘
IRFH8324PbF型号N沟道MOS管，采用先进的DFN5X6-8L封装形式，结合了高效散热与小型化特点。器件额定电压VDSS为30V，支持高达120A的连续电流ID，展现了卓越的功率处理能力。其低至3.5mR的导通电阻，有效提升了能源转换效率，减少了系统损耗。广泛应用在快速充电设备、大电流开关电源等领域，出厂前历经严格质量测试，确保在各类苛刻环境中提供稳定、高效的性能输出。
FDS6930B
SOP-8
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
FDS6930B是一款高性能N+N沟道MOSFET，采用标准SOP-8封装，专为现代高功率密度电子设备提供卓越的电流处理能力。其关键特性包括最大工作电压VDSS高达30V，可稳定传导6A的漏极电流；得益于其25mΩ的超低导通电阻RD(on)，显著降低了系统功耗，提升了整体能效。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，是您追求高效率与节能设计的理想MOS管器件选择。
SI1012X-T1-GE3
SOT-523
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
SI1012X-T1-GE3是一款采用先进SOT-523封装技术的高性能N沟道MOS管。器件具有强大而稳定的电气性能，额定电压VDSS高达20V，可持续提供0.8A的最大电流ID，同时拥有出色的导通电阻RD(on)低至100mR，确保高效低耗运行。这款MOS管广泛应用于各类电源转换、负载驱动、便携设备以及智能硬件领域，凭借其卓越的性能和紧凑封装，为用户在设计过程中实现最佳的功率管理方案。
SM95N03AD1RL
DFN-8L(5x6)
MXsemi
场效应管(MOSFET)
5000个/圆盘
SM95N03AD1RL是一款N沟道MOSFET，采用小型化DFN5X6-8L封装，专为高密度、高性能电路设计。该器件能在30V电压VDSS下稳定工作，提供高达80A的连续电流，确保强大而稳定的电力传输。其独特优势在于拥有4.3mR的超低导通电阻RD(on)，有效降低了功率损耗，提高了整体能效。SM95N03AD1RL适用于电源转换、电机驱动、以及其他要求高效低耗的半导体应用领域。
FDMS0312AS
DFN-8L(5x6)
MXsemi
场效应管(MOSFET)
5000个/圆盘
FDMS0312AS是一款高性能N沟道MOSFET，采用紧凑型DFN5X6-8L封装技术，专为高效率、低功耗应用设计。在30V电压VDSS下，该器件能够稳定处理高达80A的连续电流，体现卓越的电流承载能力。其关键特性在于仅有4.3mR的超低导通电阻RD(on)，显著提升能效，减少系统损耗。FDMS0312AS适用于电源转换、电机驱动、以及其他需要高效半导体组件的场合。
NVTFS015N04C
DFN-8L(3x3)
MXsemi
场效应管(MOSFET)
5000个/圆盘
NVTFS015N04CN沟道MOS管采用紧凑型DFN3X3-8L封装，提供出色的散热性能和空间节省优势。该器件支持40V的工作电压VDSS，具备处理60A连续漏极电流ID的能力，特别适用于高电流应用。其导通电阻RD(on)低至6.9mΩ，显著减少系统功率损耗，提升整体能效。广泛应用在电源转换、电机驱动、新能源等领域，NVTFS015N04CMOS管是实现高效、节能半导体解决方案的关键组件。
NVTFWS015N04C
DFN-8L(3x3)
MXsemi
场效应管(MOSFET)
5000个/圆盘
NVTFWS015N04CN沟道MOS管采用小型DFN3X3-8L封装，集成了高效散热和空间优化特性。器件支持40V工作电压VDSS，能够承载60A的大电流ID，特别适应于高电流应用场合。其核心亮点在于导通电阻RD(on)仅为6.9mΩ，助力系统降低功耗、提升能效表现。广泛应用于电源转换、电机驱动等领域，NVTFWS015N04CMOS管是设计者实现高效、节能方案的理想半导体元件选择。
DMP3020LSS
SOP-8
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
DMP3020LSS是一款采用SOP-8封装的高性能P沟道MOS管，专为高效能应用设计。其拥有30V的漏源电压VDSS和11A的连续电流ID承载力，尤其适合于中大电流开关电路。导通电阻RD(on)低至12.5mR，有效减少了功率损耗，提升了整体能效。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池保护模块等领域，是实现低损耗、高效率电路的理想选择。
FDS6670A
SOP-8
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
FDS6670A是一款高性能N沟道MOSFET，采用SOP-8封装形式，专为高效率、大电流应用设计。该器件拥有30V的最大漏源电压VDSS，可承载高达18A的连续漏极电流ID，确保在高功率系统中保持稳定性能。其独特之处在于其超低导通电阻RD(on)仅为5.5mΩ，有效降低功率损耗，提升整体能效。FDS6670AMOS管适用于电源转换、电机驱动及其它高电流场合，以卓越的电气性能为您的设计带来更高水准的可靠性与效率。
MX150N03NF
DFN-8L(5x6)
MXsemi
场效应管(MOSFET)
5000个/圆盘
此款消费级N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装，具备30V额定电压和高达150A连续电流承载能力。专为高效电源转换、大电流负载控制及电池管理系统设计，提供卓越的功率密度与散热性能，实现现代电子产品的小型化与高性能需求。
IRFR1205TRPBF
TO-252-2L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
本款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，具备60V的漏源电压和30A的最大连续电流，适用于各类高效电源转换、电机驱动及中高功率开关控制场合。凭借卓越的性能与稳定性，为电路设计提供强大动力支持。
SI4435DYTRPBF
SOP-8
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
本款消费级P沟道MOSFET封装于SOP-8，特别适用于空间有限的电路设计。额定电压30V，可承载最大连续电流11A，是电源转换、负载切换以及防止反向电流的理想选择，助力电子产品实现高效能、低损耗的功率管理。
IRF7416TRPBF
SOP-8
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
这款消费级P沟道MOSFET采用紧凑型SOP-8封装，专为30V电压系统设计，具有高达9A的连续电流处理能力。器件具备出色的开关效率与低导通电阻特性，广泛应用在电池保护、电源管理及高功率负载切换等领域，是提升电子设备能效的理想选择。
IRFR024NTRPBF
TO-252-2L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
本款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压60V，提供强大的30A电流处理能力。适用于各类中高压开关应用场合的消费电子产品，具备高效能、低导通电阻和卓越的系统稳定性，是电源转换与负载驱动的理想之选。
AO4402
SOP-8
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
这款消费级N沟道MOSFET采用SOP-8封装，具有20V额定电压及高达20A连续电流。专为中等功率电子设备设计，应用于电源转换、负载控制和电池管理系统，以紧凑体积提供高效能半导体解决方案。
AOD558
TO-252-2L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
这款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压30V，最大连续电流高达80A，专为高功率电子设备设计，如电源转换器和电机驱动系统，提供出色的开关性能及低损耗表现。
FDD306P
TO-252-2L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
该消费级N沟道MOSFET封装为TO-252-2L，具备20V电压额定值及高达60A的连续电流处理能力，专为高电流应用场景设计，如电源转换、大功率负载控制，实现高效能、低损耗开关操作。
NTD25P03LG
TO-252-2L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
此款消费级P沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压30V，可稳定承载20A电流。专为低压、高效率的消费电子开关应用设计，提供出色的导通性能和能效表现，是提升电源转换系统性能与可靠性的理想半导体组件。
SM4286T9RL
TO-252-2L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
该消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，具备100V高耐压及20A连续电流处理能力，专为高性能电子设备设计，应用于电源转换、电机驱动等领域，提供低损耗、高效能的开关控制功能。
MX4410S
SOP-8
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
本款消费级N沟道MOSFET采用SOP-8封装，额定电压30V，连续电流高达15A。专为中等功率应用设计，如电源转换、负载开关控制及电池管理系统，具有高效率与紧凑体积，是现代电子设备的理想集成组件。
MX4407S
SOP-8
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
此款消费级P沟道MOSFET采用小型化SOP-8封装，专为30V电压环境设计，提供高达12A的连续大电流处理能力。器件具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于电池保护、电源转换器以及高效能电子设备的功率控制解决方案中。
HS1195
SOP-8
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
这款消费级P+P沟道MOSFET采用SOP-8封装，专为30V系统设计，具备双P沟道结构以实现高效能正向导通。额定电流高达8.5A，适用于电池保护、电源切换等应用场景，凭借其出色的低导通电阻与快速开关性能，成为现代电子设备理想的高功率控制元件。
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