二极管-三极管-晶体管-MOS场效应管-桥堆生产厂家-深圳兆信半导体MXsemi

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

Si2304DDS-T1-GE3是一款高效能N沟道MOSFET，采用小型SOT-23封装，适合空间有限的电路设计。该器件提供了30V的最大漏源电压(VDSS)，并可支持4A连续漏极电流(ID)，确保出色的电流处理性能。其导通电阻(RD(on))低至29mΩ，有效减小功耗，提升系统效率。广泛应用于电源转换、电机驱动、负载开关等多种场景，是您的高集成度、节能型半导体解决方案的理想选择。

NDS351AN

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NDS351AN是一款高效的N沟道MOS管，采用紧凑型SOT-23封装设计，特别适合空间有限且需高性能的应用环境。该器件支持最大漏源极电压VDSS为30V，并能在持续状态下处理高达4A的漏极电流。其核心技术亮点是极低的29mΩ导通电阻RD(on)，大大提升了能源利用效率，减小了系统损耗。广泛应用在电源转换、电机驱动及各类负载开关场合，是您追求高性能与节能效果的理想半导体组件。

FDN361BN

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FDN361BNN沟道MOS管采用紧凑型SOT-23封装，实现小巧尺寸与高性能的完美融合。器件在30V的VDSS下稳定工作，可承载高达4A的连续漏极电流，表现出色。其核心优势在于29mΩ的超低导通电阻RD(on)，显著优化系统效率，降低能耗，适用于各类要求严苛的电源开关、负载切换以及电池管理系统，是工程师高效能设计的理想之选。

BSH108

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BSH108是一款N沟道MOSFET，采用小巧的SOT-23封装，专为现代高密度电子设计提供灵活解决方案。其关键性能参数包括最大工作电压VDSS高达30V，支持4A的连续漏极电流，确保强大驱动力；导通电阻RD(on)低至29mΩ，实现高效能与低功耗。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，是您追求高性能与节能效果的理想MOS管器件。

Si2304BDS-T1-GE3

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Si2304BDS-T1-GE3是一款高性能N沟道MOSFET，采用SOT-23封装，专为紧凑型电子设备设计。器件具有30V的最大漏源电压(VDSS)和4A连续漏极电流(ID)，提供强大的电流处理能力。其低至29mΩ的导通电阻(RD(on))，有利于降低系统功耗并提高能效。适用于电源转换、电机驱动、负载开关等多种应用场合，是追求高集成度与节能效果的理想半导体组件。

Si2316BDS-T1-GE3

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Si2316BDS-T1-GE3是一款高效能N沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，专为现代微小化电子设计。其关键特性包括30V的最大漏源电压(VDSS)，能承载4A连续漏极电流(ID)，确保强大的电流处理能力。导通电阻(RD(on))仅为29mΩ，有效减少功耗，提升系统能效比。这款MOS管广泛应用在电源转换、负载开关、电机驱动等场景，以卓越的性能与稳定性成为高集成度、低功耗解决方案的理想组件。

ZXM61N03F

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ZXM61N03F是一款高性能N沟道MOSFET，采用小型化SOT-23封装，特别针对空间有限的电路设计需求。器件可在30V的VDSS电压下稳定工作，提供4A的连续漏极电流，展现强大电力处理能力。其亮点在于仅为29mΩ的低导通电阻RD(on)，有效提升系统能效，降低功耗。广泛应用于电源转换、电机驱动、负载开关等场景，是实现高效率、小型化电子设备设计的理想半导体元件。

BSS316N

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BSS316N是一款N沟道MOSFET，采用节省空间的SOT-23封装，适用于紧凑型电路设计。器件支持高达30V的最大漏源电压(VDSS)，并能安全处理4A连续漏极电流(ID)，展现出优越的电流承载能力。其29mΩ的低导通电阻(RD(on))意味着在运行中将有效减少功耗，提升系统能效。广泛应用于电源转换、电机驱动、负载开关等各类电子设备，是高集成度与节能性能的理想半导体组件。

SM2306SRL

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SM2306SRL是一款高性能N沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，特别适用于小型化电子设备的设计需求。该器件关键特性包括最大工作电压VDSS高达30V，提供稳定的4A漏极电流输出；其低至29mΩ的导通电阻RD(on)确保了卓越的能效和低功耗表现。广泛应用于电源管理、电机驱动、电池充电控制器等场合，是您追求高集成度和节能效果的理想MOS管解决方案。

ZXMN3A01F

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ZXMN3A01F是一款高性能N沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，专为高效、节省空间的设计方案打造。该器件能在30V的VDSS电压下稳定运行，提供4A的最大连续漏极电流，满足高功率需求。其导通电阻RD(on)低至29mΩ，有效提升能源转换效率，降低损耗。广泛适用于电源转换、电机驱动、负载开关等各种场合，是实现高性能、节能电子设计的理想半导体元件。

NDS355AN

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NDS355AN是一款N沟道MOSFET，采用精巧的SOT-23封装，专为现代高集成度电子设计打造。该器件在30V的VDSS电压下运行稳定，可提供高达4A的连续漏极电流，展现强劲电力处理性能。其导通电阻RD(on)仅为29mΩ，极大提高了能源转换效率，降低了系统损耗。适用于电源转换、电机驱动、负载开关等多种应用场景，是兼顾高效能与小型化的理想半导体解决方案。

MGSF1N03LT1

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MGSF1N03LT1是一款高品质N沟道MOSFET，采用节省空间的SOT-23封装形式，尤其适合现代紧凑型电路设计。器件具有30V的VDSS耐压值，能够承受4A的连续漏极电流，表现卓越。其突出特点是仅29mΩ的超低导通电阻RD(on)，有效提高系统能效，降低损耗。此款MOS管适用于多种场景如电源转换、负载开关控制等，以其高性能与节能特性成为众多电子设计的理想元件选择。

DMN3051L

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DMN3051L是一款N沟道MOSFET，采用小巧的SOT-23封装形式，适宜紧凑型电路布局需求。其关键参数包括30V的最大漏源电压(VDSS)，可稳定承载4A的连续漏极电流(ID)，充分满足中高功率应用场景。独特之处在于其29mΩ的低导通电阻(RD(on))，有助于提高系统效率，减少能耗损失。DMN3051LMOS管以其优良的电气性能，广泛应用于电源转换、负载开关及各种便携式电子设备的电路设计中。

Si2306BDS-T1-GE3

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Si2306BDS-T1-GE3是一款N沟道MOSFET，采用轻巧的SOT-23封装，专为高集成度电路设计。器件提供30V的最大漏源电压(VDSS)，并可承载4A的连续漏极电流(ID)，确保稳定可靠的功率传输。其导通电阻(RD(on))仅为29mΩ，显著降低系统功耗，提升整体能效。这款MOS管凭借优秀的电气性能，广泛应用于电源转换、负载开关、马达驱动等多种电子设备中，是紧凑且高效能半导体解决方案的理想选择。

NTR4503N

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NTR4503N是一款高性能N沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，专为高效率和空间敏感的设计方案量身定制。该器件支持高达30V的漏源极电压(VDSS)，并能承载4A的连续漏极电流(ID)，展现卓越的电流处理性能。尤其引人注目的是，其29mΩ的超低导通电阻(RD(on))，使得系统能耗更低，效率更高。适用于电源转换、负载开关以及电机驱动等多种场合，是追求效能与节能的最佳半导体组件选择。

DMP3160L

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DMP3160L是一款P沟道MOSFET，采用节省空间的SOT-23封装，适用于各种紧凑型电路设计。该器件具有30V的高耐压值VDSS，能稳定输出4.1A电流，且导通电阻低至48mR，确保了在中高功率应用中的优秀能效表现。广泛应用于电源开关控制、电池管理系统以及各类负载驱动场合，是工程师追求高效、低损耗设计方案的上佳选择。

Si2307CDS-T1-E3

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Si2307CDS-T1-E3是一款高性能P沟道MOSFET，采用小巧的SOT-23封装，适应各类空间紧凑的电子设计需求。该器件具有30V的高工作电压VDSS，支持4.1A的连续电流ID，同时具备出色的48mR导通电阻，有效提升系统能效，降低功耗。广泛应用于电源管理、电池保护电路以及各类负载驱动场合，是您优化电路设计的理想选择。

Si2307BDS-T1-E3

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Si2307BDS-T1-E3MOS管是一款P沟道MOSFET器件，采用紧凑耐用的SOT-23封装，适用于各种小型化设计。它拥有30V的高工作电压VDSS和4.1A的大电流处理能力，确保在中高功率应用中的稳定性。此外，48mR的导通电阻实现了高效能量转换和低功耗运行。该产品广泛应用于电源开关、电池保护电路和负载驱动系统，是工程师设计高效节能电路的理想选择。

NDS352AP

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NDS352APMOS管是一款高品质P沟道MOSFET，采用紧凑而可靠的SOT-23封装。其核心特性包括能够承受高达30V的电压，提供高达4.1A的连续电流处理能力，并具备出色的导通电阻仅为48mΩ，有助于降低功耗，提高系统效能。此器件尤其适用于电源管理、负载开关以及各种便携式电子设备的电池保护应用，是工程师实现高效、稳定设计方案的理想组件。

TN2106K

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TN2106K是一款N沟道MOS管，采用小型SOT-23封装，特别适应于空间有限的电路设计需求。器件具有60V的高电压耐受力(VDSS)，并能稳定处理0.3A的连续漏极电流(ID)。其内部结构优化，导通电阻低至1000mR，显著降低功耗，提高工作效率。TN2106K广泛应用于电源转换、负载开关控制以及其它高效能、低损耗的电子系统中，是您优化电路性能的理想选择。

BSH111BKR

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BSH111BKR是一款N沟道MOSFET，采用小型SOT-23封装，特别适用于紧凑型电子设计。该器件具有60V的漏源电压额定值(VDSS)，可承载0.3A的连续漏极电流(ID)，且因其卓越的导通性能，导通电阻低至1000mR，有效减少能源损耗，提升系统效率。广泛运用于电源转换、开关控制、电机驱动等各种电路中，是您实现低功耗、高性能设计的理想半导体元件。

Si2343DS-T1-E3

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Si2343DS-T1-E3是一款高性能P沟道MOSFET，采用小型SOT-23封装，专为高效能和低功耗电路设计。该器件支持高达30V的漏源电压(VDSS)，能承载最大4.1A的连续漏极电流(ID)，且具备48mΩ的导通电阻(RD(on))，确保了卓越的能效和可靠性。广泛应用于电源转换、负载开关、电池管理系统等领域，是构建紧凑、节能型电子设备的理想半导体元件。

ST2303SRG

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ST2303SRGMOS管是一款专业级P沟道MOSFET，采用紧凑耐用的SOT-23封装，特别适合于现代精密电子设备。该器件工作电压高达30V，提供强大的4.1A连续电流处理能力，其亮点在于48mΩ的超低导通电阻，显著提高了能源效率并减小功耗。广泛应用于电源管理、马达驱动、负载开关等场景，是您设计高效、节能电路方案的理想组件。

NTR4502P

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NTR4502PMOS管是一款P沟道半导体器件，采用小型化SOT-23封装，特别适合于紧凑型电路设计。其关键参数包括最高30V的工作电压，4.1A的强大连续电流承载能力，以及超低的48mΩ导通电阻，有效提升了电源效率，减少了能量损耗。本产品广泛应用于电源转换器、负载开关以及各类电子设备的电源管理系统中，以优异的性能表现满足您的高效能需求。