二极管-三极管-晶体管-MOS场效应管-桥堆生产厂家-深圳兆信半导体MXsemi

SOT-23-3L

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

BSS7728N是一款N沟道MOSFET，采用小型化封装SOT-23-3L，专为紧凑型电子设备设计。器件具备60V的高耐压（VDSS），能稳定传输0.3A的连续漏极电流（ID），并且具有优异的导通性能，导通电阻仅为1000mR，确保了低功耗和高效率运作。广泛应用在电源转换、负载开关控制、电机驱动等领域，是您优化电路性能的理想半导体元器件。

FDN358P

SOT-23

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

FDN358P是一款P沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，针对高效率、小尺寸电子设计。该器件具有30V的高工作电压VDSS，提供稳定的4.1A电流ID，同时拥有48mR的低导通电阻，确保在中高功率应用中实现卓越的能效表现。广泛运用于电源开关控制、电池保护及各类中等电流负载驱动场景，是电路设计者追求高效、节能解决方案的理想之选。

Si2307CDS-T1-GE3

SOT-23

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

Si2307CDS-T1-GE3是一款P沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，专为高效能电子设计。该器件工作电压VDSS高达30V，可承载4.1A连续电流，且拥有低至48mR的导通电阻，有效提高系统能效，降低能耗。适用于电源开关控制、电池保护和各类中等电流负载驱动应用，是工程师设计高集成度、低功耗方案的理想半导体元件。

DMG2307L

SOT-23

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

DMG2307LMOS管是一款采用小型SOT-23封装的高性能P沟道MOSFET，专为高效率电源管理和负载驱动设计。该器件具有30V的高耐压值VDSS和4.1A的强大电流承载能力，配合48mR的低导通电阻，有效降低功耗并提升系统能效。广泛应用于电池保护、电源开关控制以及各类中等电流负载驱动场合，是工程师在设计中寻求高性价比解决方案的理想选择。

Si2307BDS-T1-GE3

SOT-23

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

Si2307BDS-T1-GE3MOS管是一款采用SOT-23封装的高性能P沟道MOSFET，专为紧凑型电子设计打造。该器件具有30V的高额定电压VDSS和高达4.1A的连续电流ID，能够在中高功率应用中展现稳定性能。其导通电阻低至48mR，有效提高能源利用效率。广泛应用于电源管理、电池保护电路以及各类负载驱动场合，是实现高能效系统控制的理想半导体元件。

FDN360P

SOT-23

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

FDN360PMOS管是一款采用经典SOT-23封装的高质量P沟道半导体元件，工作电压VDSS高达30V，确保在多种电源管理场景下稳定运行。器件提供4.1A的强大电流承载能力，且拥有48mR的低导通电阻，有效提升系统能效并降低功耗。适用于电池保护、电源开关控制及中等电流负载驱动等应用领域，是电路设计者实现高效可靠控制的理想之选。

ZXM61P03F

SOT-23

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

ZXM61P03FMOS管是一款高性能P沟道MOSFET，采用小巧的SOT-23封装形式，便于在有限空间内实现高效布局。该器件支持30V的最大工作电压，可稳定输出4.1A的连续电流，且具备出色的导通电阻值48mR，有效提升了能源转换效率并降低了系统功耗。广泛应用于电源转换器、负载开关、电池管理系统等多个领域，是您追求卓越性能与节能设计的理想选择。

NDS356AP

SOT-23

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

NDS356APMOS管是一款高性能P沟道MOSFET，采用节省空间的SOT-23封装，专为高密度电路设计。器件在30V的额定电压下运行稳定，可承载最大4.1A的连续电流，凭借其卓越的48mΩ导通电阻，有效降低了系统能耗，提升了整体效率。广泛适用于电源控制、负载开关以及电池管理系统等多种场合，是打造高效能、低功耗电子产品的理想之选。

ZVN4106F

SOT-23

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

ZVN4106F是一款N沟道MOS管，采用小型化的SOT-23封装，专为高集成度电子设计而生。该器件拥有60V的高击穿电压(VDSS)，支持0.3A的连续漏极电流(ID)，其导通电阻(RD(on))低至1000mR，确保在工作状态下的低功耗和高效能表现。广泛应用在电源转换、负载开关电路及电机驱动等领域，是实现高可靠性、节能型电子系统的优质半导体组件。

RHK003N06

SOT-23-3L

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

RHK003N06是一款N沟道MOSFET，采用小型SOT-23-3L封装，专为现代紧凑型电子设备设计。该器件具备60V的高击穿电压(VDSS)，能安全处理0.3A的连续漏极电流(ID)，并具有优异的导通性能，导通电阻仅1000mR，有效减少能量损耗，提升系统效率。广泛应用于电源转换、负载开关控制、电机驱动等场景，是您实现高效、节能电路的理想半导体元件。

DMP3125L

SOT-23

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

DMP3125LP沟道MOS管采用了节省空间的SOT-23封装，具备30V的高击穿电压VDSS和4.1A的强劲连续电流ID，能满足多种中高功率应用需求。其48mR的导通电阻有利于优化系统能效，降低功耗。这款MOS管常用于电源开关控制、电池保护电路以及中等电流负载驱动等场景，是电子设计中实现高效、可靠的电流管理的理想选择。

Si2303CDS-T1-GE3

SOT-23

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

Si2303CDS-T1-GE3是一款高效P沟道MOSFET，采用小巧的SOT-23封装，便于在紧凑型电路设计中灵活使用。器件亮点在于拥有30V的最大漏源电压(VDSS)，可稳定承载4.1A漏极电流(ID)，同时具备48mΩ的导通电阻(RD(on))，确保在低损耗状态下实现高效能运作。此款MOS管广泛应用于电源管理、负载开关、电机驱动等各种场景，是您提升系统性能和节能效果的理想选择。

PMBF170

SOT-23

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

PMBF170是一款N沟道MOSFET，采用业界标准的SOT-23封装，适应各类紧凑型电路设计。器件可在60V的电压下稳定工作，提供0.3A的连续漏极电流(ID)，并凭借1000mR的低导通电阻(RD(on))，确保高效能、低功耗运行。广泛应用在电源转换、负载开关、电机驱动等领域，是您优化系统性能、节能降耗的理想半导体组件。

BSS159N

SOT-23-3L

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

BSS159N是一款N沟道MOSFET，采用节省空间的SOT-23-3L封装，专为高密度电路设计。该器件具有60V的漏源电压额定值(VDSS)，并能处理0.3A的连续漏极电流(ID)。其导通电阻仅为1000mR，确保在导通状态下降低功耗，提高能源利用效率。适用于电源转换、负载开关、电机驱动等应用场合，是实现高性能、低功耗半导体解决方案的理想选择。

DMN62D0U

SOT-23

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

DMN62D0U是一款高性能N沟道MOSFET，采用小型化SOT-23封装，适用于空间有限的设计项目。该器件拥有60V的高额定电压VDSS，以及最大0.3A的连续漏极电流ID，同时具有出色的导通性能，导通电阻低至1000mR，有效降低功率损耗并提升系统效率。适用于各类电源转换、负载开关及电机驱动等应用场景，是您电路设计的理想选择。

DMN2230U

SOT-23

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

DMN2230UMOS管是一款高品质N沟道MOSFET，采用小型化SOT-23封装设计，特别适合于紧凑型电路板布局。器件的核心参数优越，拥有20V的最大漏源电压VDSS，以及2.3A的连续漏极电流ID，保证在高电压下仍能实现大电流稳定传输。此外，该MOS管具备超低的导通电阻RD(on)仅48mR，大大降低了功耗，提高了能源利用率，是电源转换、马达控制和其他高效能电子应用的理想之选。

Si2302DDS-T1-GE3

SOT-23

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

Si2302DDS-T1-GE3型号MOS管采用紧凑型SOT-23封装，内含尖端N沟道技术，专为优化电路性能设计。器件支持20V的漏源电压(VDSS)，可稳定处理2.3A的连续漏极电流(ID)，适用各类中小功率应用。其导通电阻仅为48mR(RD(on))，确保了低功耗和高效率运作。广泛应用于电源管理、负载开关及低压电子设备的开关控制，是提升产品能效比和可靠性的重要半导体组件。

AO3494

SOT-23

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

AO3494是一款高效N沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，专为高能效和低功耗电子应用设计。该器件具有20V的最大漏源电压(VDSS)，并能稳定处理2.3A的连续漏极电流(ID)，其优秀的48mΩ导通电阻(RD(on))确保了在多种应用中都能实现低功耗和高电能转换效率。广泛应用于电源转换、负载开关控制、电池保护电路等领域，是小型化、节能电子设备的理想半导体元件。

ZXMN2F34FH

SOT-23

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

ZXMN2F34FH型号MOS管采用小型SOT-23封装，内嵌高效N沟道技术，专为提升电路性能设计。该器件具有20V的漏源电压(VDSS)，可稳定承载2.3A的连续漏极电流(ID)，适用于各种中小功率应用场合。其独特的48mR低导通电阻(RD(on))，有效降低功率损耗，增强系统效率。广泛应用于电源转换、负载切换控制以及各类低压电子设备的开关电路中，是您提升产品能效的理想半导体元件。

MVGSF1N02L

SOT-23-3L

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

MVGSF1N02LN沟道MOSFET采用节省空间的SOT-23-3L封装，特别适用于紧凑型电路设计。该器件具有20V的最大漏源电压(VDSS)，可承载高达2.3A的连续漏极电流(ID)，并且在导通状态下呈现出仅为48mR的低导通电阻(RD(on))，从而保证了高效的电能转化和较低的功率损耗。这款MOS管广泛运用于开关电源、电机驱动、智能设备等多种领域，是优化系统性能和节能减排的理想半导体元件。

ZXMN2A01F

SOT-23

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

ZXMN2A01F是一款N沟道MOSFET，采用小型SOT-23封装，适用于各类紧凑型电子设备设计。该器件具有20V的最大漏源电压(VDSS)，能够提供2.3A的稳定漏极电流(ID)，并且具有48mΩ的导通电阻(RD(on))，在小体积内实现了良好的电流控制与低功耗性能。此款MOS管常见于电源管理、负载开关、电机驱动等应用场合，是现代电子设备中不可或缺的高效能半导体元件。

ZXMN2B01F

SOT-23

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

ZXMN2B01FMOS管是一款高性能N沟道器件，采用紧凑型SOT-23封装，适用于空间有限的设计方案。该元件具有出色的电气性能，额定电压VDSS高达20V，最大连续漏极电流ID为2.3A，能在高压环境下稳定工作并提供强大的电流驱动能力。尤其值得一提的是，其导通电阻RD(on)低至48mR，有助于减少功率损耗，提高电路整体效率，广泛应用于开关电源、马达驱动及各类高效率电子设备中。

MGSF1N02LT1

SOT-23

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

MGSF1N02LT1型号MOS管采用SOT-23小型封装，集成高效N沟道技术，专为优化电路效率而研发。该器件支持高达20V的漏源电压(VDSS)，能稳定处理2.3A的连续漏极电流(ID)，适用于各种中小功率应用场合。其48mR的低导通电阻(RD(on))显著减少了功率损耗，提升了整体系统的效能表现。广泛应用于电源转换、负载开关以及低压电子设备的开关控制电路中，是您追求高能效与稳定性半导体解决方案的理想之选。

MGSF2N02EL

SOT-23

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

MGSF2N02EL是一款高效能N沟道MOS管，采用节省空间的SOT-23封装形式，特别适用于紧凑型电路设计。该器件拥有稳定的20V漏源电压VDSS，最大连续漏极电流可达2.3A，确保在高压环境下也能提供卓越的电流承载能力。尤为突出的是其低至48mR的导通电阻RD(on)，有效减少能量损失，提升系统效能，广泛应用于开关电源、马达驱动及各类追求高效率的电子设备设计中。