二极管-三极管-晶体管-MOS场效应管-桥堆生产厂家-深圳兆信半导体MXsemi

SOT-23

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

MMBF0201NLN沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，专为高密度电路设计。器件支持高达20V的电压额定值(VDSS)，并能在低导通电阻48mR(RD(on))下稳定传输2.3A漏极电流(ID)，实现卓越的功率转换效率。这款MOS管适合应用于各种开关电源、电机驱动控制以及便携式电子设备等场合，是您追求高效能、低功耗电路解决方案的理想组件。

XP151A13A0MR

SOT-23

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

这款XP151A13A0MR-MOS管采用先进的N沟道技术，封装形式为SOT-23，小巧而高效。其核心参数出色，具备20V的额定电压VDSS和高达2.3A的连续漏极电流ID，确保了卓越的电力处理能力。尤为突出的是，该器件拥有超低的导通电阻RD(on)，仅为48mΩ，可显著降低功耗，提升系统能效，是您在设计高效率电源转换、电机驱动等应用中的理想选择。

SM4496PRL

SOP-8

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

SM4496PRLN沟道MOSFET采用紧凑型SOP-8封装，专为高功率、高效能电子设备设计。该器件提供30V的最大漏源电压(VDSS)，可稳定处理8.5A连续电流，具有仅14mΩ的导通电阻，确保在大电流应用中实现卓越的能效与低损耗。广泛应用于电源转换、电机驱动、负载开关等场景，以强大的电流处理能力和优良的电气性能，成为电路设计的理想组件。

IRFHM9331TRPBF

DFN-8L(3x3)

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场效应管(MOSFET)

5000个/圆盘

这款高性能P沟道消费级MOSFET采用超紧凑DFN3X3-8L封装，专为高功率密度和大电流应用设计。具备30V额定电压及高达40A的连续电流处理能力，特别适用于电池保护、电源开关以及高效电源转换场景，提供卓越的能效表现与优秀的热管理性能，是现代小型化电子设备的理想之选。

DMN2020LSN

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

DMN2020LSNN沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，专为高效能电子设备设计。该器件拥有20V的最大漏源电压(VDSS)，并能处理高达5A的连续电流，导通电阻低至14mΩ，确保了系统在大电流传输下的高效稳定运行。广泛适用于电源转换、电机控制、负载开关等各种需要高性能N沟道MOS管的应用场景，是您优化电路设计、提升系统效能的理想之选。

SM3416SRL

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

SM3416SRL是一款高性能N沟道MOSFET，封装形式为紧凑型SOT-23，适合高密度电路板设计。该器件具备20V的额定电压VDSS和6A的强大连续电流ID，展现出卓越的电力管理性能。尤为突出的是其超低导通电阻RD(on)仅为14mΩ，有助于显著减少能量损耗，提升整体系统效率，是您优化电路设计、实现节能应用的理想之选。

Si2342DS-T1-GE3

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

Si2342DS-T1-GE3是一款高品质N沟道MOS管，采用节省空间的SOT-23封装，特别适合现代紧凑型电路设计需求。其关键特性包括额定电压VDSS高达20V，能够承载高达7A的连续电流，展现强劲的电力驱动能力。更值得一提的是，器件的导通电阻RD(on)低至15mΩ，确保在工作状态下具有极低的能量损耗与高效的能效表现，是您优化系统性能、提高能源利用率的绝佳选择。

SM2312SRL

SOT-23-3L

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

SM2312SRLN沟道MOSFET采用小巧的SOT-23-3L封装，专为高效、紧凑型电路设计。器件具备20V的漏源电压(VDSS)，能在18mR的低导通电阻(RD(on))下，稳定输出高达6A的漏极电流(ID)。适用于开关电源、电机驱动、高频开关电路等应用，该MOS管以其卓越的电流承载能力和优良的能效表现，成为优化系统性能、减小能耗的理想半导体组件。

Si2312BDS-T1-GE3

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

Si2312BDS-T1-GE3是一款高性能N沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，专为高集成度和低功耗应用设计。器件具有20V的最大漏源电压(VDSS)，并可承受3A的连续漏极电流(ID)，凭借其卓越的23mΩ导通电阻(RD(on))，在保证高效率的同时有效降低功耗。广泛应用于电源转换、负载开关、电池保护等电路中，是实现小型化、节能电子设备的理想半导体元件。

DMN3042L

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

DMN3042L是一款高性能N沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，为高功率密度设计提供理想解决方案。器件具有30V的漏源电压耐受值(VDSS)，并能在正常工作状态下承载高达5.8A的漏极电流(ID)，同时，得益于其低至28mR的导通电阻(RD(on))，实现了卓越的能效表现。此款MOS管广泛应用于开关电源、电机驱动及其它高电流、高效能的电子系统中，是您提升系统性能和节能效率的理想之选。

BSS306NH6327

SOT-23

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

该N沟道消费级MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，专为30V电压下高效能、中等电流应用设计。具备5A连续电流处理能力，广泛应用于电源转换、负载开关及便携式设备的功率管理模块，提供低导通电阻和优异的散热性能，是现代电子产品的理想集成组件。

IRLML2030TRPBF

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

这款N沟道消费级MOSFET采用SOT-23封装，专为高效能、中等电流应用设计。额定电压30V，提供5.8A连续电流处理能力，尤其适用于电源转换、负载开关和电池管理系统，具备低导通电阻及卓越的热性能，是现代电子设备的理想功率管理组件。

DMG301NU

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

DMG301NUN沟道MOS管采用微型SOT-23封装，适应各类空间紧凑的电路设计。该器件能在30V的最大工作电压下稳定运行，提供0.1A的连续电流，其导通电阻为1200mR，特别适用于低功率、低电流控制场合。常用于逻辑门控开关、电源线路保护、以及其他需要精细电流控制的电子设备中，是您微电子系统设计的理想组件。

DMG3414U

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

DMG3414UN沟道MOS管采用小型SOT-23封装，为现代紧凑型电子设计提供理想解决方案。该器件能在20V的最大工作电压下稳定运行，支持高达7A的连续电流，并配备优秀的15mΩ导通电阻，确保高效能、低功耗。广泛应用于电源管理、高速开关电路、电机驱动系统等领域，是您追求高性能与节能设计的首选器件。

FDN339AN

SOT-23-3L

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

FDN339AN是一款N沟道MOSFET，采用节省空间的SOT-23-3L封装，专为高效能电子设计。该器件拥有20V的漏源电压(VDSS)，能在仅18mR的导通电阻(RD(on))下，轻松承载高达6A的漏极电流(ID)。广泛应用于开关电源转换、电机驱动、快速开关电路等领域，凭借其卓越的电流承载能力和优异的能效性能，成为您优化系统设计，提升整体效能的理想半导体元件。

BSR802N

SOT-23-3L

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

BSR802NN沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23-3L封装，专为高功率密度和高效能电路设计。器件具有20V的漏源电压(VDSS)，并能在低至18mR的导通电阻(RD(on))下，支持高达6A的连续漏极电流(ID)。这款MOS管适用于开关电源、DC/DC转换器、电机驱动等场景，凭借其出色的电流处理能力和高效能表现，成为优化系统性能的理想选择。

SM3401SRL

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

SM3401SRL是一款高性能P沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，专为高效率和小型化电子设备设计。器件支持30V的最大漏源电压(VDSS)，并能处理高达4.2A的连续漏极电流(ID)，其45mΩ的导通电阻(RD(on))确保了优越的电能转换效率和低功耗特性。广泛应用于电源转换、负载开关、电池管理系统等领域，是实现节能、紧凑型电子解决方案的理想半导体元件。

DMG3418L

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

DMG3418LN沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装技术，为现代电路设计提供了高功率密度解决方案。这款器件具备30V的高额定漏源电压(VDSS)，并可在导通状态下轻松驾驭高达5.8A的漏极电流(ID)，同时展现出令人称赞的低导通电阻，仅为28mR(RD(on))，确保了卓越的能效表现。DMG3418LMOS管广泛应用于开关电源、高速电机驱动以及众多高性能电子系统中，是您构建强大而又节能的电路系统的得力助手。

NX2301PVL

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

NX2301PVL是一款P沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，专为现代小型化电子产品设计。该器件具有20V的最大漏源电压(VDSS)，能够承载稳定的2.3A漏极电流(ID)，并配备95mΩ的低导通电阻(RD(on))，确保在低电压、中等电流应用中发挥高效性能。这款MOS管适用于电源管理、负载开关控制、逻辑电平转换等用途，是实现高集成度、节能型电子系统的重要组成部分。

FDN336P

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

FDN336P是一款采用SOT-23封装的P沟道MOS管，具有小巧高效的特性。其额定电压高达20V，连续电流可达2.3A，确保了强大的电源处理能力。导通电阻仅为95mΩ，有效降低功耗，提升系统能效。适用于各类低电压、大电流开关电路设计，是您电子项目中的理想选择。

ST2300

SOT-23-3L

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

ST2300N沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23-3L封装，专为高效率和小型化电路设计。该器件具有20V的漏源电压(VDSS)，在18mR的超低导通电阻(RD(on))条件下，可承载最大6A的漏极电流(ID)。适用于开关电源转换、电机驱动、负载开关等应用领域，ST2300凭借其强大的电流处理能力和优秀的能效表现，成为您优化系统性能的理想半导体元件。

DMN2053U

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

DMN2053U是一款高效N沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，专为高功率密度和节能电子应用设计。该器件提供20V的最大漏源电压(VDSS)，支持6A的连续漏极电流(ID)，并配备超低的22mΩ导通电阻(RD(on))，确保了优良的电能转换效率和低功耗特性。广泛应用于电源转换、负载开关、电池管理系统等场景，是小型化、高性能电子设备的理想半导体组件。

NTR1P02L

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

NTR1P02LMOS管，采用紧凑型SOT-23封装，专为高效能电路设计。这款P沟道MOS管拥有20V的最大漏源电压(VDSS)，在保证稳定性的前提下，可提供高达2.3A的连续drain电流(ID)。其出色的导通电阻仅为120mΩ，有效降低功耗并提升系统工作效率，是您电子设备电源管理、开关控制的理想选择。

Si2312CDS-T1-GE3

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

Si2312CDS-T1-GE3是一款高性价比N沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，特别适用于空间受限且需高效能的电子设计。器件支持最大20V的漏源电压(VDSS)，并能稳定提供6A的漏极电流(ID)，同时拥有低至22mΩ的导通电阻(RD(on))，确保了优秀的电能转换效率和低功耗。广泛应用于电源管理、负载开关、马达驱动等场景，是小型化、节能型电子设备的理想半导体元件。