二极管-三极管-晶体管-MOS场效应管-桥堆生产厂家-深圳兆信半导体MXsemi

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

此款P沟道消费级MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，专为高效电源开关和负载控制设计。器件具备20V额定电压及高达5A连续电流承载能力，尤其适用于电池供电设备、小型逆变器以及DC-DC转换等应用场合，提供卓越的低导通电阻性能，是现代电子设备中理想的功率管理组件。

PMF170XP

SOT-323

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

PMF170XP是一款高性能P沟道MOSFET，采用小型化SOT-323封装，专为紧凑型和节能电子设计。该器件支持最大20V的漏源电压(VDSS)，可承载1.8A的连续漏极电流(ID)，其120mΩ的导通电阻(RD(on))确保了在低功耗下的高效能表现。广泛应用于电源转换、负载开关、电池保护电路等领域，是小型化、节能型电子解决方案的理想半导体元件。

DMP6350S

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

DMP6350SP沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，专为高效能、低功耗电子设计。器件支持高达60V的漏源电压(VDSS)，并能在160mR(RD(on))的导通电阻下，承载稳定的2A漏极电流(ID)。此款MOS管广泛应用于电源开关、电池管理系统、反向电流保护等功能模块，其出色的电压承受能力和精准的电流控制性能，为您的电路设计提供更优质的解决方案。

FDN5618P

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

FDN5618P是一款P沟道MOSFET，采用小型SOT-23封装，适用于空间有限的设计项目。该器件提供高达60V的漏源电压(VDSS)，能够支持1.6A的连续漏极电流(ID)，并且具备140mΩ的导通电阻(RD(on))，在低电压应用中展现卓越性能。广泛应用于电源开关、负载切换、逻辑电平转换等功能模块，是您构建高效、可靠电路的理想选择。

DMP3130L

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

DMP3130LMOS管是一款采用小型SOT-23封装的高性能P沟道半导体器件，具有30V的高耐压值VDSS，确保在多种应用环境下稳定运行。器件支持4.2A连续电流ID，导通电阻低至45mR，有效提升能源效率，减少功率损耗。适用于电池保护、电源开关控制以及中等电流负载驱动等场合，是电路设计的理想选择，助您实现高效、可靠的系统功能。

NTR4171P

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

NTR4171PMOS管是一款高效P沟道半导体器件，采用小型SOT-23封装形式，节省电路板空间。其工作电压高达30V，并能在系统中稳定提供4.2A的电流ID。值得一提的是，该器件导通电阻为45mR，确保在传输过程中损耗较低，能效较高。广泛应用于电源管理、电池保护和负载开关等各种需要精确控制电流流向的应用场景，是您设计项目中的理想选择。

BSH205G2R

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

BSH205G2R是一款P沟道MOSFET，采用小型SOT-23封装，专为高效、紧凑型电路设计。该器件具有20V的漏源电压额定值(VDSS)，可承载高达2.3A的连续漏极电流(ID)，且具有出色的导通性能，导通电阻低至120mR，有利于降低功耗并提升系统效率。广泛应用于电源管理、负载开关控制、低电压大电流逻辑转换等领域，是您优化电路设计的理想半导体元件。

NTR0202PL

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

NTR0202PL是一款P沟道MOSFET，采用小型SOT-23封装，特别适合于紧凑型电子设计和低功耗应用。该器件拥有20V的漏源电压VDSS，能够承载高达2.3A的连续漏极电流ID，适用于电源开关、负载驱动等多种场合。其导通电阻RD(on)为130mR，展现了优秀的能效性能，常被应用于包括电源管理、电池保护电路在内的各类电子设备中。

DMP2160U

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

DMP2160U是一款采用SOT-23小型封装的P沟道MOS管，适用于空间受限和便携式电子设备的电源管理与开关应用。该器件提供20V的最大漏源电压VDSS，可处理3A连续漏极电流ID，确保在低压环境下稳定工作。其导通电阻RD(on)为60mΩ，有助于在低功率应用中降低功耗，提升系统效率。DMP2160UMOS管以其小巧尺寸和可靠性能，成为移动设备、电池管理系统等领域理想的半导体组件。

Si2305CDS-T1-GE3

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

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Si2305CDS-T1-GE3是一款P沟道MOSFET，采用轻巧的SOT-23封装，专为小型化电子设备提供高效能解决方案。该器件拥有以下关键特性最大工作电压VDSS为20V，确保在高电压环境下稳定运行；具备5A的漏极电流能力，满足多种电流需求；导通电阻RD(on)低至30mΩ，有助于减少功耗，提升整体效率。广泛用于电源转换、负载开关控制和电池保护等场景，是您理想中的高集成度与节能型MOS管组件。

DMP2045U

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

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DMP2045UP沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，专为现代微型电子设备量身打造。该器件具备20V的最大工作电压VDSS，可持续提供5A的漏极电流，展现稳定高效的电流处理能力。其亮点在于30mΩ的低导通电阻RD(on)，助力降低系统能耗，提升整体能效。广泛应用于电源管理、负载开关、电池保护等领域，是您设计高品质、节能电子产品的优选MOS管器件。

SM2301SRL

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

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SM2301SRL是一款采用SOT-23封装的P沟道MOS管，专为紧凑型电子设备和低电压应用设计。器件提供20V的最大漏源电压VDSS，具备3A的连续漏极电流ID能力，确保在低压环境下稳定运行。其导通电阻RD(on)为60mΩ，有助于减少能源损耗，增强系统效能。SM2301SRLMOS管适用于电池供电设备、电源管理、负载开关等应用场合，以优异的性能和小巧的体积满足各类便携式和嵌入式设计需求。

Si2329DS-T1-GE3

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

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Si2329DS-T1-GE3是一款P沟道MOSFET，采用经济高效的SOT-23封装，适合各类紧凑型电路设计。该器件亮点在于具备20V的最大工作电压VDSS，可稳定输出5A的漏极电流；并且拥有30mΩ的低导通电阻RD(on)，确保了更低的功率损耗和更高的系统效率。广泛应用于电源转换、负载开关、电池保护等相关领域，是您在设计高集成度和节能方案时的理想MOS管器件选择。

Si2323CDS-T1-GE3

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

Si2323CDS-T1-GE3是一款P沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，特别适合现代微小电子设备设计。该器件规格出色最大工作电压VDSS为20V，能够承载5A的连续漏极电流，确保稳定运行；其导通电阻RD(on)低至30mΩ，旨在最大程度减少能耗，提升系统效率。广泛应用在电源转换、负载开关控制、电池保护等方面，是您实现高集成度与节能目标的理想MOS管解决方案。

FDN308P

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

FDN308P是一款P沟道MOSFET，采用小型化SOT-23封装，专为高密度电子电路设计。其核心性能包括最大漏源电压(VDSS)为20V，能稳定输出3A漏极电流(ID)，同时具有较低的60mΩ导通电阻(RD(on))，在低电压、中等电流应用中表现出色。这款MOS管适用于电源管理、负载开关控制、逻辑电平转换等功能场景，是优化系统效能和缩小产品体积的理想半导体元件。

AO3493

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

AO3493是一款P沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，专为低电压、低功耗应用设计。该器件具有20V的最大漏源电压VDSS，可持续提供3A的漏极电流ID，保证在低压系统中稳定工作。其导通电阻RD(on)为60mΩ，有效降低功率损耗，提高能源利用效率。AO3493MOS管广泛应用于电池管理、电源开关、负载驱动等场景，凭借其出色的电气性能和小型封装，成为现代便携式和嵌入式电子设备的理想选择。

Si2323DS-T1-E3

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

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Si2323DS-T1-E3是一款P沟道MOSFET，采用小型化SOT-23封装，专为紧凑电子设计提供高集成度解决方案。该器件特性显著具备20V的最大工作电压VDSS，可安全承载5A的连续漏极电流；其低至30mΩ的导通电阻RD(on)，旨在最大限度地降低功耗，提升系统能效。适用于电源转换、负载开关、电池保护等广泛应用场景，是您追求节能与高性能的理想MOS管器件选择。

ST9435A

SOP-8

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

ST9435A型号MOS管运用先进技术的P沟道架构，采用紧凑型SOP-8封装形式，专为现代电子产品的小型化与高性能要求设计。该器件能在30V额定电压VDSS下稳定工作，提供高达5A的连续漏极电流ID，且具有优秀的43mR导通电阻RD(on)，确保低功耗和高效能表现。广泛应用在电源转换、电机驱动等场景，是优化系统性能和节能降耗的优质半导体元件。

PMV65XP

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

PMV65XP是一款P沟道MOSFET，采用小巧的SOT-23封装，适用于空间有限且需精确控制电流的电路设计。该器件提供20V的最大漏源电压VDSS，支持3A的连续漏极电流ID，确保在低压系统中稳定工作。其独特的优点在于导通电阻RD(on)低至60mΩ，有效降低功率损耗，提升能源使用效率。PMV65XPMOS管是电池供电设备、电源开关、负载驱动等应用的理想选择，用其出色的性能满足您的低电压、低功耗半导体需求。

Si2323DDS-T1-GE3

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

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Si2323DDS-T1-GE3是一款P沟道MOSFET，采用业界标准SOT-23封装，专为紧凑型电子设计提供卓越性能。该器件特性鲜明具有20V的最大工作电压VDSS，能稳定处理5A的漏极电流；并且，其30mΩ的低导通电阻RD(on)设计大大减少了功率损失，提高了系统整体能效。广泛应用于电源管理、负载开关控制、电池保护等电路设计中，是您寻求高性能、节能方案的理想MOS管元件选择。

DMP2215L

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

DMP2215L是一款P沟道MOSFET，采用节省空间的SOT-23封装，尤其适合于紧凑型电源管理和移动设备应用。器件特性包括最大工作电压VDSS为20V，能支持高达3A的连续电流，且具备优异的导通性能，导通电阻低至60mR（RD(on)）。这款MOS管凭借其高效的能效转化率和小巧封装，是电池保护电路、DC/DC转换器以及其他小型电子设备的理想选择。

RTE002P02

SOT-523

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

RTE002P02是一款采用精巧SOT-523封装的P沟道MOS管，针对现代电子产品的小型化需求设计。其工作电压高达20V，可承受0.7A的连续电流，充分满足各种低电压应用场合的需求。该器件拥有优秀的导通性能，导通电阻仅260mΩ，显著减小功率损耗，提升整体效能。适用于电源切换、电池管理系统及其他需精细控制电流的领域，是您优化设计、追求高效节能的优质选择。

FDY102PZ

SOT-523

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

FDY102PZP沟道MOS管采用超微型SOT-523封装，特别适合于高密度、低功耗电子产品的设计需求。该器件具有优越的电气性能，最大工作电压VDSS高达20V，连续电流ID可达0.7A，其导通电阻RD(on)低至260mR，有效保证了在低电流应用中的能效表现。FDY102PZMOS管广泛应用在便携式设备、电池保护、逻辑电平转换等场景，以小巧的体积和出色的性能，成为设计者们构建高效电路的得力工具。

DMP2004TK

SOT-523

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

DMP2004TK是一款P沟道MOS管，采用迷你型SOT-523封装，特别适用于对空间有限制的精密电路设计。该器件拥有卓越的电气性能，最大工作电压VDSS为20V，可承受0.7A连续电流，且导通电阻低至260mR，确保了低功耗下的高效能运作。广泛应用于智能手机、穿戴设备、物联网模块等领域的电源管理与逻辑电平转换，DMP2004TK凭借其小巧体积与优秀性能，成为现代电子产品设计的理想组件。