二极管-三极管-晶体管-MOS场效应管-桥堆生产厂家-深圳兆信半导体MXsemi

SOT-23

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

DMN3033LSNQN沟道MOSFET采用小型化SOT-23封装，为现代电子设备提供强劲动力支持。这款器件具备30V的高耐压值(VDSS)，能在导通状态下安全承载高达5.8A的大电流，且拥有出众的低导通电阻特性——仅22mR(RD(on))。它非常适合应用于开关电源转换、大电流电机驱动及其他对能效与稳定性有较高要求的场合，是您提升系统性能、优化能源利用的理想半导体器件之选。

RUE002N02

SOT-523

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

RUE002N02是一款采用精巧SOT-523封装的高效能N沟道MOSFET，具备出色的电性参数。其工作电压VDSS高达20V，连续通过电流ID高达0.8A，同时拥有超低导通电阻RD(on)，仅为100mR，确保了器件在运行中的高效能与低损耗表现。这款MOS管非常适合应用于各类电源转换、电池保护、便携式设备及消费电子产品的电路设计中，为您的产品带来更强的功率管理和更高的能效比。

AO3485

SOT-23-3L

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

AO3485型号P沟道MOS管，采用微型SOT-23-3L封装设计，体积小巧，方便在紧凑型电子设备中布局。器件具有20V的额定电压VDSS，以及4.1A的连续电流ID承载能力，专为高效能、低功耗应用打造。其34mR的导通电阻，确保在实际操作中实现较高的能源转换效率。此款MOS管适用于各类电源开关、负载驱动和逻辑电平转换场景，出厂前经过严格质量把控，确保在各类工况下都能展现卓越性能。

BSS816NWH6327XTSA1

SOT-323

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

BSS816NWH6327XTSA1是一款精密N沟道MOSFET，采用小型SOT-323封装，专为紧凑型和高效能电子设计。器件提供20V的最大漏源电压(VDSS)，具备稳定的2A漏极电流(ID)，并具有49mΩ的低导通电阻(RD(on))，确保了卓越的能源效率和低功耗表现。此款MOS管广泛应用在移动设备、电源管理、信号切换等对尺寸和效率要求高的电路中，是实现小型化、节能解决方案的关键元件。

FDN306P

SOT-23-3L

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

FDN306PP沟道MOS管采用小型化的SOT-23-3L封装，专为高效率、低阻抗电路设计。器件亮点在于强大的电气规格，最大工作电压VDSS为20V，连续电流承载能力高达4.1A，且拥有超低导通电阻RD(on)仅为34mR，实现了卓越的电能转化效率与快速响应速度。广泛适用于电源转换、电机驱动、负载开关等应用环境，FDN306P凭借其出色的性能表现与稳定质量，成为众多电子设计工程师的理想之选。

DMG3420U

SOT-23

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

DMG3420U是一款高性能N沟道MOSFET，采用小型化SOT-23封装，专为高功率密度和低功耗应用设计。该器件提供20V的最大漏源电压(VDSS)，并能承载高达6A的连续漏极电流(ID)，其出色的22mΩ导通电阻(RD(on))确保了卓越的电能转换效率。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，是构建紧凑、高效电子设备的理想半导体元件。

ST3426

SOT-23

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

ST3426是N沟道MOS管，采用紧凑型SOT-23封装，专为高效空间利用设计。该器件规格出色，具有60V的最大稳态电压(VDSS)，额定电流高达3A，且导通电阻仅为80mΩ，确保了更低的功率损耗和更高的能效表现。广泛应用于电源管理、开关调节器、电机驱动等场景，以其高性能、稳定耐用的特性，成为您电子项目的理想组件选择。

SM3415SRL

SOT-23-3L

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

SM3415SRL型号P沟道MOS管，采用紧凑型SOT-23-3L封装，适合在空间受限的电路板上使用。该器件提供20V的额定电压VDSS，以及4.1A的连续电流ID处理能力，特别适用于中低压下的电源开关和负载驱动应用。其导通电阻仅有34mR，旨在增强系统效能，降低功耗。此MOS管在电源管理、逻辑电平转换等方面表现出色，出厂前已通过严格品质测试，确保在各应用场合下发挥稳定可靠性能。

PMV30UN2R

SOT-23

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

PMV30UN2R是一款高性能N沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，专为高效能和小型化电子设备设计。该器件具有20V的最大漏源电压(VDSS)，可承载高达6A的连续漏极电流(ID)，并具有优秀的22mΩ导通电阻(RD(on))，确保在高电流应用中也能保持低功耗和高效能。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，是构建节能、紧凑型电子解决方案的理想半导体组件。

DMN2041L

SOT-23

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

DMN2041L是一款高性能N沟道MOSFET，采用小型SOT-23封装，专为高功率密度和低功耗应用设计。器件提供20V的最大漏源电压(VDSS)，能够承载6A的连续漏极电流(ID)，并配备22mΩ的超低导通电阻(RD(on))，确保了卓越的电能转换效率和稳定性。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等场景，是小型化、高效电子设备的优质半导体元件。

DMG6968U

SOT-23

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

DMG6968U是一款高效率N沟道MOSFET，采用小型SOT-23封装，专为紧凑型和节能电子设备设计。该器件具有20V的最大漏源电压(VDSS)，能承载高达6A的连续漏极电流(ID)，其22mΩ的导通电阻(RD(on))确保了在低功耗条件下仍保持出色的能效表现。广泛应用于电源管理、电机驱动、电池保护电路等领域，是实现小型化、高性能电子解决方案的理想半导体组件。

DMG3404L

SOT-23

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

DMG3404L是一款高性能N沟道MOSFET，采用小型化的SOT-23封装，专为高效能电子设计。该器件具有30V的漏源电压额定值(VDSS)，可承载高达5.8A的连续漏极电流(ID)，并拥有出色的低导通电阻特性，仅22mR(RD(on))。这款MOS管适用于开关电源转换、大电流电机驱动及其它高功率应用领域，致力于提升系统效率，降低能耗，是您设计中的优质半导体组件选择。

Si2338DS-T1-GE3

SOT-23

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

Si2338DS-T1-GE3是一款N沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，尤其适合于高密度电路设计。器件提供30V的最大漏源电压(VDSS)，具备强大的电流承载能力，可持续处理5.8A漏极电流(ID)，且在导通状态下具有极低的22mR导通电阻(RD(on))，有效提升了功率转换效率。此款MOS管广泛应用于开关电源、电机驱动、以及其他高功率电子设备中，助力实现高效能、低损耗的系统方案。

FDN304PZ

SOT-23-3L

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

FDN304PZ型号P沟道MOS管，采用经济高效的SOT-23-3L封装形式，专为现代电子设备的小型化需求设计。器件拥有20V的额定电压VDSS，以及4.1A的连续电流ID处理能力，适用于多种功率控制应用。其导通电阻低至34mR，有助于提升系统效率，降低能耗。此款MOS管常用于电源开关、负载驱动、逻辑电平转换等功能模块，出厂前历经严格品质检验，确保为用户提供稳定可靠的性能表现。

AO4466

SOP-8

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

AO4466N沟道MOSFET采用SOP-8封装，是一款专为高电流应用设计的高效半导体器件。该器件具有30V的最大漏源电压(VDSS)，可稳定传输8.5A的连续电流，且导通电阻仅14mΩ，保证在大电流条件下仍能维持低功耗与高效率运行。广泛应用于电源管理、电机驱动、开关电路等领域，以其出色的电流承载能力和优秀的电气性能，为您的电路设计提供强有力的支持。

AON6566

DFN-8L(5x6)

MXsemi

场效应管(MOSFET)

5000个/圆盘

此款消费级N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装，额定电压30V，连续电流高达80A。专为高效电源转换、电机驱动及电池管理系统设计，具备卓越的功率处理能力和散热性能，是现代高功率电子设备的理想选择。

MX4832S

SOP-8

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

本款消费级N+N沟道MOSFET采用SOP-8封装，集成双通道技术，额定电压30V，连续电流高达10A。专为高效电源转换、负载均衡及电池管理系统设计，具有高集成度和能效表现，满足现代电子产品多通道控制需求。

IRFML8244TRPBF

SOT-23

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

此款N沟道消费级MOSFET采用SOT-23封装，专为高效能、中高电流应用设计。额定电压30V，提供高达5.8A连续电流承载能力，尤其适用于电源转换、负载开关以及电池管理系统，具有低导通电阻和卓越的热性能，是现代电子设备的理想功率控制组件。

FDS9435A

SOP-8

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

FDS9435A型号MOS管，采用精良P沟道工艺制造，封装形态为节省空间的SOP-8，专为现代电子设备的小型化设计服务。该器件拥有30V的额定电压VDSS，可承载5A的强大连续漏极电流ID，且导通电阻RD(on)低至43mR，确保高效能、低损耗运行。此款MOS管广泛适用于电源转换、负载切换等场景，以其出色的电气性能成为优化系统效能的关键组件。

IRLML9303TRPBF

SOT-23

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

这款P沟道消费级MOSFET采用SOT-23封装，适用于30V电压下的中等功率应用。提供4.1A连续电流处理能力，特别优化于电源转换、负载开关和电池管理系统，具备低导通电阻及卓越的热性能，是现代便携式和紧凑型电子设备的理想功率控制组件。

IRLML9301TRPBF

SOT-23

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

此款SOT-23封装P沟道消费级MOSFET，专为高效能、中等电流应用设计。额定电压30V，具备4.1A连续电流处理能力，广泛应用于电源转换、负载开关以及便携式电子设备的功率控制模块，提供低导通电阻和卓越的热性能，是现代电子产品不可或缺的核心半导体元件。

FDN337N

SOT-23

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23小型封装，额定电压30V，最大连续电流5A。具备低导通电阻和高速开关性能，广泛应用于充电设备、电源转换器及各类高效率电子系统中，提供稳定可靠的功率管理解决方案。

FDN5630

SOT-23

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，适用于60V电压系统，具备3A大电流处理能力。具有低导通电阻与快速开关特性，广泛应用于充电器、电源转换等领域，实现高效、稳定的功率控制及转换功能。

MX9435S

SOP-8

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

此款消费级P沟道MOSFET采用SOP-8封装，特别适合于30V电压环境下的低电平驱动应用。额定电流5A，具备卓越的开关性能与低导通电阻，适用于电池保护、负载切换和电源管理等场景。小巧尺寸，高效率设计，为电子设备提供稳定可靠的功率控制解决方案。