二极管-三极管-晶体管-MOS场效应管-桥堆生产厂家-深圳兆信半导体MXsemi

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

Si2302DS是一款高效N沟道MOSFET，采用小型化SOT-23封装，专为高能效和低功耗电子应用设计。器件具有20V的最大漏源电压(VDSS)，并能稳定承载2.3A的连续漏极电流(ID)，其48mΩ的导通电阻(RD(on))确保了在低功耗下仍具有出色的电能转换效率。广泛应用于电源转换、负载开关、电池保护系统等领域，是构建小型化、节能型电子解决方案的理想半导体元件。

ST2302

SOT-23

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

ST2302是一款高性能N沟道MOSFET，采用小型SOT-23封装，专为高效率和紧凑型电子设计。该器件支持20V的最大漏源电压(VDSS)，并可承载2.3A的连续漏极电流(ID)，其低至48mΩ的导通电阻(RD(on))确保了在高能效运作的同时降低功耗。广泛应用于电源转换、负载开关控制、电池管理系统等领域，是实现节能、小型化电子设备的理想半导体组件。

Si2302CDS-T1-GE3

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

Si2302CDS-T1-GE3型号MOS管采用微型SOT-23封装，内置先进N沟道技术，专为优化电路效率而生。该器件工作在20V的漏源电压(VDSS)下，可承载最大2.3A的连续漏极电流(ID)，适合于中小功率应用场合。尤为突出的是其48mR的低导通电阻(RD(on))，有效减少功率损耗，提升系统效能。广泛应用于电源转换、负载开关控制及低压电子设备的开关电路中，是您提升产品性能与节能效果的理想半导体元件选择。

BSC0702LSATMA1

DFN-8L(5x6)

MXsemi

场效应管(MOSFET)

5000个/圆盘

这款消费级MOSFET采用先进的DFN5X6-8L封装，具备高效能N沟道设计，额定电压高达60V，电流容量高达125A，专为各类高功率应用打造，提供卓越的开关性能与低导通电阻，是您电子设备的理想选择。

1N60G

SOT-223

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场效应管(MOSFET)

4000个/圆盘

该消费级MOSFET采用SOT-223封装，具备N沟道特性，拥有600V的高耐压及1A的连续电流处理能力，适用于各类中高压电子设备，提供卓越的开关性能与低损耗

MX30P02DF

DFN-8L(3x3)

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场效应管(MOSFET)

5000个/圆盘

本款消费级P沟道MOSFET采用超小型DFN3X3-8L封装，额定电压20V，连续电流高达30A。专为高效、紧凑型电源转换、负载开关控制以及电池管理系统设计，提供低导通电阻和卓越的热性能，满足现代电子设备的小型化需求。

CMD5950

TO-252-2L

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场效应管(MOSFET)

2500个/圆盘

此款P沟道消费级MOSFET采用TO-252-2L封装，特别优化以实现高电压、大电流应用。具有100V的额定电压和30A连续工作电流能力，适用于各类电源开关、逆变器以及高效功率转换场景，提供出色的导通性能与能效，是高性能电子设备的理想组件选择。

BSS214NH6327

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

这款紧凑型N沟道MOSFET采用SOT-23封装，专为消费电子产品中的低电压、中等电流应用设计。额定电压20V，最大连续电流3A，适合于电源管理、负载开关以及移动设备的功率路径控制，具备低导通电阻和高效能特点，是小型电子电路的理想选择。

BSS806NEH6327

SOT-23

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

这款N沟道消费级MOSFET采用SOT-23封装，专为低电压、中等电流应用设计。额定耐压20V，支持3A连续电流处理能力，适用于电源转换、负载开关控制及电池管理系统，具备低导通电阻和高效能表现，是现代电子设备的优质功率管理组件。

DMG2301L

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

DMG2301L是一款高效能P沟道MOSFET，采用节省空间的SOT-23封装形式，特别适合低功耗和紧凑型电子设计。产品关键特性包括耐压等级VDSS高达20V，可承载2.3A的连续漏极电流，展现了卓越的电流处理能力。其导通电阻RD(on)低至95mR，有效降低功耗并提升系统能效。DMG2301LMOS管凭借其出色的开关性能、小巧尺寸以及稳定的运行表现，广泛应用于电源切换、电池保护、便携式设备电路设计等领域，是您设计中的理想半导体元件选择。

SI2301CDS-T1-GE3

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

SI2301CDS-T1-GE3是一款高性能P沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装技术，专为低功耗及高集成度设计。其关键特性包括工作电压VDSS高达20V，可承载2.3A连续漏极电流，提供出色的电力管理能力。导通电阻RD(on)仅为95mR，有效减少能源消耗，提升系统能效。SI2301CDS-T1-GE3MOS管凭借卓越的开关性能、小巧封装尺寸及高稳定性，广泛应用于电源开关控制、电池保护、便携式电子设备等多元化场景，是您优化电路设计的理想半导体元件。

DMN63D8L

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

DMN63D8L是一款N沟道MOSFET，采用小型SOT-23封装，特别适合空间有限的电路板设计。该器件工作电压高达30V，提供精确的0.1A电流控制，具有1200mR导通电阻，适用于低功率应用场合。广泛应用于电子开关、过流保护、逻辑电平转换等功能模块，是实现精准电流管理和节能设计的理想选择。

ST2305

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

ST2305是一款P沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，特别适用于低电压、低功耗应用场合。器件提供20V的最大漏源电压VDSS，支持高达3A的连续漏极电流ID，确保在低压系统中稳定可靠运行。其导通电阻RD(on)低至60mΩ，有助于减少功率损耗，提升系统能效比。ST2305MOS管是电池供电设备、电源开关控制、负载驱动等领域的理想选择，以出色的性能和小型化封装服务于各类电子设计项目。

DMP2066LSN

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

DMP2066LSNP沟道MOSFET，采用小型化SOT-23封装设计，适合空间受限的现代电子应用。器件特性卓越额定工作电压VDSS为20V，可承载5A的连续漏极电流，确保在低压环境下稳定运行；30mΩ的低导通电阻RD(on)，有助于减少功率损耗，提高系统效率。适用于电源转换、负载开关控制、电池保护等场景，是您实现高集成度与节能设计的理想MOS管方案。

NTR3A30PZ

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

NTR3A30PZP沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，特别适应于紧凑空间的电路设计需求。该器件关键参数如下最大工作电压VDSS为20V，能提供5A的连续漏极电流，确保稳定高效的电流传导；30mΩ的低导通电阻RD(on)，有效降低系统内部功耗，提升整体能效。广泛应用在电源管理、负载开关控制、电池保护等领域，是您设计高集成度与节能电子产品的优质MOS管选择。

RZE002P02TL

SOT-523

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

RZE002P02是一款P沟道MOSFET，采用超小型SOT-523封装，专为便携式和空间敏感型电子设备设计。器件规格包括最大漏源电压(VDSS)为20V，能够承载0.7A的漏极电流(ID)，并具有260mR的导通电阻(RD(on))，在低电压、小电流应用中展现优秀性能。这款MOS管适合应用于电源管理、电池保护电路、逻辑电平转换等领域，是提升系统效能和精简空间的理想选择。

NTD20N03L27

TO-252-2L

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场效应管(MOSFET)

2500个/圆盘

NTD20N03L27是一款高性能N沟道MOSFET，采用TO-252-2L封装，专为高功率应用设计。该器件具有30V的VDSS电压耐受能力，能够承载高达20A的连续漏极电流ID，展现出卓越的电流处理性能。其亮点在于仅15mΩ的超低导通电阻RD(on)，显著提升能源效率并减少系统发热。广泛应用在电源转换器、大电流开关电路、电机驱动等领域，是追求高效率、大电流应用的理想半导体元件。

BSS816NW

SOT-323

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

BSS816NW是一款高性能N沟道MOSFET，采用微小型SOT-323封装，特别适合于高密度电路板设计。器件支持最大20V的漏源电压(VDSS)，并能提供稳定的2A漏极电流(ID)，其优势在于49mΩ的低导通电阻(RD(on))，有效减小了功耗，提升了系统能效比。广泛应用于便携设备、电源转换、逻辑控制等领域，是实现小型化、节能电子产品的理想MOS管组件。

BSS214NWH6327

SOT-323

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

BSS214NWH6327是一款采用SOT-323封装的高性能N沟道MOSFET，专为小型化和高能效电子设备设计。该器件支持最大20V的漏源电压(VDSS)，可持续提供2A的漏极电流(ID)，其特色在于49mΩ的低导通电阻(RD(on))，有效降低了功耗并提升了系统效能。广泛应用在诸如移动设备、电源转换、逻辑控制等对尺寸和效率有较高要求的场景中，是理想的MOS管组件选择。

IRLML6346TRPBF

SOT-23

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

这款N沟道消费级MOSFET采用小型SOT-23封装，适用于30V电压下的中等电流应用。提供5A连续电流处理能力，广泛应用于电源转换、负载开关和电池管理系统，具备低导通电阻与高效能特点，是现代电子设备设计的理想集成组件。

BSC028N06NS

DFN-8L(5x6)

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场效应管(MOSFET)

5000个/圆盘

此款N沟道消费级MOSFET采用紧凑型DFN5X6-8L封装，具备强大的125A连续电流能力和60V额定电压，专为高密度、大电流应用设计。适用于高效电源转换、电池管理系统及电机驱动场景，提供卓越的开关性能与能效，是现代高性能电子设备的理想核心组件。

FDMC8651

DFN-8L(3x3)

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场效应管(MOSFET)

5000个/圆盘

型号FDMC8651的N沟道MOS管，以紧凑型DFN3X3-8L封装呈现，专为现代电子产品的小型化与高性能要求设计。此器件具备强大功能，额定电压VDSS高达30V，可承载最大连续电流ID达到100A，保证在高负荷条件下的稳定运行。其亮点在于仅有4mΩ的超低导通电阻RD(on)，有效提高了功率转换效率，降低功耗，是电源管理、高速开关电路、马达驱动等领域的理想选择，助您轻松实现高效能的电路设计。

AON6360

DFN-8L(5x6)

MXsemi

场效应管(MOSFET)

5000个/圆盘

本款消费级N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装，具有卓越的功率密度。额定电压30V，连续电流高达120A，专为高效能、大电流应用设计，如电源转换、电机驱动及电池管理系统，提供出色的散热性能与电路集成度。

AON6312

DFN-8L(5x6)

MXsemi

场效应管(MOSFET)

5000个/圆盘

本款消费级N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装，具有30V额定电压和高达150A的连续电流处理能力。专为高效能、大电流应用设计，适用于电源转换、电机驱动及电池管理系统，提供卓越功率密度与散热性能。