二极管-三极管-晶体管-MOS场效应管-桥堆生产厂家-深圳兆信半导体MXsemi

SOP-8

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

此款SOP-8封装的双N沟道消费级MOSFET，专为中等电压、高效率应用打造。额定电压30V，每个通道可承载高达8.5A连续电流，适用于电源转换、负载共享和电池管理系统，提供低导通电阻及出色的热性能，是现代电子设备理想中的双通道功率开关器件。

IRLML2402PBF

SOT-23

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

IRLML2402PbFN沟道MOS管，精巧封装于SOT-23内，以其卓越的电气特性满足您的高性能需求。此器件承受电压高达20V（VDSS），能够稳定提供2.3A的漏极电流，且在导通状态下展现极低的电阻值，仅48mR（RD(on)）。这款MOS管广泛应用于开关电源转换、电机驱动、以及其他高效率电子系统中，凭借其强大的电流处理能力和优异的能效表现，成为您优化系统设计的理想选择。

IPD25DP06NM

TO-252-2L

MXsemi

场效应管(MOSFET)

2500个/圆盘

这款TO-252-2L封装的P沟道消费级MOSFET，专为中等电压、大电流应用设计。器件具有60V额定电压和10A连续电流处理能力，适用于电源转换、负载开关以及电池管理系统等场合，提供出色的导通性能与低损耗特性，是现代电子设备高效能功率管理的理想解决方案。

IRFR7546TRPBF

TO-252-2L

MXsemi

场效应管(MOSFET)

2500个/圆盘

这款N沟道消费级MOSFET采用TO-252-2L封装，专为高电流应用设计。额定电压60V，具备高达80A的连续电流承载能力，尤其适用于电源转换、电池管理系统及大功率开关电路，提供低导通电阻与高效能表现，是现代电子设备实现卓越功率控制的理想之选。

Si2302ADS

SOT-23

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

Si2302ADS型号MOS管采用了紧凑型SOT-23封装，搭载高效N沟道技术，适于各类精密电子设计。此器件具备20V的漏源击穿电压(VDSS)，可稳定承载高达2.3A的连续漏极电流(ID)，在中小功率应用中表现出色。其48mR的低导通电阻(RD(on))意味着更低的能量损耗和更高的电路效率。广泛应用于电源转换、负载开关控制和其他低压开关电路，是提升系统性能与节能效果的理想选择。

CSD25402Q3A

DFN-8L(3x3)

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场效应管(MOSFET)

5000个/圆盘

CSD25402Q3AP沟道MOS管采用精巧DFN3X3-8L封装，实现高效空间利用。本器件具备20V的额定电压VDSS，能够承受高达48A的连续漏极电流ID，彰显出超强的电流处理能力。其核心优势在于超低导通电阻RD(on)仅为7.5mΩ，显著提升系统能效，减小功率损耗。这款MOS管广泛适用于电源切换、电池保护等多种应用场景，凭借卓越的性能表现与紧凑封装设计，CSD25402Q3A成为了高功率密度应用的理想半导体选择。

IRF7809AVPBF

SOP-8

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

IRF7809AVPbF型号MOS管，采用SOP-8封装设计，体积小巧，便于集成于紧凑型电子设备中。这款N沟道MOS管在30V的最大工作电压下，能够提供稳定的15A电流输出。其核心特点是导通电阻低至7.5mR，有助于大幅度提升系统能效，减少功耗损失，特别适用于电源转换、大电流开关控制及电机驱动等场合，是实现高效节能解决方案的理想半导体器件。

Si2333DS

SOT-23

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

Si2333DS是一款P沟道MOSFET，采用小型SOT-23封装，专为紧凑型电子设备设计。其核心性能包括最大工作电压VDSS为20V，可持续提供5A的漏极电流；而30mΩ的低导通电阻RD(on)，确保了在工作状态下的低功耗与高效能表现。广泛运用于电源转换、负载开关、电池管理系统等领域，是您在实现高集成度和节能目标时的理想MOS管组件。

IRF7821PBF

SOP-8

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

IRF7821PbF型号MOS管，采用紧凑型SOP-8封装，专为现代电子产品的小型化需求设计。这是一款高性能N沟道MOS管，可在30V的最大工作电压下，提供稳定的15A电流承载能力。其关键特性在于7.5mR的超低导通电阻，极大提升了能源效率并减少功耗，广泛运用于电源转换、电机驱动、大电流开关控制等领域，是您打造高效节能系统的核心半导体元件。

NTD2955

TO-252-2L

MXsemi

场效应管(MOSFET)

2500个/圆盘

NTD2955是一款采用TO-252-2L封装的高性能P沟道MOSFET，专为高功率密度和高效能电子设备设计。具备60V的最大耐压值(VDSS)，可承载高达10A的连续电流(ID)，并且在常态下导通电阻仅125mR(RD(on))，有效减少功率损耗，增强系统能效。此款MOS管结构紧凑，性能优越，是理想的电源开关、转换器以及各类中低压电路的理想选择。

AO4803A

SOP-8

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

AO4803A是一款高性能P+P沟道MOSFET，采用标准SOP-8封装，适用于各类电子设备。该器件的关键特性包括最大工作电压VDSS高达30V，能提供稳定的5.3A漏极电流；其35mΩ的导通电阻RD(on)设计，有效降低系统功耗，实现高效能运作。广泛应用于电源管理、电机驱动、负载开关控制等领域，是您构建高可靠性、节能型电子系统的理想MOS管选择。

DMN2053UW

SOT-323

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

DMN2053UW是一款采用小型SOT-323封装的高性能N沟道MOSFET，特别适用于对空间要求严格的电子设计。它具备20V的最大漏源电压(VDSS)，能稳定承载2A的连续漏极电流(ID)，并且拥有49mΩ的低导通电阻(RD(on))，有效确保了低功耗和高能效表现。这款MOS管广泛应用于手持设备、电源控制模块、逻辑开关电路等场景，是小型化、节能型电子设备的理想半导体组件。

BSS214NW

SOT-323

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

BSS214NW是一款N沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-323封装，专为高集成度和节能应用设计。该器件具备20V的最大漏源电压(VDSS)，能持续提供2A的漏极电流(ID)，其特点是拥有49mΩ的低导通电阻(RD(on))，在保证良好开关性能的同时，有效降低了功耗，提升了系统能效。广泛应用于移动设备、电源管理、信号切换等需求小体积、高效率的电路中。

AON7400A

DFN-8L(3x3)

MXsemi

场效应管(MOSFET)

5000个/圆盘

AON7400AN沟道MOSFET采用紧凑型DFN3X3-8L封装，结合了高效散热与小巧体积设计。该器件性能强劲额定漏源电压(VDSS)高达30V，可稳定承载60A连续电流，且导通电阻(RD(on))仅为6mΩ，确保了卓越的电力传输效率和低损耗运行。广泛应用于电源转换、负载开关等高电流处理场景，是提升系统性能与节能方案的理想半导体元件选择。

DMN3008SFG

DFN-8L(3x3)

MXsemi

场效应管(MOSFET)

5000个/圆盘

型号DMN3008SFG的MOS管是一款高效能N沟道半导体器件，采用节省空间的DFN3X3-8L封装，特别适合于高密度电路板设计。它具备强大的电性参数，额定电压VDSS高达30V，能够承受持续电流ID高达100A，确保在大电流应用场景下的稳定性。尤为突出的是其超低的导通电阻RD(on)仅为4mΩ，有效降低能耗并大幅提升系统工作效率，适用于电源转换、电机驱动、快速开关等多元化领域，是您的理想电路解决方案。

AONR21321

DFN-8L(5x6)

MXsemi

场效应管(MOSFET)

5000个/圆盘

本款消费级P沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装，额定电压30V，连续电流高达50A。专为电源转换、负载开关及电池管理系统设计，具有卓越的功率处理能力与紧凑体积，满足现代电子设备高效能与小型化需求。

MX2309I

SOT-23

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，专为60V电压系统设计，提供高达2A的电流处理能力。具备低导通电阻与快速开关性能，广泛应用于充电器、电源转换等领域，确保电子设备高效稳定的功率控制表现。

BSZ130N03LS G

DFN-8L(3x3)

MXsemi

场效应管(MOSFET)

5000个/圆盘

这款N沟道消费级MOSFET采用DFN3X3-8L封装，专为高功率密度和中高电流应用设计。额定电压30V，可承载30A连续电流，尤其适用于电源转换、电池管理系统及紧凑型电子设备，提供卓越的导通性能与高效散热，是现代电子系统理想的功率开关器件。

MX50P03NF

DFN-8L(5x6)

MXsemi

场效应管(MOSFET)

5000个/圆盘

此款消费级P沟道MOSFET封装于DFN5X6-8L，具备30V额定电压及50A连续电流能力。专为高效电源转换、负载切换与电池管理系统设计，以紧凑尺寸实现卓越的功率处理性能，满足现代电子设备对能效和空间利用率的需求。

MX80N03DF

DFN-8L(3x3)

MXsemi

场效应管(MOSFET)

5000个/圆盘

这款消费级N沟道MOSFET采用紧凑型DFN3X3-8L封装，具有出色的功率密度和散热性能。额定电压为30V，连续电流高达80A，适用于空间有限的高功率应用，如电源转换、负载开关控制及电池管理系统，实现卓越的能效与可靠性。

IRFR5305TRLPBF

TO-252-2L

MXsemi

场效应管(MOSFET)

2500个/圆盘

此款消费级P沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压60V，连续电流高达30A，专为中高功率应用设计。适用于电源转换、电机驱动及反向电流保护等领域，以高效能与稳定性能，满足现代电子产品对功率管理的严苛要求。

1N65G

SOT-223

MXsemi

场效应管(MOSFET)

4000个/圆盘

此款消费级MOSFET采用紧凑型SOT-223封装，内部集成N沟道结构，具备出色的耐压性能（650V）和连续电流承载能力（1A），尤其适用于各类高压、低功耗应用场景

NTTFS015N04C

DFN-8L(5x6)

MXsemi

场效应管(MOSFET)

5000个/圆盘

本款消费级N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装，额定电压40V，最大连续电流50A。专为高效电源转换、电机驱动及电池管理系统打造，具备高功率密度与卓越散热性能，是现代电子产品理想的小型化解决方案。

SI2305

SOT-23

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

该消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，专为20V电压系统设计，额定电流5A。具备低导通电阻和快速开关性能，适用于充电器、电源转换及各类电子设备中的功率控制与切换应用，提供高效稳定的解决方案。