二极管-三极管-晶体管-MOS场效应管-桥堆生产厂家-深圳兆信半导体MXsemi

SOP-8

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

本消费级MOSFET采用SOP-8封装，集成N+P沟道结构，额定电压30V，最大连续电流6A。专为电池管理系统、AC/DC转换器等应用设计，具备优秀的双向开关性能及低导通电阻特性，有效提升能源效率并确保在正负电压下稳定运行，是现代节能电子设备的理想选择。

MX3416MI

SOT-23-3L

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23-3L封装，专为20V电压系统设计，提供高达6.5A的连续电流处理能力。具备低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电器、电源转换等场景，实现高效、稳定的功率控制需求。

AOD607

TO-252-4L

MXsemi

场效应管(MOSFET)

2500个/圆盘

本款消费级N+P沟道MOSFET采用TO-252-4L封装，额定电压30V，具有高效能的20A电流处理能力。专为双极性电源转换与开关应用设计，适用于各类消费电子产品，提供卓越的系统效率和稳定性表现，是优化电路的理想选择。

BSN20

SOT-23

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，额定电压50V，电流承载能力0.5A。特别适用于电池保护、信号切换等低至中等电流应用，凭借其出色的低导通电阻与快速开关特性，实现精准高效的功率管理，是各类电子设备的理想组件选择。

IRFR9024NTRPBF

TO-252-2L

MXsemi

场效应管(MOSFET)

2500个/圆盘

本款消费级P沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，具备60V高耐压及10A电流处理能力。专为低压开关应用设计，适用于各类消费电子产品中的电源管理与转换需求，提供高效、低损耗的系统解决方案。

2N7002KW

SOT-323

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

这款消费级N沟道MOSFET封装为SOT-323，具有60V高击穿电压及0.1A电流容量，特别适合于低功耗电子设备的电源管理与精准开关应用。其微型尺寸与高效性能相结合，提供理想的电路设计解决方案。

2SK3018W

SOT-323

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

本款消费级MOSFET采用SOT-323封装，具备N沟道特性，额定电压高达30V，电流容量为0.1A，适用于各类小型电子设备，提供高效、稳定的开关与功率转换性能。

AON7534

DFN-8L(3x3)

MXsemi

场效应管(MOSFET)

5000个/圆盘

本款消费级N沟道MOSFET采用极紧凑DFN3X3-8L封装，具备强大功率处理能力。额定电压30V，连续电流高达100A，专为高效能、小体积电源转换、负载开关以及电池管理系统设计，实现卓越的电流承载与空间利用率。

IRFH8318PBF

DFN-8L(5x6)

MXsemi

场效应管(MOSFET)

5000个/圆盘

这款高性能N沟道消费级MOSFET采用紧凑DFN5X6-8L封装，专为高电流应用设计。额定电压30V，具备150A强大连续电流承载能力，适用于电源转换、电池管理系统及大功率开关场合，提供卓越的导通性能和散热效果，是现代电子设备实现高效能功率管理的理想选择。

DMG1013T

SOT-523

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

DMG1013TP沟道MOS管采用精巧的SOT-523封装，专为现代紧凑型电子产品设计。器件最大工作电压VDSS为20V，持续电流承载能力高达0.7A，具备优秀的260mR导通电阻，确保低功耗下的高效能运行。广泛应用于移动设备、电池管理、低电压系统开关控制等场景，DMG1013T凭借其卓越的电气性能与小巧封装，成为电路设计中节省空间与提升效率的理想选择。

AO3401A

SOT-23-3L

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

AO3401A是一款P沟道MOSFET，采用小型SOT-23-3L封装，适合空间有限的电路设计。器件参数强大，最大漏源电压VDSS为30V，可承载高达4.2A的连续漏极电流ID，且具有45mR的导通电阻RD(on)，在开关应用中表现优秀，低导通电阻确保了高效能与低功耗。广泛应用在电源管理、负载开关、电池保护和各类电子设备的低电压、中等电流开关控制中。

MX4430S

SOP-8

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

此款消费级N沟道MOSFET采用SOP-8封装，额定电压30V，连续电流高达18A。专为高效能电源转换、负载开关及电池管理系统设计，具备卓越的散热性能与小尺寸优势，是现代电子设备的理想功率管理组件。

LP2309LT1G

SOT-23

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，适用于20V电压系统，具备5A大电流处理能力。凭借其卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电器、电源转换等场景中，实现高效、稳定的功率控制与切换功能。

10N65

TO-252-2L

MXsemi

场效应管(MOSFET)

2500个/圆盘

此款N沟道消费级MOSFET采用TO-252-2L封装，专为处理高耐压、中等电流应用设计。具备650V的卓越击穿电压和10A连续工作电流，尤其适用于高压开关电路、电源转换器及逆变器系统，提供高效可靠的功率管理解决方案，是您提升电子设备性能的理想之选。

IRFR3410TRPBF

TO-252-2L

MXsemi

场效应管(MOSFET)

2500个/圆盘

这款N沟道消费级MOSFET采用TO-252-2L封装，专为中高电压、大电流应用设计。额定击穿电压100V，连续电流承载能力高达30A，特别适用于电源转换器、电机驱动及负载开关场合，提供卓越的导通性能与能效表现，是构建高性能电子系统的理想功率半导体器件选择。

DMG2302U

SOT-23

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

DMG2302U型号MOS管采用紧凑型SOT-23封装，内含先进N沟道技术，为提升电路效率精心设计。器件具有20V的漏源电压(VDSS)，在正常工作状态下可承载2.3A连续漏极电流(ID)，适用于各类中小功率应用。其48mR的低导通电阻(RD(on))有效降低了功耗，提高了能源使用效率。广泛应用于电源转换、负载开关控制及各类低压电子设备的开关电路，是提升产品性能与节能效果的理想半导体元件。

AO4409

SOP-8

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

这款高性能P沟道消费级MOSFET采用小巧的SOP-8封装，专为高效率功率转换与大电流开关应用设计。器件提供30V额定电压及高达15A的连续电流处理能力，适合于紧凑型电子设备中的电源管理、负载切换等场合，实现卓越的系统能效和可靠性。

MX120N03NF

DFN-8L(5x6)

MXsemi

场效应管(MOSFET)

5000个/圆盘

这款消费级N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装，额定电压30V，提供高达120A的连续电流处理能力。专为高功率密度应用设计，如电源转换、电机驱动及电池管理系统，实现卓越的散热性能与高效能表现。

MX4480S

SOP-8

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

此款消费级N沟道MOSFET采用SOP-8封装，具有40V的额定电压和高达14A连续电流。专为中等功率应用设计，适用于电源转换、负载开关控制及电池管理系统，提供紧凑尺寸与卓越性能表现，满足现代电子设备高效节能需求。

IRF7241PBF

SOP-8

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

IRF7241PbF是一款P沟道MOSFET，采用SOP-8封装，专为高电流、高效能应用设计。器件提供40V的漏源电压(VDSS)，在14mR的低导通电阻(RD(on))下，可承载高达13A的漏极电流(ID)。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，凭借其强大的电流处理能力和出色的能效表现，成为您优化系统性能和降低能耗的理想半导体组件。

IRF7341PBF

SOP-8

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

型号IRF7341PbF的N+N沟道MOS管采用SOP-8封装，专为高效能、大电流应用设计。该器件的最大工作电压VDSS高达60V，连续电流ID能力为6.5A，胜任高压大电流环境下的稳定运行。导通电阻RD(on)低至32mR，有效减少功率损耗，提升系统整体能效。广泛应用于电源转换、电机驱动、逆变器等领域，是工程师追求高性能、节能解决方案的理想MOS管选择。

SMBJ26CA

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

此款SMB封装的Bi双向TVS瞬态抑制二极管，适用于26V电压系统，提供全面的正负向过压防护。在瞬态事件中可承受高达14.3A峰值脉冲电流，具备快速响应和高效钳位性能，有效防止雷击、静电等瞬变现象对电子设备造成损害，是中高电压环境的理想双向浪涌保护器件。

IRF8721PBF

SOP-8

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

IRF8721PbF型号MOS管，采用小巧的SOP-8封装，专为现代电子设备的小型化设计。该N沟道MOS管可在30V的最大电压下稳定工作，提供高达15A的连续电流承载能力。其关键技术参数为7.5mR的超低导通电阻，显著提升能源效率并减少功率损耗，适用于电源转换、大电流开关控制、电机驱动等多种高效率应用场景，是构建高效节能系统的理想半导体组件。

DMN4026SSD

SOP-8

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

DMN4026SSD是一款高性能N+N沟道MOSFET，采用紧凑型SOP-8封装，专为高效能电子设备设计。该器件提供40V的额定电压VDSS，最大连续电流ID可达12A，表现出卓越的电力控制能力。其导通电阻RD(on)仅为16mΩ，有助于显著降低系统功耗，提升整体能效。适用于电源转换、负载开关控制及中等电流驱动等应用场合，DMN4026SSD是您实现高效、可靠电路设计的理想半导体组件。