二极管-三极管-晶体管-MOS场效应管-桥堆生产厂家-深圳兆信半导体MXsemi

SMA(DO-214AC)

MXsemi

场效应管(MOSFET)

5000个/圆盘

该款SMA封装单向TVS瞬态抑制二极管，专为6V系统设计，提供强劲的正向过电压保护。具备38.8A峰值脉冲电流IPP能力，能迅速响应并钳位电路中的瞬态高压，有效防止浪涌、瞬变事件对电子设备造成损害，尤其适用于高功率和需要强大瞬态防护性能的电源线及信号接口场合。

HS6339

SOP-8

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

此款消费级P沟道MOSFET采用小型SOP-8封装，专为30V系统设计，提供高达12A的连续电流处理能力。具备优秀的开关性能与低导通电阻，广泛应用于电池保护、电源切换以及高功率负载控制场景，是现代电子产品实现高效能、稳定运行的理想选择。

IRF7341TRPBF

SOP-8

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

高效能N+N沟道MOSFET，采用紧凑型SOP-8封装，适用于60V电压环境，具备6.5A强劲连续电流处理能力。特别适合于消费级电子产品中的电源转换、负载开关及逆变器应用，其出色的低导通电阻与高速切换性能，确保系统稳定运作并优化能源效率。

HN2199

DFN-8L(5x6)

MXsemi

场效应管(MOSFET)

5000个/圆盘

本款消费级N+P沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装，集成双通道设计，额定电压40V，连续电流高达30A。专为高效电源转换、负载切换及电池管理系统打造，实现高集成度与卓越能效，满足现代电子设备的小型化需求。

MX7N65F

TO-220F

MXsemi

场效应管(MOSFET)

50个/圆盘

此款消费级N沟道MOSFET采用经典TO-220F封装，额定电压高达650V，连续电流可达7A，适用于高电压、大电流的电源转换与开关控制应用。为电子设备提供强大且稳定的功率管理解决方案。

MX12N65F

TO-220F

MXsemi

场效应管(MOSFET)

50个/圆盘

这款消费级N沟道MOSFET采用TO-220F封装，额定电压高达650V，连续电流承载能力为12A，专为高功率电子设备设计，适用于电源转换、电机驱动等场景，提供强大稳定且高效的开关控制性能。

NTD6416ANT4G

TO-252-2L

MXsemi

场效应管(MOSFET)

2500个/圆盘

此款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，具有100V耐压及高达20A的连续电流承载能力，专为高性能电子设备设计，应用于电源转换、电机控制等领域，提供卓越的功率开关效能与稳定性。

DMP1045U

SOT-23

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

DMP1045U是一款P沟道MOSFET，采用小型化SOT-23封装，适合空间有限的现代电子设计。器件参数出色具有20V的最大工作电压VDSS，可稳定处理5A的漏极电流；30mΩ的低导通电阻RD(on)，有助于减少功率损耗，提升系统能效。广泛应用于电源转换、负载开关控制、电池保护等领域，是您设计紧凑型、高能效电子产品的理想MOS管选择。

25N50

TO-3P

MXsemi

场效应管(MOSFET)

50个/圆盘

该款N沟道消费级MOSFET采用TO-3P封装，专为处理500V高电压、大电流应用设计。额定连续电流25A，适用于电源转换、电机驱动及工业控制领域，具有低导通电阻与优良散热性能，是现代电子设备高效能功率管理的理想半导体元件。

IRFH9310TRPBF

DFN-8L(5x6)

MXsemi

场效应管(MOSFET)

5000个/圆盘

这款高性能P沟道消费级MOSFET采用超小型DFN5X6-8L封装，专为高功率密度和大电流应用设计。器件具有30V额定电压，并能承载高达90A的连续电流，适用于高效电源开关、电池管理系统以及大电流负载切换场景，提供卓越的能效与出色的散热性能，是现代电子设备的理想核心组件。

BSC039N06NS

DFN-8L(5x6)

MXsemi

场效应管(MOSFET)

5000个/圆盘

本款消费级N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装，具备60V高耐压及卓越的125A大电流处理能力。专为高性能、低电阻开关应用设计，广泛应用于各类消费电子产品中，实现高效能与紧凑空间利用的完美结合。

IRF540N

TO-220

MXsemi

场效应管(MOSFET)

50个/圆盘

该款N沟道消费级MOSFET采用TO-220封装，专为100V电压下大电流应用设计。额定连续电流33A，适用于电源转换、电机驱动及电池管理系统，具有出色的低导通电阻与高效散热性能，是现代电子产品实现高效率功率控制的理想半导体组件。

AO3404A

SOT-23-3L

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

型号AO3404A的高性能N沟道MOS管，采用了节省空间的SOT-23-3L封装，便于在紧凑型电路板上集成。其关键电气参数表现出色，最大工作电压VDSS高达30V，连续电流ID承载能力高达5.8A，充分满足高功率应用需求。尤为突出的是，导通电阻RD(on)仅为22mR，以极低的功率损耗实现了更高的工作效率。这款MOS管广泛应用于电源转换、电机控制、LED驱动等多个领域，是您提升电路性能、优化能源利用的理想元件选择。

SSM3K333R

SOT-23-3L

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

型号SSM3K333R的N沟道MOS管采用紧凑轻巧的SOT-23-3L封装，专为现代电子产品的小型化设计需求打造。该器件具有优越的电气性能，最高工作电压VDSS为30V，连续电流ID高达5.8A，确保在大电流环境下稳定可靠运作。导通电阻RD(on)仅为22mR，显著减少功率损耗，提升系统能效。广泛应用在电源转换、电机驱动、负载开关等领域，是工程师追求高效率、低能耗的理想半导体组件选择。

DMN3730U

SOT-23

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

DMN3730UN沟道MOSFET采用小型化SOT-23封装，专为高效、节省空间的设计方案打造。该器件拥有卓越性能，额定电压VDSS高达30V，连续漏极电流ID达5A，充分满足高功率应用需求。其亮点在于仅为33mΩ的超低导通电阻RD(on)，有助于减少能量损耗并提升整体效能，是电源转换、电机驱动等领域的优质半导体解决方案。

DMN3150L

SOT-23

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

DMN3150L是一款精巧的N沟道MOSFET，采用小型SOT-23封装形式，专为紧凑型电路设计打造。器件的核心优势在于具备30V的漏源极最大耐压(VDSS)，可持续承载5A的漏极电流(ID)，确保强大而稳定的电流处理性能。尤为突出的是其低至33mΩ的导通电阻(RD(on))，有效减少了功耗，提高了系统能效。这款MOS管广泛应用在电源转换、负载切换以及各种要求高效、低阻抗半导体解决方案的场景中。

SSM3J334R

SOT-23-3L

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

型号SSM3J334R的P沟道MOS管，采用紧凑型SOT-23-3L封装，专为现代微小化电子设备设计。器件具有优良电气性能，额定电压VDSS高达30V，连续电流ID容量可达4.1A，满足中大电流应用需求。其导通电阻RD(on)仅为42mR，有助于降低功耗并提高系统能效。广泛应用于电源管理、负载切换、逻辑电平转换等领域，是工程师在设计高效率、低能耗电路时的理想选择。

AO3480

SOT-23-3L

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

型号AO3480的N沟道MOS管采用紧凑型SOT-23-3L封装，适应现代电子产品的小型化需求。该器件具有强大的性能指标，额定电压VDSS高达30V，连续电流ID承载能力为5.8A，适合处理大电流场合。值得一提的是，其导通电阻RD(on)低至21mR，有效降低了功率损耗，提升了系统能效比。广泛应用于电源管理、开关电路、马达驱动等各种场景，是工程师进行高性能、低功耗设计的理想选择。

PMV40UN2R

SOT-23

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

PMV40UN2RN沟道MOS管采用节省空间的SOT-23封装，专为优化电路布局而设计。器件支持最大30V的漏源极电压(VDSS)，具备5A的强大连续漏极电流(ID)处理能力，适用于多种中高功率应用场合。其亮点在于拥有33mΩ的低导通电阻(RD(on))，显著降低功耗，提升能效表现。这款MOS管广泛应用在电源管理、电池保护、以及其他需要高效能、小体积半导体解决方案的领域。

DMN3300U

SOT-23

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

这款型号为DMN3300U的N沟道MOS管采用紧凑型SOT-23封装，适用于各类精密电子设备。其核心参数强大，具备30V的最大漏源极电压VDSS和5A的连续漏极电流ID，确保了高效的电力传输能力。尤为突出的是其低至33mΩ的导通电阻RD(on)，有效降低功耗并提升系统能效，是高可靠性、高性能电源管理方案的理想选择。

SSM3J14T

SOT-23-3L

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

型号SSM3J14T的P沟道MOS管采用小型SOT-23-3L封装，适合于紧凑型电路设计。该器件具备出色电气性能，最大工作电压VDSS高达30V，可持续处理4.1A电流，适用中大型电流应用场景。其特色在于导通电阻RD(on)低至42mR，有助于降低功率损耗并提升能源使用效率。广泛应用于电源转换、负载开关、反向电流保护等功能模块，是工程师构建高效节能电子系统的重要组件。

DMN3110S

SOT-23

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

DMN3110S是一款N沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，专为节约空间的电路设计打造。器件特征包括30V的最大漏源电压(VDSS)及4A连续漏极电流(ID)，展现出卓越的电流处理能力。其29mΩ的导通电阻(RD(on))设计，有效降低系统损耗，实现更高的能效比。DMN3110S广泛应用在电源管理、电机驱动、负载开关等领域，是紧凑、高效半导体解决方案的理想选择。

PMV45EN2R

SOT-23

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

PMV45EN2R是一款高性能N沟道MOS管，选用紧凑型SOT-23封装，尤其适合对空间利用有严格要求的电路设计。其核心技术指标包括最高30V的漏源极击穿电压(VDSS)，以及4A的连续漏极电流(ID)，彰显出强大的电流处理性能。更值得关注的是，该器件具有优越的导通电阻(RD(on))仅为29mΩ，旨在最大程度地减少功率损耗，提高系统效能。这款MOS管广泛应用于电源转换器、充电器、电机驱动等需高效能、低阻抗元件的电子产品中。

Si2366DS-T1-GE3

SOT-23

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

Si2366DS-T1-GE3是一款N沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，专为现代精密电子设备设计。器件亮点包括最大工作电压VDSS高达30V，能稳定输送4A的漏极电流，满足高功率需求；导通电阻RD(on)仅为29mΩ，确保低功耗和高效率运作。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池保护等领域，是您追求高性能与节能方案的理想N沟道MOS管选择。