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场效应管(MOSFET)
型号
封装
品牌
分类
圆盘信息
描述
MX3401MI
SOT-23-3L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
此款消费级MOSFET采用SOT-23-3L封装，拥有P沟道技术，额定电压高达30V，可承载4.2A连续电流，适用于各类电源转换和开关控制场景。其精巧体积与卓越性能相结合，为电子设备提供高效、稳定的功率管理方案。
MX2301AI
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该款消费级P沟道MOSFET采用小型SOT-23封装，专为20V电压系统设计，额定电流为3A。具备出色的低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于充电设备、电源转换等场合，提供高效能、可靠的功率控制解决方案。
AO4459
SOP-8
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
这款消费级P沟道MOSFET采用SOP-8封装，专为低电压、高效率应用设计。额定电压30V，连续电流高达5A，适用于电池保护、负载开关及电源管理等领域。其优越的导通电阻和快速切换性能确保了在低压电路中的出色能效与稳定性。
MX2302AI
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
此款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，专为20V电压系统设计，额定电流高达3A。具备出色的低导通电阻与快速开关特性，广泛应用于充电器、电源管理及各类电子设备中，提供高效能、稳定可靠的功率转换和控制功能。
MX3N10AI
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该消费级N沟道MOSFET采用小型化SOT-23封装，适用于100V电压系统，额定电流高达3A。专为电池管理、信号切换等应用设计，具有卓越的低导通电阻与快速开关性能，是现代电子设备中理想的高效能半导体功率开关组件。
MX4402S
SOP-8
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
此款消费级N沟道MOSFET采用SOP-8封装，额定电压20V，连续电流高达20A。专为中等功率电子设备设计，应用于电源转换、负载开关控制及电池管理系统，具备高集成度与优良能效表现，实现紧凑而强大的半导体解决方案。
BSS308PEH6327
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，专为30V电压系统打造，具备4.2A大电流处理能力。凭借低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电器、电源转换等领域，提供高效能、稳定可靠的功率控制解决方案。
IRFR024NT
TO-252-2L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
这款消费级MOSFET采用TO-252-2L封装，是一款高性能N沟道半导体器件，具备60V的最大工作电压及30A连续电流处理能力。适用于各类电源转换、开关电路等应用场合，以其出色的能效、高可靠性与紧凑设计，有效提升电子设备性能表现。
MX5N10MI
SOT-23-3L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23-3L封装，专为100V电压系统设计，提供5A大电流承载能力。具有卓越的低导通电阻和快速开关特性，适用于充电器、电源转换等场景，实现高效能、稳定的功率控制功能。
IRLML6344TRPBF
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，适用于30V电压系统，提供高达5.8A的大电流承载能力。具备出色的低导通电阻与快速开关特性，特别适合充电器、电源模块及高效能电子设备中，实现精准、稳定的功率控制和转换需求。
MX4435S
SOP-8
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
此款消费级P沟道MOSFET采用紧凑型SOP-8封装，专为30V电压应用设计，提供高达9A的连续电流承载能力。具有出色的低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于电池保护、电源管理以及高功率负载切换，确保电子设备高效稳定运行。
BSS169H6327
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
这款消费级N沟道MOSFET采用小型SOT-23封装，额定电压高达100V，适用于低至0.2A电流的精细控制应用。专为电池保护、信号切换和高效能电子设备设计，具有卓越的开关性能与低导通电阻，是微功率系统中理想的半导体组件选择。
HCJ3134K
SOT-723
MXsemi
场效应管(MOSFET)
8000个/圆盘
负载/电源开关超小型便携式电子产品的电池管理逻辑电平移位通信设备工业控制与自动化
RK7002BMT116
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
此款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，耐压高达60V，额定电流0.3A。适用于电池保护、低功率开关等应用，具备卓越的低导通电阻和快速切换性能，是现代电子设备实现高效能功率控制的理想之选。
NDS331N
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该消费级N沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，专为20V电压系统设计，额定电流高达2.3A。器件具备低导通电阻和卓越开关性能，广泛应用在充电器、电源转换及各类电子设备中，实现高效、稳定的功率控制与管理。
AO4410
SOP-8
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
本款消费级N沟道MOSFET采用SOP-8封装，额定电压30V，连续电流高达18A。专为中高功率应用设计，适用于电源转换、负载开关及电池管理系统，以其紧凑尺寸和卓越性能满足现代电子产品高效能需求。
7N65
TO-252-2L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
本款消费级N沟道MOSFET采用紧凑型TO-252-2L封装，拥有出色的650V高耐压性能及7A电流处理能力。专为要求严苛的消费电子开关应用设计，有效提升系统能效与稳定性，是高压环境下优化电路的理想半导体器件。
MX30N03DF
DFN-8L(3x3)
MXsemi
场效应管(MOSFET)
5000个/圆盘
本款消费级N沟道MOSFET采用紧凑型DFN3X3-8L封装，额定电压30V，连续电流高达30A。专为高效能、小体积电路设计，适用于电源转换、负载切换以及电池管理系统等应用，提供卓越的功率密度和稳定性，满足现代电子产品的小型化需求。
AO4421
SOP-8
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该消费级P沟道MOSFET采用SOP-8封装，专为60V电压应用设计，提供高达6A的连续电流承载能力。器件具备低导通电阻和优良开关性能，适用于电池保护、电源切换及高效能电子设备的功率控制，确保系统稳定运作与高效节能。
MX4012GD
TO-252-4L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
本款消费级N+P沟道MOSFET封装为TO-252-4L，额定电压40V，提供高效稳定的20A电流处理能力。专为中低压环境下双极性电源转换设计，广泛应用于各类消费电子产品，实现卓越的能效和系统稳定性。
MX4614S
SOP-8
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
本款消费级N+P沟道MOSFET采用SOP-8封装，额定电压40V，最大连续电流7.2A，适用于电池管理、电源转换等双向电压控制场景。集成双通道设计，具备低导通电阻与快速切换能力，确保在正负电压下均能高效稳定工作，是现代电子设备的理想功率开关组件。
IRFR024N
TO-252-2L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
该消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，具有100V高耐压和高达20A连续电流处理能力，专为高性能电子设备设计，适用于电源转换、电机驱动等应用场合，提供高效能与稳定的功率切换解决方案。
AON7401
DFN-8L(5x6)
MXsemi
场效应管(MOSFET)
5000个/圆盘
本款消费级P沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装，额定电压30V，连续电流可达50A。专为高效电源转换、负载开关控制及电池管理系统设计，提供出色的能效比和紧凑尺寸，满足现代电子产品对高性能与小型化的需求。
FQD50N06
TO-252-2L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
本款消费级MOSFET采用TO-252-2L封装，是一款高规格N沟道半导体器件，具有60V的工作电压和强大50A电流处理能力。专为各类电源转换、开关应用设计，以卓越的能效表现与稳定性，满足现代电子设备对高性能MOSFET的需求。
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