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场效应管(MOSFET)
型号
封装
品牌
分类
圆盘信息
描述
IRLML6402
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，专为20V电压系统设计，提供4.2A电流处理能力。具备低导通电阻与快速开关特性，广泛应用在充电器、电源转换等场景中，确保电子设备高效、稳定地进行功率控制与切换。
2N7002KDW
SOT-363
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该消费级MOSFET采用紧凑型SOT-363封装，集成双N沟道技术，额定电压高达60V，最大连续电流为0.1A，特别适用于高耐压、低功耗的电子设备电源管理和精细控制应用。小巧体积与卓越性能兼具，提供精准高效的电路解决方案。
MX8205ES
TSSOP-8
MXsemi
场效应管(MOSFET)
5000个/圆盘
本款消费级MOSFET采用紧凑型TSSOP-8封装，内含双N沟道设计，工作电压高达20V，支持6A连续电流。专为小型化、低功耗电源转换及开关应用打造，是消费电子产品的理想之选，有效提升系统能效与稳定性。
MX60N02D
TO-252-2L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
该消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，具有20V额定电压及高达60A连续电流承载能力，专为高电流应用设计，如电源转换、大功率电机驱动等场合，提供高效能、低阻抗的开关控制解决方案。
MX3422MI
SOT-23-3L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该消费级MOSFET采用SOT-23-3L封装，具备N沟道特性，支持高达60V的工作电压及4.5A连续电流，特别适用于高效率电源转换和电子设备开关控制。其小巧外形与卓越性能相结合
SM4485PRL
SOP-8
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
这款消费级P沟道MOSFET采用SOP-8封装，专为40V电压系统设计，提供高达13A的连续电流承载能力。凭借出色的低导通电阻与高效开关性能，适用于电池保护、电源管理及高功率负载控制应用，是优化电子设备能源效率的理想半导体元件。
AO4882
SOP-8
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
这款消费级N+N沟道MOSFET采用SOP-8封装，专为高效电源转换设计。额定电压40V，连续电流高达8A，适合充电器、电源控制等应用。集成双N沟道结构，提供卓越的开关性能与低导通电阻，是您电子设备的理想选择。品质可靠，适用于各类中低压电路的功率转换需求。
IRFB4115PBF
TO-220
MXsemi
场效应管(MOSFET)
50个/圆盘
此款消费级N沟道MOSFET采用经典TO-220封装，专为高功率应用设计。具有150V的漏源耐压和高达120A的连续电流处理能力，适用于各类电源转换、电机驱动与大电流开关场合，提供卓越能效与可靠性。
MX40P03D
TO-252-2L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
本款消费级P沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压30V，具备强大40A电流承载能力。专为高性能、高效率的低压开关应用设计，适用于各类消费电子产品，提供卓越的电源转换效能与系统稳定性表现。
3N10
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
此款消费级N沟道MOSFET采用小型SOT-23封装，专为100V电压系统设计，提供高达3A的连续电流处理能力。具备低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于电池保护、电源转换以及各类高效能电子设备中，实现精准可靠的功率控制。
25N06
TO-252-2L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
本款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压60V，提供高达30A的连续电流处理能力。专为高性能开关电源和负载驱动设计，适用于各类消费电子产品，确保高效能、低损耗与卓越的系统稳定性。
MX80N06D
TO-252-2L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
本款消费级N沟道MOSFET采用高效封装TO-252-2L，具备60V电压额定值及80A强大连续电流承载力。专为高性能消费电子产品设计，具有出色的开关效率和可靠性，是优化电源转换、提升系统能效的理想半导体器件选择。
BSS123LT1G
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
这款消费级N沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，专为100V电压系统设计，额定电流0.2A。适用于低功耗电子设备的电源切换、信号控制等应用，凭借其优越的低导通电阻与快速开关特性，有效提升设备能效并确保稳定运行。
SI2300
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，适用于20V电压系统，提供高达6A的连续电流处理能力。具备低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电器、电源转换及各类高效率电子设备中，实现卓越的功率控制与管理。
BSS84
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，专为50V电压应用设计，额定电流0.1A。具备低导通电阻和快速开关特性，尤其适用于电池保护、信号切换等精细功率控制场合，实现电子设备高效节能的运作。
SI2312A
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该款消费级N沟道MOSFET采用小型SOT-23封装，专为20V电压应用设计，具有高达6A的连续电流承载能力。凭借其出色的低导通电阻和快速开关特性，广泛适用于充电器、电源转换及各种高效能电子设备中，提供稳定可靠的功率管理方案。
WPM2015
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
这款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，适用于20V电压系统，提供5A大电流处理能力。具备卓越的低导通电阻与快速开关性能，广泛应用于充电器、电源转换等应用场合，实现高效能、稳定的功率控制功能。
MX9926S
SOP-8
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
本款消费级N+N沟道MOSFET采用SOP-8封装，集成双通道技术，额定电压20V，连续电流6A。专为小型化、高效能电源转换和负载管理设计，适用于电池管理系统及多通道控制应用，提供节能、紧凑的半导体解决方案。
5N50
TO-252-2L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
本款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，具备高达500V的耐压性能及稳定的5A电流处理能力。专为高压环境下的开关应用设计，广泛应用于各类消费电子产品中，确保高效能、低损耗与出色的系统稳定性表现。
IRFR9024NTR
TO-252-2L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
本款消费级P沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，具有60V高耐压及高效能的10A电流处理能力。专为中高压应用环境设计，适用于各类消费电子产品中的电源开关与转换需求，以实现卓越的系统稳定性和能源效率。
MX100P03NF
DFN-8L(5x6)
MXsemi
场效应管(MOSFET)
5000个/圆盘
此款消费级P沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装，额定电压30V，连续电流高达100A。专为高效电源转换、大电流负载开关及电池管理系统设计，具有出色的散热性能与功率密度，满足现代电子设备的高性能需求。
MX3419DF
DFN-8L(3x3)
MXsemi
场效应管(MOSFET)
5000个/圆盘
本款消费级P沟道MOSFET采用紧凑型DFN3X3-8L封装，额定电压为30V，最大连续电流高达32A。专为高效能、小体积电源转换、负载开关及电池管理系统设计，具备出色的热性能与低导通电阻，实现现代电子产品的小型化与节能需求。
MX30N06DF
DFN-8L(3x3)
MXsemi
场效应管(MOSFET)
5000个/圆盘
此款消费级N沟道MOSFET采用DFN3X3-8L封装，具有紧凑尺寸与高效能特点。额定电压60V，连续电流高达30A，适用于电源转换、负载开关以及电池管理系统等应用场合，实现小体积、大电流的优质半导体解决方案。
AOD409
TO-252-2L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
本款消费级P沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，具备60V高耐压及强大50A电流处理能力。专为中高压大电流应用场景设计，广泛应用于各类消费电子产品，提供卓越的电源转换效率与系统稳定性表现。
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