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场效应管(MOSFET)
型号
封装
品牌
分类
圆盘信息
描述
SI2333
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该消费级P沟道MOSFET采用小型化SOT-23封装，专为20V电压系统设计，额定电流高达7A。具备低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于电池保护、电源管理及各类高效率电子设备中，实现精准可靠的功率转换与控制功能。
SI2310
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，额定电压60V，最大连续电流3A。具有低导通电阻和快速开关性能，适用于充电器、电源转换等应用场合，为各类电子设备提供高效稳定的功率控制解决方案。
2N7002T
SOT-523
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该消费级N沟道MOSFET采用SOT-523微型封装，具有60V高耐压和0.1A电流处理能力，专为紧凑型、低功耗电子设备设计，实现精细电源管理与高效开关功能。
DMP3099L-7
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，适用于30V电压系统，提供高达4.2A的连续电流处理能力。具备低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于充电器、电源转换等场景，实现高效能与稳定可靠的功率控制功能。
NVTFS5116PL
DFN-8L(3x3)
MXsemi
场效应管(MOSFET)
5000个/圆盘
本款消费级P沟道MOSFET采用超小型DFN3X3-8L封装，具备60V额定电压及20A连续电流处理能力。专为紧凑型、高效能电源转换、负载开关控制以及电池管理系统设计，实现现代电子设备的小体积与高性能需求。
AO4485
SOP-8
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
此款消费级P沟道MOSFET采用紧凑SOP-8封装，额定电压40V，具备13A强大连续电流处理能力。专为高功率应用设计，具有低导通电阻和优异开关性能，广泛应用于电池管理系统、电源转换及各类高效能电子设备中，实现卓越的功率控制与能效管理。
MX4612S
SOP-8
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
这款消费级N+P沟道MOSFET采用紧凑型SOP-8封装，专为60V电压环境设计，额定电流5A。适用于电池管理系统、AC/DC转换器等应用，具备双极性开关功能，实现正负电压控制。低导通电阻和卓越的开关性能确保了在高效率电源转换中的稳定表现。
MX20P03D
TO-252-2L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
本款消费级P沟道MOSFET采用紧凑型TO-252-2L封装，具有30V电压耐受力和高效能的20A电流处理能力。适用于各类低压开关应用的消费电子产品，提供卓越的系统效率与稳定性，是优化电源管理方案的理想半导体元件选择。
AOD603
TO-252-4L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
本款消费级N+P沟道MOSFET采用TO-252-4L封装，具有60V高耐压和高效能的20A电流处理能力。专为双极性电源转换应用设计，广泛应用于各类中高压消费电子产品中，实现卓越的能源效率与系统稳定性表现。
MX7002AI
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23小型封装，耐压高达60V，适用于低至0.3A电流的精密控制场景。具备快速开关与低导通电阻特性，广泛应用于电池保护、电源管理及各类电子设备的信号切换，提供高效且可靠的功率转换解决方案。
AOD413A
TO-252-2L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
本款消费级P沟道MOSFET采用紧凑型TO-252-2L封装，具有40V工作电压及高效能的25A电流承载力。专为低压、高效率开关应用设计，应用于各类消费电子产品中，以实现卓越的电源转换效能与系统稳定性，是优化电路的理想选择。
MX2101EI
SOT-323
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
这款消费级P沟道MOSFET采用超小型SOT-323封装，额定电压为20V，最大连续电流1.8A，专为低能耗、高效率的电源管理及电子设备开关应用设计。其精巧体积与卓越性能相结合，提供出色的电路控制解决方案。
AO3416A
SOT-23-3L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23-3L封装技术，额定电压20V，具备6.5A大电流处理能力。具有出色的低导通电阻与快速开关性能，广泛应用于充电器、电源转换等领域，实现高效、可靠的功率控制。
AO3422
SOT-23-3L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该款消费级N沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23-3L封装，额定电压高达60V，最大连续电流为4.5A，适用于各种电源转换和电子设备开关控制应用。其卓越的性能表现及小巧体积，有效提升系统效率，是电路设计的理想选择。
SI2323
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
这款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，适用于20V电压系统，具备5A大电流处理能力。凭借其低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电器、电源转换等领域，为电子设备提供高效、稳定的功率控制解决方案。
AOD480
TO-252-2L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
该消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压30V，峰值电流20A，适用于高效电源转换、电机驱动等应用，提供低导通电阻、快速开关性能及卓越的功率管理解决方案。
MX3407AI
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该款消费级P沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，专为30V电压系统设计，额定电流4.1A。具备低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于充电器、电源转换及各类电子设备中，实现高效可靠的功率控制与切换功能。
AO4805
SOP-8
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
此款消费级P+P沟道MOSFET采用SOP-8封装，专为30V系统打造，提供双P沟道结构以实现大电流处理能力，额定电流高达11A。器件拥有卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于电池管理、电源转换以及高功率电子设备中，实现高效可靠的双向功率控制。
IRLML6402TRPBF
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
此款消费级P沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，额定电压为20V，最大连续电流4.2A，适用于低电压、小体积的电源开关、负载切换及反向电流保护等应用，尤其适合于高效能、空间受限的电路设计。
IRF7416T
SOP-8
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该消费级P沟道MOSFET采用SOP-8封装，额定电压30V，最大连续电流9A。适用于电池保护、电源管理与高效能负载切换应用，具备出色的低导通电阻及快速开关特性，是现代电子设备的理想功率控制元件。
MX30N06NF
DFN-8L(5x6)
MXsemi
场效应管(MOSFET)
5000个/圆盘
本款消费级N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装，额定电压60V，连续电流30A。适用于电源转换、电机驱动及电池管理系统，提供高效能与紧凑设计，是现代电子设备实现高功率密度的理想半导体器件选择。
30N06
TO-252-2L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
本品为消费级N沟道MOSFET，采用高效TO-252-2L封装。具备60V耐压及30A电流承载能力，适用于各类中低压开关电路，能有效提升系统能效，稳定可靠，是您电子产品设计的理想选择。
AONR21357
DFN-8L(3x3)
MXsemi
场效应管(MOSFET)
5000个/圆盘
此款消费级P沟道MOSFET采用微型DFN3X3-8L封装，额定电压为30V，连续电流高达50A。专为高功率密度应用设计，适用于电源转换、负载开关及电池管理系统，提供卓越的能效比与紧凑布局解决方案，满足现代电子设备的高性能需求。
MX5N10AI
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该款消费级N沟道MOSFET采用小型化SOT-23封装，专为100V高压应用设计，具备5A大电流处理能力。拥有卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源转换及各类高功率电子系统中，实现高效可靠的功率管理与控制。
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