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场效应管(MOSFET)
型号
封装
品牌
分类
圆盘信息
描述
8205A
SOT-23-6L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该消费级MOSFET采用SOT-23-6L封装，集成双N沟道设计，额定电压为20V，最大连续电流高达6A。适用于高效率电源转换和负载开关应用，紧凑结构与强大性能结合，提供卓越的双通道功率控制解决方案。
AO6800
SOT-23-6L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
此款消费级MOSFET采用SOT-23-6L封装，集成双N沟道技术，额定电压为30V，最大连续电流高达4.5A。适用于高效率电源转换和电子设备开关控制，凭借其紧凑设计与出色性能，提供理想的双通道功率管理解决方案。
AO3415A
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
此款消费级MOSFET采用紧凑型SOT-23-3L封装，具备P沟道特性，工作电压高达20V，可持续提供4.1A电流，尤其适用于电源转换和电子设备开关控制应用。凭借其小型化设计与优良性能，有效提升系统效率并确保稳定运行。
2SK3018
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该消费级N沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，专为30V电压系统设计，提供精确的0.1A电流控制。具备低导通电阻和快速开关性能，尤其适用于电池保护、信号切换等低功耗电子应用，实现高效能与节能的功率管理解决方案。
AOD4184
TO-252-2L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
此款消费级MOSFET采用TO-252-2L封装，是一款高性能N沟道器件，拥有40V额定电压和高达60A的连续电流承载能力。专为高效、稳定运行设计，适用于各类电源转换与开关电路应用，提供卓越能效表现，满足严苛的电子设备需求。
IRLML0100TRPBF
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该款消费级N沟道MOSFET采用紧凑SOT-23封装，额定电压100V，支持3A连续电流，适用于电池保护、电源转换等应用。具备低导通电阻与高速开关性能，是现代电子产品中实现高效能功率控制的理想选择。
SI2309
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，专为60V电压应用设计，提供高达2A的连续电流处理能力。具有低导通电阻与快速开关性能，适用于充电器、电源转换等场景，实现高效、稳定的功率控制与管理。
AO3402
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，额定电压30V，连续电流高达5A。具备卓越的低导通电阻和快速开关特性，专为充电器、电源转换及各类高效电子应用设计，实现稳定可靠的功率管理与控制。
2N7002DW
SOT-363
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
这款消费级MOSFET采用SOT-363微型封装，内含双N沟道结构，额定电压高达60V，最大连续电流为0.1A，适用于低功率电子设备的精密电源管理和高效开关应用。其小巧尺寸与高性能设计提供了灵活且可靠的电路解决方案。
15N10
TO-252-2L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
本款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压100V，最大连续电流15A，专为高效电源转换、电机驱动等应用设计，提供卓越的开关性能和低损耗功率管理方案。
AO4406
SOP-8
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
此款消费级N沟道MOSFET采用SOP-8封装，额定电压30V，连续电流高达8.5A。适用于低至中等功率的电源转换、负载开关及电池管理系统应用，具备高效能与小型化设计，为现代电子产品提供理想的半导体解决方案。
FDS4435BZ
SOP-8
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
本款消费级P沟道MOSFET采用SOP-8封装，额定电压30V，最大连续电流高达9A。适用于电池管理系统、电源切换及高功率应用场合，具备卓越的开关性能和低导通电阻，确保高效能与稳定性，是优化电子设备功耗的理想之选。
DMG2305UX-7
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，专为20V电压应用设计，具有5A大电流承载能力。具备低导通电阻与快速开关性能，广泛应用于充电器、电源管理等场景，提供高效能、稳定的功率转换及控制解决方案。
SI2318
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
此款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，专为40V电压系统设计，具备5A强大电流处理能力。凭借其出色的低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于充电器、电源管理及各类高效率电子设备中，实现高效、稳定的功率转换与控制。
MX2102EI
SOT-323
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
这款消费级N沟道MOSFET采用微型SOT-323封装，额定电压为20V，最大连续电流可达2A，专为电子设备的高效电源管理和低功耗开关应用设计。其小巧尺寸与卓越性能相结合，提供出色的系统集成解决方案。
SI2319
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，额定电压40V，支持高达5A连续电流。具有低导通电阻与快速开关性能，适用于充电器、电源转换等应用，为电子设备提供高效、稳定的功率控制解决方案。
TPH1R403NL
DFN-8(5x6)
MXsemi
场效应管(MOSFET)
5000个/圆盘
这款消费级N沟道MOSFET采用紧凑型DFN5X6-8L封装，具有出色的功率密度。额定电压30V，峰值电流高达150A，特别适用于空间受限且需要高效能开关控制的电路设计，如电源转换、负载开关及电池管理系统等应用。
BSS131
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该款消费级N沟道MOSFET采用小型SOT-23封装，特别适用于240V高压环境，提供精确的0.1A电流控制。具备优良的开关特性和高耐压性能，广泛应用于电池保护、信号切换及各类低功耗电子设备中，实现高效且安全的功率管理方案。
APM4953
SOP-8
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
此款消费级P+P沟道MOSFET采用SOP-8封装，专为30V电压系统设计，提供双P沟道高效能导通。额定电流5.3A，特别适用于电池保护、电源管理等场景，具有低导通电阻和快速开关性能，是现代电子设备中理想的双向功率控制解决方案。
MX3139CI
SOT-523
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
这款消费级P沟道MOSFET采用超小型SOT-523封装，具备20V额定电压和0.6A连续电流能力，专为低功耗电子设备设计。适用于电源转换、负载开关等应用，小巧尺寸与高效性能兼具。
SI2300
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
这款消费级N沟道MOSFET采用小型SOT-23封装，专为20V电压系统设计，具备6A大电流处理能力。拥有优越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电器、电源管理及各类高效率电子设备中，提供稳定、高效的功率转换与控制解决方案。
AOD403
TO-252-2L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
本款消费级P沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，拥有30V额定电压和高达80A的强劲电流处理能力。专为高负载、高效能的低压电子设备设计，实现卓越的开关性能与能耗控制，是优化电源管理系统的理想半导体器件选择。
SI2308
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
此款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，专为60V电压系统设计，提供高达3A的连续电流处理能力。具备卓越的低导通电阻与快速开关性能，广泛应用于充电器、电源转换等场景，实现高效、稳定的功率控制。
8205A
TSSOP-8
MXsemi
场效应管(MOSFET)
5000个/圆盘
本款消费级MOSFET采用TSSOP-8封装，集成双N沟道设计，额定电压20V，可承载6A连续电流。专为紧凑型、高能效电源开关及转换应用打造，适用于各类消费电子产品，提供出色的系统性能与稳定性表现。
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