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场效应管(MOSFET)
型号
封装
品牌
分类
圆盘信息
描述
Si7850DP
DFN-8L(5x6)
MXsemi
场效应管(MOSFET)
5000个/圆盘
本款消费级N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装，额定电压60V，最大连续电流30A。适用于高效电源转换、电机驱动及电池管理系统应用，凭借其紧凑尺寸和优良散热性能，为现代电子产品提供理想的功率管理解决方案。
AO4407
SOP-8
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该消费级P沟道MOSFET采用小型化SOP-8封装，额定电压30V，支持高达12A的连续电流处理能力。专为高效电源开关、电池保护和负载管理应用设计，具备低导通电阻及卓越的开关性能，是各类中低压电路的理想选择，有效提升系统能效并确保稳定运行。
NTTFS5826NL
DFN-8L(3x3)
MXsemi
场效应管(MOSFET)
5000个/圆盘
此款消费级N沟道MOSFET采用超小型DFN3X3-8L封装，额定电压60V，连续电流高达20A。专为现代电子产品的小型化与高效能需求设计，适用于电源转换、负载开关控制及电池管理系统应用，实现低损耗、高集成度的电路解决方案。
AON7264E
DFN-8L(3x3)
MXsemi
场效应管(MOSFET)
5000个/圆盘
本款消费级N沟道MOSFET采用紧凑型DFN3X3-8L封装，具有出色的功率密度。额定电压60V，连续电流高达40A，适用于小型化、高性能电源转换、负载开关及电池管理系统设计，实现空间节省与高效能的完美结合。
AOD4185
TO-252-2L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
本款消费级P沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压40V，具有强大40A电流处理能力。专为中低压、大电流应用场景设计，适用于各类消费电子产品，实现卓越的电源转换效率和系统稳定性，是优化电路性能的理想半导体元件选择。
AON7544
DFN-8L(3x3)
MXsemi
场效应管(MOSFET)
5000个/圆盘
此款消费级N沟道MOSFET采用超小型DFN3X3-8L封装，具备强大的100A连续电流处理能力，在30V额定电压下运行。专为高密度、高性能电路设计，广泛应用于电源转换、负载开关控制及电池管理系统，实现卓越的功率密度与效率表现。
BSS308PE
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，专为30V电压系统设计，具备4.1A高电流承载能力。具有低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电器、电源转换及各类电子设备中，实现高效能、稳定的功率管理与控制。
AO4435
SOP-8
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
这款消费级P沟道MOSFET采用紧凑型SOP-8封装，额定电压30V，可承载高达9A的连续电流。专为电池管理系统、电源开关及高效能电子设备设计，具有卓越的低导通电阻和快速开关性能，确保在各种应用场合下实现稳定高效的功率转换与控制。
10N65
TO-220F
MXsemi
场效应管(MOSFET)
50个/圆盘
该消费级N沟道MOSFET采用TO-220F封装，具备650V高耐压及10A大电流处理能力，专为高效能电子设备设计，应用于电源转换、电机驱动等领域，提供出色的开关性能和稳定的功率管理方案。
IRLR7843TRPBF
TO-252-2L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
该消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压30V，峰值电流高达120A，专为高功率、大电流应用场景设计，如电源转换器和电机控制器，提供卓越的开关性能与低损耗优势。
MX4812S
SOP-8
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
此款消费级N+N沟道MOSFET采用SOP-8封装，集成双通道设计，额定电压30V，连续电流6A。专为现代电子设备的高效电源转换、负载平衡及电池管理系统打造，提供紧凑、节能的半导体解决方案。
9435
SOP-8
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该款消费级P沟道MOSFET采用小型化SOP-8封装，额定电压30V，支持5A连续电流，特别适用于电池管理系统、电源切换和负载控制。器件具有优越的开关速度与低导通电阻特性，确保在各类电子设备中实现高效能与可靠运作。
BS170FTA
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，额定电压60V，电流容量为0.3A。专为低至中等功率应用设计，具备优秀的开关性能与低导通电阻，广泛应用于电池管理、信号切换等领域，实现精准的功率控制和高效能运作。
MX70P03D
TO-252-2L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
本款消费级P沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，拥有30V工作电压和高达70A的大电流处理能力。专为高性能、高负载消费电子产品设计，实现卓越的开关效率与稳定性，是在低压环境优化电源管理的理想半导体器件选择。
2N7002W
SOT-323
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该消费级N沟道MOSFET采用微型SOT-323封装，具备60V高耐压性能，最大连续电流为0.1A，专为低功耗电子设备设计，适用于精密电源管理与高效开关控制。小巧尺寸结合卓越效能，提供灵活且可靠的电路解决方案。
IRLML2502TRPBF
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
此款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，额定电压20V，最大连续电流6A。专为高效能电子应用设计，具备低导通电阻与快速开关性能，适用于充电器、电源转换等领域，实现精准可靠的功率控制与管理。
MX4020NF
DFN5X6-8L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
5000个/圆盘
这款消费级N+P沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装，集成双通道技术，额定电压40V，连续电流30A。专为高效电源转换、负载控制及电池管理系统设计，提供紧凑型解决方案，实现卓越能效与空间节省。
AO3407
SOT-23-3L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
这款消费级P沟道MOSFET封装为SOT-23-3L，额定电压高达30V，连续电流承载能力为4.1A，适用于各类电源转换和开关控制场景。其精巧尺寸与卓越性能相融合，为电子设计提供高效、稳定的功率管理解决方案。
BSS84LT1G
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，额定电压50V，适用于低电流应用场合，提供0.1A电流处理能力。具备低导通电阻和快速开关特性，尤其适合电池保护、智能设备中的精细功率控制需求。
MX3134CI
SOT-523
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
本款消费级N沟道MOSFET采用微型SOT-523封装，额定电压20V，最大连续电流0.8A，专为低功耗电子设备设计。其卓越的开关性能与小巧体积相结合，适用于高集成度电源管理和精细控制应用。
SI2333
SOT-23-3L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该消费级MOSFET采用紧凑型SOT-23-3L封装，拥有P沟道特性，额定电压20V，可稳定承载7A电流，适用于各类电子设备的电源管理与高效开关应用。其卓越性能和小巧尺寸，为设计提供理想的低导通电阻和高可靠性解决方案。
MX100N03DF
DFN-8L(3x3)
MXsemi
场效应管(MOSFET)
5000个/圆盘
这款消费级N沟道MOSFET采用极致紧凑DFN3X3-8L封装，额定电压30V，峰值电流高达100A。专为高功率密度和空间有限的应用设计，如电源转换、负载开关控制以及电池管理系统，实现卓越的电流承载能力与节能效果。
5N10
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该款消费级N沟道MOSFET采用精巧SOT-23封装，专为100V电压应用设计，具备5A高连续电流承载能力。凭借其卓越的低导通电阻与快速开关性能，广泛应用于电池保护、电源转换和各类高效能电子设备中，实现精确可靠的功率控制。
BSS138
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，适用于50V电压系统，额定电流为0.2A。具有出色的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于电池保护、信号切换等低功率场景，提供高效且精准的功率控制解决方案。
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