技术文章 - 深圳市兆信半导体有限公司

IRFR4104TRPBF场效应管参数-IRFR4104TRPBFMOS管

一、产品特征IRFR4104TRPBF场效应管是一款N沟道MOSFET，具有出色的性能和可靠性。其在市场上拥有稳固的地位，被广泛应用于各种电子元件领域。IRFR4104TRPBF在电源管理、电机控制、逆变器等方面发挥着重要作用，为电子产品的性能提升和功耗优化做出了重要贡献。二、技术规格参数IRFR4104TRPBF的关键技术参数为：N沟道漏源电压（Vdss）为40V，连续漏极电流（Id）为85A，导通电阻（RDS(on)）在10V下为5mΩ，85A。这些参数表明了IRFR4104TRPBF在高电流、低电压下的出色性能。此外，IRFR4104TRPBF采用 ...

2024

04-22

FDS4685-NL场效应管参数-FDS4685-NLMOS管

一、产品特征FDS4685-NL场效应管是一种P沟道MOSFET，具有出色的特性和重要的市场地位。作为电子元件领域中的关键组成部分，它在各种电子设备中发挥着重要作用。FDS4685-NL以其稳定性、高性能和可靠性而闻名，是方案工程师、技术人员和制造企业采购人员理想的选择。二、技术规格参数FDS4685-NL参数如下：P沟道漏源电压(Vdss)为40V，连续漏极电流(Id)为16.1A，导通电阻(RDS(on))为10mΩ@10V, 16.1A。这些参数直观地展示了FDS4685-NL的性能特点，为其在电子元件领域中的广泛应用提供了可靠保障。三 ...

2024

04-19

FQD13N10TM场效应管参数-FQD13N10TMMOS管

一、产品特征FQD13N10TM场效应管做为电子元件领域的重要组成部分，在市场中占有重要地位。其基本特性和稳定性在各类电子设备中得到广泛应用。FQD13N10TM因其稳定性和特性而著称，被称作电子产业不可或缺的一部分。二、技术规格参数FQD13N10TM参数详细解读如下：该器件为N沟道场效应管，具有最大漏源电压(Vds)为100V，最大漏极电流(Id)为18A，导通电阻(RDS(ON))为115mΩ@10V, 121mΩ@4.5V，最大栅极-源极电压(Vgs)为±20V，阈值电压(Vth)为1.6V。采用TO252封装，具有良好的散热性能和稳定性，适用于 ...

2024

04-19

AO4453场效应管参数-AO4453MOS管

一、产品特征AO4453场效应管作为电子元件领域的重要组成部分，其基本特性在市场上具有重要地位。AO4453以其优异的性能和可靠性闻名于业内，被广泛应用于各类电子设备中。其稳定的工作性能和高效能力使其备受市场青睐。二、技术规格参数AO4453参数详细解读如下：AO4453是一款P沟道场效应管，具有漏源电压(Vdss)为12V，连续漏极电流(Id)为16A，功率(Pd)为3W，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)为5mΩ@4.5V,14A。这些参数直观地展示了AO4453的性能指标，使其在各种应用场景下都能表现出色。三、工作原理及应用1.& ...

2024

04-19

HM3401PR场效应管参数-HM3401PRMOS管

一、产品特征HM3401PR场效应管是一种在电子元件领域中具有重要地位的关键器件。其基本特性包括P沟道类型、30V的漏源电压（Vdss）、7.6A的连续漏极电流（Id），以及50mΩ@10V, 7.6A的导通电阻（RDS(on)@Vgs,Id）。HM3401PR在市场上拥有稳固的地位，被广泛应用于各种电子产品中，为电路设计提供了重要支持。二、技术规格参数HM3401PR参数的详细解读如下：它是一种P沟道型MOS管，具有30V的漏源电压（Vdss），可持续承受7.6A的漏极电流（Id），并在10V的门源电压下具有50mΩ的导通电阻（RDS(on)）。这些参 ...

2024

04-19

IRFR15N20DTRPBF场效应管参数-IRFR15N20DTRPBFMOS管

一、产品特征IRFR15N20DTRPBF场效应管作为一种重要的电子元件，在电子领域发挥着重要意义。其基本特点包含优质的特征、可靠的品质以及广泛应用范畴。IRFR15N20DTRPBF场效应管在市场中很受欢迎，是方案工程师、技术人员以及制造企业买家优选之一。他在电子元件领域的重要性不言而喻，在当代电子产品设计制造中发挥着很重要的作用。二、技术规格参数IRFR15N20DTRPBF场效应管具有一系列优秀的技术参数，使其在众多应用场景中表现出色。作为一款N沟道MOS管，其漏源电压(Vdss)可达200V，连续漏极电流(Id)高达30A。这些优秀的技术参数为I ...

2024

04-19

IRFR4620TRPBF场效应管参数-IRFR4620TRPBFMOS管

一、产品特征IRFR4620TRPBF场效应管作为电子元件领域中的重要组成部分，具有独特的特性和广泛的应用场景。其在市场上拥有稳固的地位，深受方案工程师、技术人员以及制造企业采购的青睐。IRFR4620TRPBF在电子元件领域中扮演着重要的角色，其稳定性、可靠性以及多功能性是其在市场上备受追捧的原因之一。二、技术规格参数IRFR4620TRPBF作为一款N沟道场效应管，具有一系列优秀的技术参数。其漏源电压(Vdss)达到200V，连续漏极电流(Id)高达30A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)仅为55mΩ@10V,30A。这些参数的优秀表现使得I ...

2024

04-19

LR024N场效应管参数-LR024NMOS管

一、产品特征LR024N场效应管做为电子元件领域的重要组成部分，拥有独特的特征和普遍的使用场景。它在市场上拥有扎实的地位，遭受方案工程师、技术人员以及制造和采购的欢迎。LR024N在电子元件领域起着重要作用，其稳定性、稳定性和多功能化是市场上时兴的原因之一。二、技术规格参数LR024N作为一款N沟道场效应管，具有一系列优秀的技术参数。其漏源电压(Vdss)达到60V，连续漏极电流(Id)高达18.2A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)仅为73mΩ@10V,18.2A。这些参数的优秀表现使得LR024N在各种电子应用中得到广泛的应用。从技术参数上来 ...

2024

04-19

ZXMC4559DN8TA场效应管参数-ZXMC4559DN8TAMOS管

一、产品特征在本段落中，我们将简要介绍ZXMC4559DN8TA场效应管的基本特性、市场地位以及其在电子元件领域中的重要性。ZXMC4559DN8TA作为一款高性能MOS管，具有优异的电气特性和广泛的应用领域，深受方案工程师、技术人员以及制造企业采购的青睐。二、技术规格参数在这一部分，我们将详细解读ZXMC4559DN8TA的技术参数，包括其N沟道和P沟道的特性、漏源电压、连续漏极电流以及导通电阻等。通过深入了解这些技术参数，读者可以更好地理解ZXMC4559DN8TA的性能特点，为实际应用提供参考依据。三、工作原理及应用1. 工作 ...

2024

04-18

IRF7210TRPBF场效应管参数-IRF7210TRPBFMOS管

一、产品特征IRF7210TRPBF场效应管是电子元件领域中备受瞩目的一员。其基本特性和市场地位使其成为电子工程师、技术人员和制造企业采购的首选之一。IRF7210TRPBF在电子元件领域中的重要性不言而喻，其可靠性和性能优势让其成为各种电子产品设计中的重要组成部分。二、技术规格参数IRF7210TRPBF的参数包括P沟道，漏源电压(Vdss)：-12V，连续漏极电流(Id)：-16A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5mΩ@-4.5V。这些技术参数的详细解读不仅有助于了解IRF7210TRPBF的性能特点，还能为实际应用提供重要参考依据。&n ...

2024

04-18