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整流桥堆
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描述
KBP
MXsemi
整流桥堆
1500个/圆盘
此款半导体器件是一款采用KBP封装技术的整流桥,专为高效率、低损耗应用设计。其关键性能指标包括VR高达1000V,能有效应对严苛的电压环境,确保设备安全稳定;VF表现为1.1V@3A,意味着在3A的工作电流下,其压降极低,显著提升电源转换效率;额定工作电流IO为3A,提供持久稳定的电力传输能力。适用于各类要求严苛的电源系统、逆变器等电子设备,是提升系统效能和可靠性的理想之选。
GBU
MXsemi
整流桥堆
1500个/圆盘
这款GBU封装整流桥,属于高效率、低损耗的优质器件。其拥有1000V的卓越反向电压额定值(VR),在6A工作电流下,正向压降VF仅为1.05V,确保了设备在大电流运行时仍能保持较低能耗及高效能表现。最大连续输出电流高达6A(IO),保证了稳定可靠的电力传输。适用于各类高电压、大电流应用场景,是您电路设计的理想选择,助您实现性能与耐用性的完美结合。
KBP
MXsemi
整流桥堆
1500个/圆盘
这款采用KBP封装的高效整流桥器件,专为600V电压等级及中小电流应用量身打造。其具备卓越的耐压性能,在600V反向电压下稳定运行,确保系统可靠性。在2A的工作电流下,正向电压降控制在1.1V以内,实现低功耗与高效率的电力转换。器件的最大连续输出电流为2A,适用于电源适配器、小型电机驱动及各类电子设备内部整流环节。选择本款KBP封装整流桥,将助力您的产品实现更优能效比和长期稳定的电路性能。
KBJ
MXsemi
整流桥堆
1500个/圆盘
此款采用先进KBJ封装的半导体整流桥器件,专为高效、大电流应用设计。其核心特性包括VR最高耐压1000V,保证在高压环境下稳定可靠运行;VF低至1.05V@4A,即使在4A电流下仍维持超低电压降,显著提高能源转换效率与节能效果;额定输出电流IO高达10A,提供强大而持久的电力处理能力。适用于各类高端电源系统、逆变器等设备中,是提升系统性能和稳定性的重要元件选择。
DBS
MXsemi
整流桥堆
1500个/圆盘
本款高性能整流桥采用先进的DBS封装技术,专为高效率、高稳定性的电路设计。其额定电压高达VR1000V,确保在严苛条件下稳定工作。在1.5A的工作电流下,正向压降仅为VF1.1V,有效降低功耗,提升系统能效。此外,拥有2A的输出电流能力(IO:2A),充分满足大电流应用需求,是各类电源转换、逆变器等电子设备的理想选择。这款半导体器件以卓越性能与高效节能,助力您的设备运行更顺畅,表现更出色。
GBJ
MXsemi
整流桥堆
1500个/圆盘
此款GBJ封装整流桥器件,针对高功率、大电流应用进行了优化设计。拥有高达1000V的反向电压额定值(VR),确保在高压条件下稳定可靠工作。其亮点在于,在12.5A连续电流下,正向压降VF低至1.05V,有助于提高电源转换效率并降低能耗。此外,该器件具备强大的电流处理能力,最大连续输出电流可达25A(IO),适应各类严苛的应用环境。这款整流桥是高性能、高稳定性电路设计的理想选择,助力您实现高效、安全的大电流电源转换。
KBL
MXsemi
整流桥堆
1500个/圆盘
此款半导体器件是一款采用KBL封装技术的高耐压整流桥,专为大电流、高效能应用场景设计。其核心参数包括VR最高耐受电压1000V,确保在严苛高压环境下也能保持稳定运行;VF特性表现为1.1V@6A,即使在6A满载电流下,仍能维持超低压降,极大提高能源转换效率与节能效果;额定输出电流IO达到6A,提供强劲且持久的电力处理能力。适用于各类高端电源系统、逆变器等大电流电子设备,是提升整体性能和可靠性的理想元件选择。
GBU
MXsemi
整流桥堆
1500个/圆盘
这款GBU封装的高耐压整流桥半导体器件,专为大电流、高效能应用场景设计。其核心参数包括VR最高耐受电压1000V,确保在严苛高压条件下仍能保持稳定运行;VF特性表现为1.1V@8A,在满载8A电流下仍维持较低电压降,显著提升电源转换效率并降低能耗;额定输出电流IO高达8A,提供强大且持久的电力处理能力。广泛应用于各类高端电源系统、逆变器及其他需要大电流处理的电子设备中,是提升整体性能与可靠性的优质之选。
KBJ
MXsemi
整流桥堆
1500个/圆盘
这款采用KBJ封装的高性能整流桥半导体器件,专为大电流、高效率应用设计。其关键特性包括VR耐压高达1000V,确保在严苛电压环境下稳定运行;VF值低至1.05V@4A,即使在中等电流下也能实现超低压降,显著提升电源转换效能与节能表现;额定输出电流IO高达15A,提供强劲而持久的大电流处理能力。广泛适用于各类高端电源系统以及逆变器中,是提升系统性能和可靠性的理想组件之选。
GBL
MXsemi
整流桥堆
1500个/圆盘
这款GBL封装整流桥器件,专为高效率电源转换应用设计。具有1000V的高强度反向电压额定值(VR),确保在严苛高压环境下稳定工作。其特性在于3A电流下的正向压降VF仅为1.1V,有效减少能耗并提升系统性能表现。器件具备出色的电流处理能力,最大连续输出电流可达6A(IO),确保在中等至大电流应用场合下持续高效运作。适用于各类要求高电压、高可靠性的电路设计,是您实现优质电源转换的理想选择。
KBO
MXsemi
整流桥堆
1500个/圆盘
这款半导体器件是一款采用紧凑型KBP封装的高品质整流桥,适用于高效、低能耗的应用场景。其核心特性包括VR最高耐压1000V,保证在高压环境下稳定可靠运行;VF值为1.1V@2A,意味着当电流达到2A时,器件压降仅1.1V,显著降低功耗,提升能效表现;额定电流IO为2A,确保持续稳定的电力转换能力。此款整流桥广泛应用于各类电源系统、逆变器等电子设备中,助力提高整体系统的性能与稳定性。
KBU
MXsemi
整流桥堆
1500个/圆盘
这款采用KBU封装的高性能整流桥,专为高电流、高稳定性的应用场合打造。其拥有800V的额定反向电压,确保在严苛电压条件下仍能保持卓越性能。在8A的工作电流下,正向电压降仅1.1V,显著降低系统能耗并提高整体效能。此外,器件具备强大的连续输出能力,最大电流可达8A,满足大功率设备对高效整流的需求。适用于各类电源供应器、电机驱动等领域的电路设计,选择本款整流桥将有效提升您的设备运行效率与稳定性。
KBP
MXsemi
整流桥堆
1500个/圆盘
此款半导体器件是一款高性能整流桥,采用先进的封装技术——KBP封装,体积小巧,热性能优良。其主要规格包括VR高达1000V,能有效抵抗高电压冲击,保证设备稳定运行;VF低至1.1V@4A,意味着在4A的工作电流下,压降极小,功率损耗低,节能效果显著;额定输出电流IO为4A,提供强大而稳定的电力转换能力。本产品是各类高端电源系统、逆变器等电子设备的理想选择,助力提升系统效率及可靠性。
KBU
MXsemi
整流桥堆
1500个/圆盘
这款采用KBU封装的高性能整流桥器件,特别为1000V高电压及大电流应用环境定制。具备卓越的耐压性能,在高达1000V的反向电压下仍能稳定、高效运作。其在10A的工作电流条件下,正向电压降仅为1.05V,实现了超低功耗与高效的电力转换。该器件具有强大的电流处理能力,最大连续输出电流可高达10A,是高端电源系统、大功率电机驱动的理想选择。
GBP
MXsemi
整流桥堆
1500个/圆盘
这款GBP封装整流桥器件,是专为高效率电源转换应用设计的优质半导体元件。具备高达1000V的反向电压额定值(VR),确保在高压条件下安全稳定工作。其特性包括在2A电流下正向压降VF低至1.1V,有效降低能耗并提升系统效能。尽管在小电流下表现出色,该器件的最大连续输出电流可达6A(IO),展现出卓越的电流承载和瞬态响应能力。适用于各类需要处理高电压、大电流瞬变的应用场景,是您电路设计的理想之选,助力实现高效可靠的电源转换解决方案。
DBS
MXsemi
整流桥堆
1500个/圆盘
这款DBS封装整流桥器件,针对高效低耗电源转换需求设计。具有高达1000V的反向电压额定值(VR),确保在高压条件下持久稳定运行。其关键特性在于,在1A电流下正向压降VF低至1.1V,有效优化系统能效并减少功耗。同时,器件具备出色的电流处理能力,最大连续输出电流可达1.5A(IO),适合中等电流应用场合。凭借精巧的DBS封装与卓越性能表现,本款整流桥成为电路设计的理想选择,助您实现高性价比且可靠的电源转换方案。
GBP
MXsemi
整流桥堆
1500个/圆盘
这款GBP封装整流桥器件,专为在高电压环境下提供高效稳定的电源转换而设计。拥有高达1000V的反向电压额定值(VR),确保了在严苛条件下仍能可靠运行。其独特优势在于,在2A工作电流下正向压降VF低至1.1V,有效降低功耗并优化系统效率。尽管以低电流性能出色,该器件的最大连续输出电流可达3A(IO),展现出良好的电流处理能力。适用于各类需要处理高电压、中等电流的应用场景,是您电路设计的理想选择,助力实现高性能与高稳定性的完美融合。
GBU
MXsemi
整流桥堆
1500个/圆盘
此款GBU封装整流桥,是一款专为高功率、高效率应用设计的顶级整流器件。具备1000V的高强度反向电压额定值(VR),在10A电流下,正向压降VF低至1.05V,有效减少能量损耗并提升系统效能。尤其值得关注的是其强大的瞬态峰值电流能力高达25A(IO),确保了在极端条件下仍能保持稳定工作。适用于各类需处理高电压、大电流场景的电路设计,是您构建高性能系统的理想选择。
DBS
MXsemi
整流桥堆
1500个/圆盘
这款DBS封装的整流桥器件,专为高效能电源转换应用设计。具有高达1000V的反向电压额定值(VR),确保在高压环境下稳定可靠工作。其特点在于2A电流下正向压降VF低至1.1V,有效降低功耗并提升系统效率。此外,器件提供3A的最大连续输出电流(IO),适用于中等电流需求场景。该整流桥凭借出色的性能与小型化封装设计,成为各类电路设计的理想选择,尤其适合需要处理高电压且空间受限的应用环境。
GBU
MXsemi
整流桥堆
1500个/圆盘
这款GBU封装的整流桥器件,专为高电压、大电流应用场合设计。拥有1000V的高反向电压额定值(VR),确保在高压环境下稳定工作。其正向压降VF在10A电流下低至1.05V,有效降低功耗并提升电源转换效率。此外,器件具备出色的电流处理能力,最大连续输出电流可达10A(IO),保证了设备运行时的高效与可靠性。此款整流桥是各类高要求电路设计的理想选择,助您轻松应对复杂电源转换挑战。
GBL
MXsemi
整流桥堆
1500个/圆盘
此款GBL封装整流桥器件,专为高效能电源转换应用打造。其具备高达1000V的反向电压额定值(VR),确保在高压条件下安全稳定运行。在3A工作电流下,正向压降VF低至1.1V,有效减少功率损耗并提升整体系统效能。此外,该器件的最大连续输出电流可达8A(IO),展现出卓越的电流承载能力,尤其适用于需要处理中高电流强度及高电压环境的电路设计。这款整流桥凭借其高性能与高可靠性,成为您实现理想电源转换方案的理想之选。
KBU
MXsemi
整流桥堆
1500个/圆盘
这款KBU封装的高品质整流桥器件,专为1000V高电压环境和大电流应用设计。凭借出色的耐压性能,可承受高达1000V的反向电压,确保系统稳定高效运行。在6A的工作电流下,其正向电压降低至1.1V,有效降低功耗并提升电力转换效率。此外,该器件具有卓越的电流承载能力,最大连续输出电流可达6A,适用于各类中大功率电源、电机驱动等领域。选择此款整流桥,您的设备将实现更高能效与更佳稳定性表现。
ABS
MXsemi
整流桥堆
5000个/圆盘
这款整流桥器件封装采用ABS工艺,适用于对性能和效率有高要求的电路设计。其拥有VR1000V的额定电压,确保在高压条件下稳定运行。关键参数VF表现为1V@0.4A,即在0.4A电流下正向压降仅为1V,实现低功耗与高效能的完美结合。器件提供最大1A的输出电流(IO:1A),适合各类中等电流应用场合。此款半导体整流桥凭借卓越的电气性能及节能特性,是电源适配器、驱动电路等电子设备的理想选择,助力提升您的设备整体性能与能源利用率。
MBS
MXsemi
整流桥堆
3000个/圆盘
此款MBS封装整流桥器件,拥有1000V的高直流反向耐压性能,能有效应对高压环境下的电路保护需求。其平均整流电流为0.8A,满足中低功率设备的电流处理要求。在0.4A工作电流下,正向压降仅为1V,确保了较低的能量损耗和更高的工作效率。同时,反向电流控制在5uA@1000V,显示了卓越的绝缘特性,是各类需要稳定、高效整流解决方案的理想选择。
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