二极管-三极管-晶体管-MOS场效应管-桥堆生产厂家-深圳兆信半导体MXsemi

IRFZ44NS

TO-263

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场效应管(MOSFET)

800个/圆盘

本款消费级N沟道MOSFET采用TO-263封装，具有55V高耐压及卓越的49A大电流处理能力。专为高性能、高功率开关应用设计，广泛应用于各类消费电子产品中，提供出色的能效与系统稳定性表现。

AO4842

SOP-8

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

此款N沟道消费级MOSFET采用SOP-8封装，专为处理高电流、大功率应用设计。具备100V的额定电压和惊人的260A连续工作电流能力，尤其适用于电机驱动、电源转换器及高功率开关电路，提供卓越的导通性能与散热效能，是大型工业级电子设备及高端消费电子产品不可或缺的核心组件。

SMCJ40CA

SMC

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

此款SMC封装的双向TVS瞬态抑制二极管适用于40V工作电压环境，提供卓越的正负向过压保护。器件具有强大的23.3A峰值脉冲电流承受能力，在遭遇双向瞬态电压时迅速响应并精准钳位，有效防止电子设备因瞬间高压冲击受损，是高稳定性和大电流应用场合的理想防护选择。

SSM3J332R

SOT-23-3L

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

这款高性能消费级MOSFET采用SOT-23-3L封装，内含双N沟道设计，专为处理高电流应用打造。额定电压40V，连续通过电流高达12A，适用于电源转换、马达驱动等场合。凭借其卓越的低导通电阻和高速开关性能，有效提升系统效率并确保稳定运行。

BSO130P03SH

SOP-8

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

BSO130P03SHP沟道MOSFET采用SOP-8封装，专为大电流、高效能应用设计。器件亮点在于30V的最大漏源电压(VDSS)，并能承载高达12A的连续电流，其卓越的导通电阻仅为10mΩ，极大地提高了系统能效与稳定性。广泛适用于电源切换、电池管理系统、逆变器电路等各种大电流处理场合，以超强的性能和可靠性，为您的电路设计注入澎湃动力。

FDY301NZ

SOP-523

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

FDY301NZ是一款精心打造的N沟道MOS管，采用节省空间的SOT-523封装技术。该器件的核心优势在于其卓越的电气性能指标，包括工作电压VDSS高达20V，连续电流承载力ID达到0.8A，而导通电阻RD(on)仅为100mR，实现了低损耗、高效率运行。因其优秀的规格与小型化设计，FDY301NZMOS管尤其适用于电源转换、电池管理系统以及其他对体积和效能要求严苛的电子设备中，以实现高效的功率控制和切换功能。

FDMC7680

DFN3X3-8L

MXsemi

场效应管(MOSFET)

5000个/圆盘

FDMC7680是一款高性能N沟道MOSFET，采用超小型DFN3X3-8L封装，专为高密度电路板设计。其关键特性包括30V的最大漏源电压(VDSS)，并能在苛刻条件下提供惊人的60A连续漏极电流(ID)，展现了强大的电力处理能力。更值得关注的是，其导通电阻仅为6mΩ(RD(on))，确保了在大电流传输时依然保持较低的功率损耗。此款MOS管广泛应用在电源转换、快速充电技术、大电流开关电路等领域，是工程师追求高效能设计的理想之选。

MDV1542

DFN3X3-8L

MXsemi

场效应管(MOSFET)

5000个/圆盘

型号MDV1542的N沟道MOS管，采用紧凑型DFN3X3-8L封装工艺，特别适合于高密度电路板布局和空间有限的应用场景。该器件具有30V的额定电压VDSS，能够稳定传输高达100A的连续电流，展现了卓越的电力处理性能。其亮点在于仅为4mΩ的超低导通电阻RD(on)，极大地提升了系统能效，降低了功耗，广泛适用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，是您构建高效、节能电子设备的理想半导体元件选择。

IRF9328PBF

SOP-8

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

IRF9328PbFP沟道MOSFET采用SOP-8封装，专为高功率应用设计。器件特点在于30V的最大漏源电压(VDSS)，具备高达12A的连续电流处理能力，并具有低至10mΩ的导通电阻，有效提高系统工作效率，减少能量损耗。广泛应用于电源管理、逆变器、电机驱动等对电流处理要求高的场合，以出色的性能和可靠性，成为您优化电路设计的理想之选。

ZXMN3A06DN8

SOP-8

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

ZXMN3A06DN8是一款高性能N+N沟道MOSFET，采用紧凑型SOP-8封装技术，专为现代电子设备提供高效能电流控制。其核心优势在于最大工作电压VDSS高达30V，支持6A的连续漏极电流，确保卓越的电力传输能力；导通电阻RD(on)仅为25mΩ，有效降低功率损耗，提升系统整体能效。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等场景，是您设计高集成度、节能电子产品的理想MOS管解决方案。

CSD17577Q3A

DFN3X3-8L

MXsemi

场效应管(MOSFET)

5000个/圆盘

CSD17577Q3A是一款N沟道MOSFET，采用先进的DFN3X3-8L封装技术，专为高功率密度和低功耗应用设计。该器件在30V电压VDSS下稳定工作，能处理高达100A的连续电流，彰显强大电力传输性能。其亮点在于业界领先的4mR超低导通电阻RD(on)，有效减少功率损耗，提升整体系统效率。CSD17577Q3A广泛应用于电源转换、电机驱动、以及其他需要高性能MOSFET的场合，是您构建高效节能电路的理想选择。

SQ2310ES-T1_GE3

SOT-23

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

SQ2310ES-T1_GE3是一款高效N沟道MOSFET，采用小型SOT-23封装，专为高功率密度和低功耗电子设计。该器件具有20V的最大漏源电压(VDSS)，并能稳定处理6A的连续漏极电流(ID)，搭配其出色的22mΩ导通电阻(RD(on))，确保了卓越的电能转换效率和低功耗性能。广泛应用于电源管理、电机驱动、电池保护系统等领域，是实现小型化、高性能电子解决方案的理想半导体组件。

SQ2348ES-T1_GE3

SOT-23

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

SQ2348ES-T1_GE3是一款N沟道MOSFET，采用经济实用的SOT-23封装，专为现代高效率电路设计。该器件具备30V的漏源电压(VDSS)，能够处理高达5.8A的连续漏极电流(ID)，并拥有出色的低导通电阻性能，仅为22mR(RD(on))。广泛应用于开关电源转换、电机驱动及多种高功率电子系统，这款MOS管凭借卓越的电流承载能力和高效能表现，成为您设计中的理想半导体元件。

Si2308BDS-T1-E3

SOT-23

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

Si2308BDS-T1-E3N沟道MOSFET采用小型化SOT-23封装，专为高密度电子设计提供解决方案。此器件具备强大性能，工作电压高达60V，连续输出电流达3A，且拥有优秀的导通电阻仅为80mΩ，显著提升系统效率并降低能耗。适用于电源转换、负载开关以及电机驱动等广泛应用领域，以卓越的品质与可靠的性能，助您的电路设计实现效能升级。

IRF7424TR

SOP-8

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

IRF7424TR是一款P沟道MOSFET，采用SOP-8封装，专为高电流和高效率应用设计。器件支持最大30V的漏源电压(VDSS)，并能安全处理高达12A的连续漏极电流，展现出强大的电流承载能力。其独特的10mΩ超低导通电阻(RD(on))设计，有效提升了系统能效，降低了损耗。广泛应用于电源转换、电机驱动、大电流开关电路等领域，是高功率、高性能电子产品的重要组成部分。

ZXMN6A07F

SOT-23

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

ZXMN6A07FN沟道MOS管采用了节省空间的SOT-23封装技术，为您的电路设计提供灵活高效的解决方案。该器件关键性能指标卓越，具备60V的最高漏源电压(VDSS)，支持高达3A的连续电流，同时具有低至80mΩ的导通电阻，从而确保了在各种应用中的低功耗和高效能表现。广泛应用于电源转换、电机驱动、负载开关等场景，以出色的性能和信赖性，助力您的电子项目实现更高水准的性能优化。

RTR025P02FRA

SOT-23-3L

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

RTR025P02FRA是一款P沟道MOSFET，采用微型SOT-23-3L封装，适用于空间受限和高集成度的电路设计。器件特性包括最大漏源电压(VDSS)为20V，可稳定提供4.1A的漏极电流(ID)，且导通电阻(RD(on))低至34mR，确保在低电压应用环境下也能实现高效能和低功耗。这款MOS管广泛应用于电源转换、负载开关控制、低压电子设备中，是优化系统性能的理想半导体元件。

PMF63UNE

SOT-323

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

PMF63UNE是一款紧凑型N沟道MOSFET，采用微型SOT-323封装，专为高集成度电路设计。该器件提供20V的最大漏源电压(VDSS)，支持稳定的2A漏极电流(ID)，其特点在于拥有49mΩ的低导通电阻(RD(on))，有助于提升电路效率并降低功耗。此款MOS管广泛应用于便携设备、电源管理、信号切换等方面，是实现小型化、高效能电子系统的重要元件。

RQ3E130MN

DFN-8L(3x3)

MXsemi

场效应管(MOSFET)

5000个/圆盘

RQ3E130MN是一款高性能N沟道MOSFET，采用小型化DFN3X3-8L封装，专为大电流、低阻抗应用设计。器件提供30V的漏源电压(VDSS)，在6mR的超低导通电阻(RD(on))下，能够承载高达60A的漏极电流(ID)。广泛应用于开关电源、电池管理系统、电机驱动等领域，凭借其出色的电流承载能力和卓越的能效性能，是优化系统效能、降低能耗的理想半导体元件。

IRFH3702PBF

DFN-8L(3x3)

MXsemi

场效应管(MOSFET)

5000个/圆盘

IRFH3702PbF是一款高性能N沟道MOSFET，采用紧凑型DFN3X3-8L封装，满足现代化小型化电路设计要求。其拥有30V的最大漏源耐压(VDSS)，具备强大瞬态响应能力，可持续提供高达60A的漏极电流(ID)。尤为突出的是，导通电阻仅6mΩ(RD(on))，显著降低功率损耗，确保在大电流运行环境下也能保持高效能表现。本产品广泛适用于电源转换、马达驱动、高频开关等领域，为高端电子产品提供强劲动力支持。

AON7380

DFN-8L(3x3)

MXsemi

场效应管(MOSFET)

5000个/圆盘

AON7380是一款高性能N沟道MOSFET，采用DFN3X3-8L先进封装，专为大电流、低损耗应用设计。器件具有30V的漏源电压(VDSS)，能在仅6mR的超低导通电阻(RD(on))下，承载高达60A的漏极电流(ID)。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，其卓越的电流处理能力和能效表现，使之成为优化系统性能、降低能耗的理想半导体元件。

NTMS4177P

SOP-8

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

NTMS4177PP沟道MOSFET采用经济实用的SOP-8封装，专为高电流应用需求设计。器件具有30V的最大漏源电压(VDSS)，可承载12A的强大连续电流，且导通电阻仅为10mΩ，确保在高功率操作下仍维持高能效与低热耗损。广泛应用在电源转换、电机驱动控制、电池管理系统等领域，以其卓越的电流承载力与良好的电气性能，为您的电路设计提供坚实支撑。

IRF9956PBF

SOP-8

MXsemi

场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

IRF9956PbF为SOP-8封装，是一款高性能N+N沟道MOSFET，专为中高功率应用设计。其特点是最大工作电压VDSS为30V，可承载6A的漏极电流，并具有低至25mΩ的导通电阻RD(on)，确保高效能和低功耗。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等场合，是您实现高集成度和节能目标的理想MOS管器件。

SM4800PRL

SOP-8

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场效应管(MOSFET)

3000个/圆盘

SM4800PRL是一款高性能N+N沟道MOSFET，采用紧凑型SOP-8封装设计，专为高效率电子设备提供强大电流控制能力。关键特性包括最大工作电压VDSS为30V，支持高达6A的连续漏极电流，确保在高功率应用中表现出色；其25mΩ的超低导通电阻RD(on)，有效减少功率损耗，提高系统能效。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，是您追求高集成度与节能方案的理想MOS管选择。