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SMBJ33CA TVS瞬态抑制二极管参数-SMBJ33CA TVS瞬态抑制二极管

一、产品特征SMBJ33CA TVS瞬态抑制二极管采用SMB封装,具备双向设计,适用于中高压电路的全面保护。其具有33V的稳定双向反向工作电压VRWM,能够在正负过压事件下表现出色。此外,该二极管可承受高达11.3A的峰值脉冲电流IPP,有效吸收并快速钳位瞬态电压,为电源线、信号线及敏感电子设备提供卓越的双向浪涌防护能力,确保系统免受雷击、静电等瞬态冲击的影响。 二、技术规格参数SMBJ33CA TVS瞬态抑制二极管的技术参数优秀。采用SMB封装,易于安装和使用。具有33V的稳定双向反向工作电压,适用于各种中高压电路的保护。此外,其能够承受高达 ...

2024

05-06

AT24C02EEPROM参数-AT24C02EEPROM

一、产品特征AT24C02 EEPROM芯片采用SOP-8封装,具有紧凑型设计和高效数据存储的特点。其集成了I2C接口,可实现简单快速的数据读写操作。时钟频率范围为400kHz至1MHz,保证了高速通信能力。AT24C02特别适用于低功耗嵌入式系统、智能设备以及物联网应用,为这些应用提供稳定可靠的非易失性数据存储解决方案。 二、技术规格参数AT24C02 EEPROM芯片的技术参数十分优秀。采用SOP-8封装,易于安装和使用。具有2Kbit的存储容量,能够满足大多数应用的需求。集成了I2C接口,支持400kHz至1MHz的时钟频率范围,保证了高 ...

2024

05-06

74HC595D移位寄存器参数-74HC595D移位寄存器

一、产品特征74HC595D移位寄存器是一款紧凑型SOP-16封装的8位移位寄存器,专为高效数据处理而设计。其工作电压范围广泛,在2V至6V之间,可灵活实现串行至串行或串行至并行数据转换。每个器件包含8个独立的数据存储位,能够高效管理和传输大量信息流。因其卓越性能,成为嵌入式系统和高速通信设备的理想选择,能够显著提升系统整体效率。 二、技术规格参数74HC595D的技术参数非常出色。其SOP-16封装使其在各种应用环境下易于安装和使用。工作电压范围2V至6V,满足了多种系统配置的需求。其最为引人注目的特性是能够实现串行至串行或串行至并行数据转换 ...

2024

05-06

NUP2105LT1G静电和浪涌保护(TVS/ESD)参数-NUP2105LT1G静电和浪涌保护(TVS/ESD)

一、产品特征NUP2105LT1G静电和浪涌保护(TVS/ESD)二极管是一款专为电子设备提供双通道保护的重要组件。其设计精巧,功能强大,市场地位突出,被广泛应用于电子元件领域。其双向保护设计,高达24V的耐压值以及每通道4A的瞬态峰值电流承载能力,使其能够有效地防止过电压冲击,为电路提供可靠的保护。NUP2105LT1G的出现填补了市场上对双通道接口防静电解决方案的需求,成为各类敏感电子设备的理想选择。 二、技术规格参数NUP2105LT1G参数详细介绍如下:该二极管采用SOT-23封装,适用于双通道保护。具有24V的VRWM耐压值,每通道可 ...

2024

05-06

SMAJ6.8CA静电和浪涌保护(TVS/ESD)参数-SMAJ6.8CA静电和浪涌保护(TVS/ESD)

一、产品特征SMAJ6.8CA静电和浪涌保护(TVS/ESD)器件是电子元件领域中的重要代表之一。作为一款高性能双向TVS瞬态抑制二极管,它专为高效防护而设计。SMAJ6.8CA具有5.8V的额定反向工作电压VRWM和可承受高达39A的峰值脉冲电流IPP,这使其能够快速响应,保护您的电路免受瞬态浪涌、静电放电和过压冲击的损害。在电子元件市场中,SMAJ6.8CA的地位举足轻重,其在保护敏感电子设备方面的重要性不可低估。 二、技术规格参数SMAJ6.8CA的技术参数十分引人注目。采用SMA封装,具备双向TVS设计,保证了其高效防护能力。额定反向工 ...

2024

05-06

SS54肖特基二极管参数-SS54肖特基二极管

一、产品特征SS54肖特基二极管作为一种性能出色的二极管,在电子元件领域中占有重要地位。独特的特性在许多领域得到广泛应用。SS54肖特基二极管作为一种高性能的电子元件,以其损耗低、效率高而遭到市场的青睐。 二、技术规格参数SS54肖特基二极管具备40V的高反向耐压和强大的5A正向电流承载能力。其超低正向导通电压VF仅为0.55V,这一参数的优异表现确保了其在电源转换、高频整流及大电流电路保护场合中的卓越表现。此外,SS54肖特基二极管还具备其他重要的技术参数,如反向漏电流等,这些参数的综合性能使其成为许多电子电路设计中的首选元件。 三 ...

2024

05-06

1N5819WT肖特基二极管参数-1N5819WT肖特基二极管

一、产品特征1N5819WT肖特基二极管作为电子元件领域中的重要一员,具备许多独特的特性。其超低的正向导通电压VF和快速响应速度,使其在电源转换效率和功耗方面表现突出。在市场上,1N5819WT肖特基二极管的地位举足轻重,被广泛应用于各种电子设备中,包括开关电源、高频信号整流和电池保护电路等。其稳定可靠的性能和广泛的应用领域,使得方案工程师、技术人员和制造企业采购方对其信赖有加。 二、技术规格参数1N5819WT肖特基二极管采用SOD-523封装,具备40V的反向耐压和0.35A的正向电流承载能力。其超低的0.6V正向导通电压VF确保了电源转换 ...

2024

05-05

AO3401-ED场效应管(MOSFET)参数-AO3401-ED场效应管(MOSFET)

一、产品特征AO3401-ED场效应(MOSFET)这是电子元件行业的一颗明珠。其独特的设计和结构在市场中占有重要地位。AO3401-ED因其优异的性能和稳定性而著称,广泛应用于各种电子设备中。AO3401-ED能够提供高效、平稳、靠谱功率控制方案,不论是充电头、电源转换器还是其它电子产品。其出色的导电阻和快速开关特点使之成为很多方案工程师和技术人员的优选。 二、技术规格参数AO3401-ED采用SOT-23封装,额定电压为20V,可承载3A电流。其最大导通电阻极低,能够在电路中提供高效率的电源控制。此外,AO3401-ED的快速开关特性使其在 ...

2024

05-05

2N7002-MX场效应管(MOSFET)参数-2N7002-MX场效应管(MOSFET)

一、产品特征2N7002-MX场效应管(MOSFET)是电子领域中备受瞩目的元件之一。其采用SOT-23封装,具备额定电压60V和最大连续电流0.3A的特性。这款MOSFET具有低导通电阻和快速开关特性,在电池保护、负载切换等应用场景中广受欢迎。在电子元件领域中,2N7002-MX扮演着重要角色,是实现精细功率控制的理想半导体元件。 二、技术规格参数2N7002-MX参数详细解读如下:该款MOSFET采用SOT-23封装,额定电压60V,最大连续电流为0.3A。其低导通电阻和快速开关特性使其适用于各种电子设备中,特别是小型电子设备中,实现精细功 ...

2024

05-04

SD103AW肖特基二极管参数-SD103AW肖特基二极管

一、产品特征SD103AW肖特基二极管是电子领域中一款备受青睐的元件。其优异的反向耐压和正向电流承载力,以及低VF值,使其在高效能、低损耗应用中表现突出。作为肖特基二极管的代表之一,SD103AW在市场上具有重要地位。它在电子元件领域中扮演着不可或缺的角色,为各种电路设计提供了可靠的支持。 二、技术规格参数SD103AW肖特基二极管是电子领域中一款备受青睐的元件。其优异的反向耐压和正向电流承载力,以及低VF值,使其在高效能、低损耗应用中表现突出。作为肖特基二极管的代表之一,SD103AW在市场上具有重要地位。它在电子元件领域中扮演着不可或缺的角 ...

2024

05-04

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